怎么检查半导体二极管好坏？

1.用数字万用表的二极管档位测量二极管。测二极管时，使用万用表的二极管的档位。若将红表笔接二极管阳（正）极，黑表笔接二极管阴（负）极，则二极管处于正偏，万用表有一定数值显示。若将红表笔接二极管阴极，黑表笔接二极管阳极，二极管处于反偏，万用表高位显示为“1”或很大的数值，此时说明二极管是好的。在测量时若两次的数值均很小，则二极管内部短路；若两次测得的数值均很大或高位为“1”，则二极管内部开路2．用数字万用表测量三极管（1）用的二极管档位测量三极管的类型和基极b判断时可将三极管看成是一个背靠背的PN结，如图2.1所示。按照判断二极管的方法，可以判断出其中一极为公共正极或公共负极，此极即为基极b。对NPN型管，基极是公共正极；对PNP型管则是公共负极。因此，判断出基极是公共正极还是公共负极，即可知道被测三极管是NPN或PNP型三极管。（2）发射极e和集电极c的判断利用万用表测量β（HFE）值的档位，判断发射极e和集电极c。将档位旋至MFE基极插入所对应类型的孔中，把其于管脚分别插入c、e孔观察数据，再将c、e孔中的管脚对调再看数据，数值大的说明管脚插对了。（3）判别三极管的好坏测试时用万用表测二极管的档位分别测试三极管发射结、集电结的正、反偏是否正常，正常的三极管是好的，否则三极管已损坏。如果在测量中找不到公共b极、该三极管也为坏管子。

测量三极管好坏的方法只有通过万用表来判断，而使用万用表测量三极管好坏的步骤主要有以下几步：

1、首先需要了解一些关于三极管的常识，三极管有直插和贴片两种封装，1脚为发射极，2脚为基极，3脚为集电极；

2、准备一个能够正常使用的数字万用表，把档位箭头旋到二极管位置，红表笔插到电压、电阻、二极管档，黑表笔插到地档，此时万用表显示1；

3、把红表笔接到三极管2脚，黑表笔接到三极管1脚，正常情况下万用表应当显示.699左右，如数据偏差百分之15以上表示有问题；

4、把红表笔接到三极管2脚，黑表笔接到三极管3脚，正常的话万用表应当显示.703左右，如数据偏差百分之15以上表示有问题；

5、把红表笔接到三极管1脚，黑表笔接到三极管3脚，正常的话万用表应当显示1.00左右，如数据不是1.00表示有问题；

6、把红表笔接到三极管3脚，黑表笔接到三极管1脚，正常的话万用表应当显示1.00左右，如数据不是1.00表示有问题，如显示接近0表示三极管被击穿。

三极管有很多种类型，比如9013、9014、9018、8050等，不同类型的三极管都可以通过这种方法来测量好坏。

拓展资料：

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。

参考资料：三极管_百度百科

以N沟道MOS场效应管5N60C为例，来详细介绍一下具体的测量方法。

1.N沟道MOS场效应管好坏的测量方法

2.用数字万用表二极管档正向测量5N60C的D-S两极。

测量5N60C好坏时，首先将万用表量程开关调至二极管档，将5N60C的G极悬空，用红黑表笔分别接触5N60C的D-S两极，若是好的管子，万用表显示为“OL”，即溢出（见上图）。

3.用数字万用表二极管档反向测量5N60C的D-S两极。

然后调换红黑表笔，再去测量D-S两极，则万用表显示的读数为一个硅二极管的正向压降（见上图）。

若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏，用二极管档测量时，万用表显示的读数接近于零。

4.用万用表的二极管档给5N60C栅源两极（G-S两极）之间的电容充电。对于N沟道MOS场效应管充电时，红表笔应接管子的G极，黑表笔接管子的S极。

在测量完5N60C的D-S两极，并且确实是好的之后，然后用二极管档给MOS场效应管的栅源两极之间的电容充电。

由于MOS场效应管的输入电阻在GΩ级（GΩ读作吉欧，1GΩ＝1000MΩ），数字万用表二极管档的开路测量电压约为2.8～3V，故用二极管档的测量电压给MOS场效应管的栅源两极之间的电容充电后，可以使MOS场效应管D-S两极之间的电阻变得很小，故用这个方法可以测量场效应管G-S两极之间是否损坏。

5.5N60C的G-S两极间的电容充电后，用电阻档实测D-S两极之间的正向电阻为155.4Ω。

6.用万用表电阻档实测5N60C的D-S两极之间的反向电阻为67.2Ω。

上面为一个好的N沟道MOS场效应管的测量数据。对于P沟道MOS场效应管的测量方法与上述测量一样，只是万用表表笔需要调换一下极性。

扩展资料：

mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压mos管。

场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。

最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

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