1956年，我国提出“向科学进军”，根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业，共同培养第一批半导体人才。培养出了第一批著名的教授：北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元（北京大学微电子所所长）、工程院院士许居衍（华晶集团中央研究院院长）和电子工业部总工程师俞忠钰（北方华虹设计公司董事长）。
1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。
1958年，美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路（IC）之后，发展极为迅猛，从SSI（小规模集成电路）起步，经过MSI（中规模集成电路），发展到LSI（大规模集成电路），然后发展到现在的VLSI（超大规模集成电路）及最近的ULSI（特大规模集成电路），甚至发展到将来的GSI（甚大规模集成电路），届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。
1959年，天津拉制出硅（Si）单晶。
1960年，中科院在北京建立半导体研究所，同年在河北建立工业性专业化研究所――第十三所（河北半导体研究所）。
1962年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs），为研究制备其他化合物半导体打下了基础。
1962年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。
1963年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。
1964年，河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。
1965年12月，河北半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并在国内首先鉴定了DTL型（二极管――晶体管逻辑）数字逻辑电路。1966年底，在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。
1968年，组建国营东光电工厂（878厂）、上海无线电十九厂，至1970年建成投产，形成中国IC产业中的“两霸”。
1968年，上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属－氧化物半导体）电路（MOSIC）。拉开了我国发展MOS电路的序幕，并在七十年代初，永川半导体研究所（现电子第24所）、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后，又研制成CMOS电路。
七十年代初，IC价高利厚，需求巨大，引起了全国建设IC生产企业的热潮，共有四十多家集成电路工厂建成，四机部所属厂有749厂（永红器材厂）、871（天光集成电路厂）、878（东光电工厂）、4433厂（风光电工厂）和4435厂（韶光电工厂）等。各省市所建厂主要有：上海元件五厂、上无七厂、上无十四厂、上无十九厂、苏州半导体厂、常州半导体厂、北京半导体器件二厂、三厂、五厂、六厂、天津半导体（一）厂、航天部西安691厂等等。
1972年，中国第一块PMOS型LSI电路在四川永川半导体研究所研制成功。
最近这几年，全球的半导体市场中，竞争是比较激烈的，甚至已经对国家之间的竞争产生了不少的影响，而我国作为发展中国家，跟发达国家在半导体领域还有明显的差距，很多先进的技术国内还未掌握，所以，一定要加快半导体行业的发展，我们就来好好地了解一下国内半导体设备领域的龙头公司--北方华创。
在我们分析北方华创以前，我整理了一份半导体行业龙头股名单，现在和大家一起分享一下，感兴趣的朋友可以点击链接看一看：宝藏资料：半导体行业龙头股一览表
一、从公司角度来看
公司介绍：北方华创是国内半导体设备企业的领军企业，公司目前主营的内容有基础电子产品的研发、生产、销售和技术服务，主要产品有电子工艺装备和电子元器件。
各位把北方华创的公司情况掌握得差不多后，一起来看一看北方华创公司有什么不错的点，是否值得投资？
亮点一：成熟的技术体系
经过多年的发展，北方华创在电子工艺装备及电子元器件领域构建了坚实的技术基础，设立了高竞争力的产品体系，打造了专业的技术和管理团队，形成了较强的核心竞争能力。公司积累了大量的电子工艺装备及电子元器件核心技术，构成了以刻蚀技术、薄膜技术、清洗技术、精密气体计量及控制技术等为主要技术的核心体系，形成了行业先进的技术的基础优势，企业的技术创新能力得到强化，让公司在行业技术快速进步的市场竞争环境中，有足够的技术来应对。
亮点二：富有竞争力的产品体系
公司在新产品研发及其市场的开拓上屡创佳绩，已经建立妥当了产品体系，不光内容丰富而且也有竞争力，在半导体、材料生长及热处理、新能源、航空航天、铁路和船舶等领域得到实际应用。此外，公司所产的刻蚀机、氧化/扩散炉、退火炉、清洗机、外延设备等品类，都能够量产并且应用在集成电路及泛半导体领域，发展为国内主流的半导体设备供应商，有着突出的市场竞争力。
文章字数有限的原因，有关北方华创的更多深度报告和风险提示，我整理在这篇研报当中，点击即可查看：【深度研报】北方华创点评，建议收藏！
二、从行业角度来看
当前新一轮的半导体行业景气周期已经来临，但与庞大的市场需求不相匹配的是，目前我国半导体设备国产化率整体下降，现在国产代替市场空间广阔，而且与此同时设备行业也在产业链的上游，具备卖铲人效应，业绩兑现性相对较强。在接下来的发展阶段中，公司还能继续充分受益于设备国产替代进程。而且，在"高、精、尖"产业所需材料中居于核心地位的半导体，在经济转型升级过程中的地位越来越重要，是未来政策的倾斜方向，行业内的领军企业将会有很大的发展空间。
总而言之，我觉得作为国内半导体设备龙头企业的北方华创，在行业趋势的带头下，市场竞争力未来有望得到增强，并持续占据市场份额。但是文章的时效是有延迟的，要是想知道最准确的信息，可以点击下面链接，有专业的投顾帮你诊股，看下北方华创现在行情是否到买入或卖出的好时机：【免费】测一测北方华创还有机会吗？
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行业主要上市企业：目前国内第三代半导体行业的上市公司主要有华润微(688396)三安光电(600703)士兰微(600460)闻泰科技(600745)新洁能(605111)露笑科技(002617)斯达半导(603290)等。
定义
以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AIN)为代表的宽禁带半导体材料，被称为第三代半导体材料，目前发展较为成熟的是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。
与传统材料相比，第三代半导体材料更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件，因此，其为基础制成的第三代半导体具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的导热率，以及更强的抗辐射能力等诸多优势，在高温、高频、强辐射等环境下被广泛应用。
行业发展现状
1、产值规模逆势增长
随着5G、新能源汽车等市场发展，第三代半导体的需求规模保持高速增长。同时，中美贸易战的影响给国产第三代半导体材料带来了发展良机。2020年以来，在国内大半导体产业增长乏力的大背景下，我国第三代半导体产业实现逆势增长。
2021年我国第三代半导体产业电力电子和射频电子两个领域实现总产值达127亿元，较2020年增长20.4%。
其中SiC、GaN电力电子产值规模达58亿元，同比增长29.6%。GaN微波射频产值达到69亿元，同比增长13.5%，较前两年稍有放缓。
2、产能大幅增长但仍供应不足
根据CASA数据显示截至2020年底，我国SiC导电型衬底折算4英寸产能约40万片/年，SiC-on-SiC外延片折算6英寸产能约为22万片/年，SiC-onSiC器件/模块(4/6英寸兼容)产能约26万片/年。
GaN-on-Si外延片折算6英寸产能约为28万片/年，GaN-on-Si器件/模块折算6英寸产能约为22万片/年。
2021年，第三代半导体产能建设项目如火如荼开展，据CASA不完全统计，2021年大陆地区SiC衬底环节新增投产项目7项，披露新增投产年产能超过57万片。三安半导体、国宏中能、同光科技、中科钢研、合肥露笑科技等企业相继宣布进入投产阶段。此外，微芯长江、南砂晶圆、泽华电子三家宣布SiC项目工程封顶。
但随着新能源汽车、5G、PD快充等市场的发展，我国国产化第三代半导体产品无法满足庞大的市场需求，目前有超过八成产品以来进口。可见第三代半导体产品国产化替代空间较大。
3、电力电子器件市场规模超70亿元
2017-2021年，中国SiC、GaN电力电子器件应用市场快速增长。2021年我国SiC、GaN电力电子器件应用市场规模达到71.1亿元，同比增长51.9%，第三代半导体在电力电子领域渗透率超过2.3%，较2020年提高了0.7个百分点。
目前，GaN电力电子器件主要应用在快充领域。SiC电力电子器件重点应用于新能源汽车和充电桩领域。我国作为全球最大的新能源汽车市场，第三代半导体器件在新能源汽车领域的渗透快于整车市场，占比达57%PD快充占9%PV光伏占了7%。
2021年，我国GaN微波射频器件市场规模约为73.3亿元，同比增长11%。其中国防军事与航天应用规模34.8亿元，成为GaN射频主要拉动因素。
全国各地5G基站建设在近几年达到高峰，2021年无线基础设施是我国GaN微波射频器件的主要应用领域，占比约50%，其次为国防军事应用，市场占比约为43%。
更多本行业研究分析详见前瞻产业研究院《中国第三代半导体材料行业发展前景预测与投资战略规划分析报告》。
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