问 半导体行业发展历史

中国半导体发展自新中国发展以来，积累了数代人的心血。曾经的努力与挫折，既奠定上中国半导体工业的基础，又被先进国家拉大了距离。回头再看这一个个中国半导体产业留下的脚印，相信在新的时代，中国的半导体产业会有新的发展。 　 1947年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管，从而开创了人类的硅文明时代。1956年，我国提出“向科学进军”，根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业，共同培养第一批半导体人才。培养出了第一批著名的教授：北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元（北京大学微电子所所长）、工程院院士许居衍（华晶集团中央研究院院长）和电子工业部总工程师俞忠钰（北方华虹设计公司董事长）。 　 1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。 　 1958年，美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路（IC）之后，发展极为迅猛，从SSI（小规模集成电路）起步，经过MSI（中规模集成电路），发展到LSI（大规模集成电路），然后发展到现在的VLSI（超大规模集成电路）及最近的ULSI（特大规模集成电路），甚至发展到将来的GSI（甚大规模集成电路），届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。 1959年，天津拉制出硅（Si）单晶。 　 1960年，中科院在北京建立半导体研究所，同年在河北建立工业性专业化研究所――第十三所（河北半导体研究所）。 　 1962年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs），为研究制备其他化合物半导体打下了基础。 　 1962年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。 　 1963年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。 　 1964年，河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。 　 1965年12月，河北半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并在国内首先鉴定了DTL型（二极管――晶体管逻辑）数字逻辑电路。1966年底，在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。 　 1968年，组建国营东光电工厂（878厂）、上海无线电十九厂，至1970年建成投产，形成中国IC产业中的“两霸”。

收录机、电视、电脑等，还有不断研制出的许多电子产品已成为现代人生活中不可缺少的东西，可是大家知道吗？这些电子产品的成功研制，都和美国学家巴丁有关。因为巴丁发明了半导体晶体管，才使这些电子产品出现成为可能！

1908年巴丁出生于美国，少年时代学习很用功，16岁就考上了大学特别喜欢物理。早年他和另外两名科学家肖克莱和布拉登一起，共同研究半导体锗和硅的物理性质，在一次实验中，他在锗晶体上放置了一枚固定针和一枚探针，利用加上了负电压的探针来检查固定针附近的电位分布。当巴丁将探针向固定针靠近，距离为0.05mm处，突然发现改变流过控针的电流能够极大的影响流过固定针的电流。这一意外发现使他们意识到这个装置可以对电流起放大作用。于是三人通力合作，经过反复研制，终于在1947导发明了一种新的半导体元件——晶体管，取代了又大又笨又费电的电子管。同时引发了计算机革命，将最初楼房一样庞大的计算机缩小为台式电脑，且运算速度极大提高。这一成果立刻轰动了科学界。巴丁三人被称为电子技术劳动保险的杰出代表。由于这一贡献，巴丁、肖克莱、布拉登于1956年共同获得了诺贝尔物理学奖。

获奖同年，巴丁又开始向另一个科学高峰——超导理论攀登。当时，超导现象的研究是科学上的难题。巴丁与中年物理教师库柏、研究生施里弗共同开展艰苦的研究，经过多年探索，终于建立了超导理论。为纪念巴丁、库柏、施里弗三人的杰出贡献，后来称超导理论为BCS理论，（由三人姓名的第一个字母组成），而且于1972年他们三人共同获得诺贝尔物理学奖。巴丁在同一领域（固体物理）前后两次获得诺贝尔奖，这在历史上还是第一次。

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