诺贝尔物理学奖的历年得主

年份获奖者国籍获奖原因1901年 威廉·康拉德·伦琴 德国 “发现不寻常的射线，之后以他的名字命名”

（即X射线，又称伦琴射线，并用伦琴做为辐射量的单位） 1902年 亨得里克·安顿·洛伦兹 荷兰 “关于磁场对辐射现象影响的研究”（即塞曼效应） 彼得·塞曼 荷兰 1903年 安东尼·亨利·贝克勒尔 法国 “发现天然放射性” 皮埃尔·居里 法国 “他们对亨利·贝克勒教授所发现的放射性现象的共同研究” 玛丽·居里 法国 1904年 约翰·威廉·斯特拉特 英国 “对那些重要的气体的密度的测定，以及由这些研究而发现氩”

（对氢气、氧气、氮气等气体密度的测量，并因测量氮气而发现氩） 1905年 菲利普·爱德华·安东·冯·莱纳德 德国 “关于阴极射线的研究” 1906年 约瑟夫·汤姆孙 英国 对气体导电的理论和实验研究 1907年 阿尔伯特·迈克耳孙 美国 “他的精密光学仪器，以及借助它们所做的光谱学和计量学研究” 1908年 加布里埃尔·李普曼 法国 “他的利用干涉现象来重现色彩于照片上的方法” 1909年 古列尔莫·马可尼 意大利 “他们对无线电报的发展的贡献” 卡尔·费迪南德·布劳恩 德国 1910年 范德华 荷兰 “关于气体和液体的状态方程的研究” 1911年 威廉·维恩 德国 “发现那些影响热辐射的定律” 1912年 尼尔斯·古斯塔夫·达伦 瑞典 “发明用于控制灯塔和浮标中气体蓄积器的自动调节阀” 1913年 海克·卡末林·昂内斯 荷兰 “他在低温下物体性质的研究，尤其是液态氦的制成”（超导体的发现） 1914年 马克斯·冯·劳厄 德国 “发现晶体中的X射线衍射现象” 1915年 威廉·亨利·布拉格 英国 “用X射线对晶体结构的研究” 威廉·劳伦斯·布拉格 英国 1917年 查尔斯·格洛弗·巴克拉 英国 “发现元素的特征伦琴辐射” 1918年 马克斯·普朗克 德国 “因他的对量子的发现而推动物理学的发展” 1919年 约翰尼斯·斯塔克 德国 “发现极隧射线的多普勒效应以及电场作用下谱线的分裂现象” 1920年 夏尔·爱德华·纪尧姆 瑞士 “推动物理学的精密测量的有关镍钢合金的反常现象的发现” 1921年 阿尔伯特·爱因斯坦 德国 “他对理论物理学的成就，特别是光电效应定律的发现” 1922年 尼尔斯·玻尔 丹麦 “他对原子结构以及由原子发射出的辐射的研究” 1923年 罗伯特·安德鲁·密立根 美国 “他的关于基本电荷以及光电效应的工作” 1924年 卡尔·曼内·乔奇·塞格巴恩 瑞典 “他在X射线光谱学领域的发现和研究” 1925年 詹姆斯·弗兰克 德国 “发现那些支配原子和电子碰撞的定律” 古斯塔夫·赫兹 德国 1926年 让·佩兰 法国 “研究物质不连续结构和发现沉积平衡” 1927年 阿瑟·康普顿 美国 “发现以他命名的效应”（康普顿效应） 查尔斯·威耳逊 英国 “通过水蒸气的凝结来显示带电荷的粒子的轨迹的方法” 1928年 欧文·理查森 英国 “他对热离子现象的研究，特别是发现以他命名的定律”（理查森定律） 1929年 路易·德布罗意公爵 法国 “发现电子的波动性” 1930年 钱德拉塞卡拉·文卡塔·拉曼 印度 “他对光散射的研究，以及发现以他命名的效应”（拉曼效应） 1932年 维尔纳·海森堡 德国 “创立量子力学，以及由此导致的氢的同素异形体的发现” 1933年 埃尔温·薛定谔 奥地利 “发现了原子理论的新的多产的形式”

（即量子力学的基本方程——薛定谔方程和狄拉克方程） 保罗·狄拉克 英国 1935年 詹姆斯·查德威克 英国 “发现中子” 1936年 维克托·弗朗西斯·赫斯 奥地利 “发现宇宙辐射” 卡尔·戴维·安德森 美国 “发现正电子” 1937年 克林顿·约瑟夫·戴维孙 美国 “他们有关电子被晶体衍射的现象的实验发现” 乔治·汤姆孙 英国 1938年 恩里科·费米 意大利 “证明了可由中子辐照而产生的新放射性元素的存在，

以及有关慢中子引发的核反应的发现” 1939年 欧内斯特·劳伦斯 美国 “对回旋加速的发明和发展，

并以此获得有关人工放射性元素的研究成果” 1943年 奥托·施特恩 美国 “他对分子束方法的发展以及有关质子磁矩的研究发现” 1944年 伊西多·艾萨克·拉比 美国 “他用共振方法记录原子核的磁属性” 1945年 沃尔夫冈·泡利 奥地利 “发现不相容原理，也称泡利原理” 1946年 珀西·威廉斯·布里奇曼 美国 “发明获得超高压的装置，并在高压物理学领域作出发现” 1947年 爱德华·维克托·阿普尔顿 英国 “对高层大气的物理学的研究，特别是对所谓阿普顿层的发现” 1948年 帕特里克·梅纳德·斯图尔特·布莱克特 英国 “改进威尔逊云雾室方法和由此在核物理和宇宙射线领域的发现” 1949年 汤川秀树 日本 “他以核作用力的理论为基础预言了介子的存在” 1950年 塞西尔·弗兰克·鲍威尔 英国 “发展研究核过程的照相方法，以及基于该方法的有关介子的研究发现” 1951年 约翰·道格拉斯·考克饶夫 英国 “他们在用人工加速原子产生原子核嬗变方面的开创性工作” 欧内斯特·沃吞 爱尔兰 1952年 费利克斯·布洛赫 美国 “发展出用于核磁精密测量的新方法，并凭此所得的研究成果” 爱德华·珀塞尔 美国 1953年 弗里茨·塞尔尼克 荷兰 “他对相衬法的证实，特别是发明相衬显微镜” 1954年 马克斯·玻恩 英国 “在量子力学领域的基础研究，特别是他对波函数的统计解释” 瓦尔特·博特 德国 “符合法，以及以此方法所获得的研究成果” 1955年 威利斯·尤金·兰姆 美国 “他的有关氢光谱的精细结构的研究成果” 波利卡普·库施 美国 “精确地测定出电子磁矩” 1956年 威廉·布拉德福德·肖克利 美国 “他们对半导体的研究和发现晶体管效应” 约翰·巴丁 美国 沃尔特·豪泽·布喇顿 美国 1957年 杨振宁 美国 “他们对所谓的宇称不守恒定律的敏锐地研究，

该定律导致了有关基本粒子的许多重大发现” 李政道 美国 1958年 帕维尔·阿列克谢耶维奇·切连科夫 苏联 “发现并解释切连科夫辐射” 伊利亚·弗兰克 苏联 伊戈尔·叶夫根耶维奇·塔姆 苏联 1959年 埃米利奥·吉诺·塞格雷 美国 “发现反质子” 欧文·张伯伦 美国 1960年 唐纳德·阿瑟·格拉泽 美国 “发明气泡室” 1961年 罗伯特·霍夫施塔特 美国 “关于对原子核中的电子散射的先驱性研究，

并由此得到的关于核子结构的研究发现” 鲁道夫·路德维希·穆斯堡尔 德国 “他的有关γ射线共振吸收现象的研究以及

与这个以他命名的效应相关的研究发现”（穆斯堡尔效应） 1962年 列夫·达维多维奇·朗道 苏联 “关于凝聚态物质的开创性理论，特别是液氦” 1963年 耶诺·帕尔·维格纳 美国 “他对原子核和基本粒子理论的贡献，

特别是对基础的对称性原理的发现和应用” 玛丽亚·格佩特-梅耶 美国 “发现原子核的壳层结构” J·汉斯·D·延森 德国 1964年 查尔斯·汤斯 美国 “在量子电子学领域的基础研究成果，

该成果导致了基于激微波－激光原理建造的振荡器和放大器 尼古拉·根纳季耶维奇·巴索夫 苏联 亚历山大·普罗霍罗夫 苏联 1965年 朝永振一郎 日本 “他们在量子电动力学方面的基础性工作，

这些工作对粒子物理学产生深远影响” 朱利安·施温格 美国 理查德·菲利普·费曼 美国 1966年 阿尔弗雷德·卡斯特勒 法国 “发现和发展了研究原子中赫兹共振的光学方法” 1967年 汉斯·阿尔布雷希特·贝特 美国 “他对核反应理论的贡献，特别是关于恒星中能源的产生的研究发现” 1968年 路易斯·沃尔特·阿尔瓦雷茨 美国 “他对粒子物理学的决定性贡献，特别是因他发展了

氢气泡室技术和数据分析方法，从而发现了一大批共振态” 1969年 默里·盖尔曼 美国 “对基本粒子的分类及其相互作用的研究发现” 1970年 汉尼斯·奥洛夫·哥斯达·阿尔文 瑞典 “磁流体动力学的基础研究和发现，

及其在等离子体物理学富有成果的应用” 路易·奈耳 法国 “关于反铁磁性和铁磁性的基础研究和发现以及

在固体物理学方面的重要应用” 1971年 伽博·丹尼斯 英国 “发明并发展全息照相法” 1972年 约翰·巴丁 美国 “他们联合创立了超导微观理论，即常说的BCS理论” 利昂·库珀 美国 约翰·罗伯特·施里弗 美国 1973年 江崎玲于奈 日本 “发现半导体和超导体的隧道效应” 伊瓦尔·贾埃弗 挪威 布赖恩·戴维·约瑟夫森 英国 “他理论上预测出通过隧道势垒的超电流的性质，

特别是那些通常被称为约瑟夫森效应的现象” 1974年 马丁·赖尔 英国 “他们在射电天体物理学的开创性研究：赖尔的发明和观测，

特别是合成孔径技术；休伊什在发现脉冲星方面的关键性角色” 安东尼·休伊什 英国 1975年 奥格·尼尔斯·玻尔 丹麦 “发现原子核中集体运动和粒子运动之间的联系，

并且根据这种联系发展了有关原子核结构的理论” 本·罗伊·莫特森 丹麦 利奥·詹姆斯·雷恩沃特 美国 1976年 伯顿·里克特 美国 “他们在发现新的重基本粒子方面的开创性工作” 丁肇中 美国 1977年 菲利普·沃伦·安德森 美国 “对磁性和无序体系电子结构的基础性理论研究” 内维尔·莫特 英国 约翰·凡扶累克 美国 1978年 彼得·列昂尼多维奇·卡皮查 苏联 “低温物理领域的基本发明和发现” 阿尔诺·艾伦·彭齐亚斯 美国 “发现宇宙微波背景辐射” 罗伯特·伍德罗·威尔逊 美国 1979年 谢尔登·李·格拉肖 美国 “关于基本粒子间弱相互作用和电磁相互作用的统一理论的，

包括对弱中性流的预言在内的贡献” 阿卜杜勒·萨拉姆 巴基斯坦 史蒂文·温伯格 美国 1980年 詹姆斯·沃森·克罗宁 美国 “发现中性K介子衰变时存在对称破坏” 瓦尔·洛格斯登·菲奇 美国 1981年 凯·西格巴恩 瑞典 “对开发高分辨率电子光谱仪的贡献” 尼古拉斯·布隆伯根 美国 “对开发激光光谱仪的贡献” 阿瑟·肖洛 美国 1982年 肯尼斯·威尔逊 美国 “对与相转变有关的临界现象理论的贡献” 1983年 苏布拉马尼扬·钱德拉塞卡 美国 “有关恒星结构及其演化的重要物理过程的理论研究” 威廉·福勒 美国 “对宇宙中形成化学元素的核反应的理论和实验研究” 1984年 卡洛·鲁比亚 意大利 “对导致发现弱相互作用传递者，场粒子W和Z的大型项目的决定性贡献” 西蒙·范德梅尔 荷兰 1985年 克劳斯·冯·克利青 德国 “发现量子霍尔效应” 1986年 恩斯特·鲁斯卡 德国 “电子光学的基础工作和设计了第一台电子显微镜” 格尔德·宾宁 德国 “研制扫描隧道显微镜” 海因里希·罗雷尔 瑞士 1987年 约翰内斯·贝德诺尔茨 德国 “在发现陶瓷材料的超导性方面的突破” 卡尔·米勒 瑞士 1988年 利昂·莱德曼 美国 “中微子束方式，以及通过发现 子中微子证明了轻子的对偶结构”梅尔文·施瓦茨 美国施泰因贝格尔 美国 1989年 诺曼·拉姆齐 美国 “发明分离振荡场方法及其在氢激微波和其他原子钟中的应用” 汉斯·德默尔特 美国 “发展离子陷阱技术” 沃尔夫冈·保罗 德国 1990年 杰尔姆·弗里德曼 美国 “他们有关电子在质子和被绑定的中子上的深度非d性散射的开创性研究，这些研究对粒子物理学的夸克模型的发展有必不可少的重要性” 亨利·肯德尔 美国 理查·泰勒 加拿大 1991年 皮埃尔-吉勒·德热纳 法国 “发现研究简单系统中有序现象的方法可以被推广到比较复杂的

物质形式，特别是推广到液晶和聚合物的研究中” 1992年 乔治·夏帕克 法国 “发明并发展了粒子探测器，特别是多丝正比室” 1993年 拉塞尔·赫尔斯 美国 “发现新一类脉冲星，该发现开发了研究引力的新的可能性” 约瑟夫·泰勒 美国 1994年 伯特伦·布罗克豪斯 加拿大 “对中子频谱学的发展，以及对用于凝聚态物质研究的

中子散射技术的开创性研究” 克利福德·沙尔 美国 “对中子衍射技术的发展，

以及对用于凝聚态物质研究的中子散射技术的开创性研究” 1995年 马丁·佩尔 美国 “发现τ轻子”，以及对轻子物理学的开创性实验研究 弗雷德里克·莱因斯 美国 “发现中微子，以及对轻子物理学的开创性实验研” 1996年 戴维·李 美国 “发现了在氦-3里的超流动性” 道格拉斯·奥谢罗夫 美国 罗伯特·理查森 美国 1997年 朱棣文 美国 “发展了用激光冷却和捕获原子的方法” 克洛德·科昂-唐努德日 法国 威廉·菲利普斯 美国 1998年 罗伯特·劳夫林 美国 “发现了电子在强磁场中的分数量子化的霍尔效应” 施特默德国 崔琦 美籍华人 1999年 杰拉德·特·胡夫特 荷兰 “阐明物理学中弱电相互作用的量子结构” 马丁纽斯·韦尔特曼 荷兰 2000年 若雷斯·阿尔费罗夫 俄罗斯 “发展了用于高速电子学和光电子学的半导体异质结构” 赫伯特·克勒默 德国 杰克·基尔比 美国 “在发明集成电路中所做的贡献” 2001年 埃里克·康奈尔 美国 “在碱性原子稀薄气体的玻色-爱因斯坦凝聚态方面取得的成就，

以及凝聚态物质属性质的早期基础性研究” 卡尔·威曼 美国 沃尔夫冈·克特勒 德国 2002年 雷蒙德·戴维斯 美国 “在天体物理学领域做出的先驱性贡献，尤其是探测宇宙中微子” 小柴昌俊 日本 里卡尔多·贾科尼 美国 “在天体物理学领域做出的先驱性贡献，这些研究导致了宇宙X射线源的发现” 2003年 阿列克谢·阿布里科索夫 俄罗斯 “对超导体和超流体理论做出的先驱性贡献” 维塔利·金兹堡 俄罗斯 安东尼·莱格特 英国 2004年 戴维·格罗斯 美国 “发现强相互作用理论中的渐近自由” 戴维·普利策 美国 弗朗克·韦尔切克 美国 2005年 罗伊·格劳伯 美国 “对光学相干的量子理论的贡献” 约翰·霍尔 美国 “对包括光频梳技术在内的，基于激光的精密光谱学发展做出的贡献，” 特奥多尔·亨施 德国 2006年 约翰·马瑟 美国 “发现宇宙微波背景辐射的黑体形式和各向异性” 乔治·斯穆特 美国 2007年 艾尔伯·费尔 法国 “发现巨磁阻效应” 彼得·格林贝格 德国 2008年 小林诚 日本 “发现对称性破缺的来源，并预测了至少三大类夸克在自然界中的存在” 益川敏英 日本 南部阳一郎 美国 “发现亚原子物理学的自发对称性破缺机制” 2009年 高锟 英国 “在光学通信领域光在纤维中传输方面的突破性成就” 威拉德·博伊尔 美国 “发明半导体成像器件电荷耦合器件” 乔治·史密斯 美国 2010年 安德烈·海姆 俄罗斯 “在二维石墨烯材料的开创性实验” 康斯坦丁·诺沃肖洛夫 俄罗斯 2011年 布莱恩·施密特 澳大利亚 “透过观测遥距超新星而发现宇宙加速膨胀” 亚当·里斯 美国 索尔·珀尔马特 美国 2012年 塞尔日·阿罗什 法国 “能够量度和 *** 控个体量子系统的突破性实验手法” 大卫·维因兰德 美国 2013年 彼得·希格斯 英国 对希格斯玻色子的预测 弗朗索瓦·恩格勒 比利时 2014年赤崎勇日本发明“高亮度蓝色发光二极管”天野浩日本中村修二美国2015年梶田隆章日本他们发现中微子振荡现象，该发现表明中微子拥有质量。阿瑟·B·麦克唐纳加拿大注：1962年的颁奖式因为列夫·达维多维奇·朗道的身体原因而改在莫斯科举行，由瑞典驻苏联大使代表国王授奖。

半导体工业是电子工业的一个分支，本质上仍然是制造业。与网路产业不同的是，半导体产业仍然需要制造设备和工厂，有特定的产品要生产，并且需要设计、生产、包装、测试和销售。简单来说，整个产业链分为三大环节：上游公司定义与设计 芯片 、中流晶片制造芯片、下游厂商将芯片应用于个人电脑、手机等领域。

       产业链的上游是电子自动化设计(EDA)软件供应商和集成电路设计公司。EDA主要有三家Synopsys、Cadence和Mentor，公司在不同领域的专业知识，但业务也是交叉的，国内厂商有华达九天。设计公司有英特尔、高通、联发科技、博通等，国内设计公司有华为海斯、紫光占瑞和惠定科技等。

图1半导体产业链上游企业

        产业链的中间环节是由许多以晶圆制造商为核心的企业组成的。知名的晶片制造商包括英特尔、三星、台积电、格罗芬德和中芯国际，它们需要从设备制造商那里购买设备。此外，亦有需要向其他原料制造商购买制造晶片所需的消耗品。所购设备主要包括光刻机、蚀刻设备和沉积设备；采购的原材料主要包括单晶硅、光刻胶、湿式电子化学品、特种气体等。芯片生产完成后，将交给封装测试制造商对芯片进行测试和封装。包装企业是具有代表性的月光、安全和国内长期动力技术，通福微动力和天水华天。

图二：产业链中游企业

        下游企业是联系最广泛的公司，包括移动电话制造商苹果、三星、华为、特斯拉和比亚迪在汽车领域，联想和惠普在个人电脑领域。此外，还有物联网、医疗电子等应用。

图3：下游企业、芯片应用和具有代表性的公司

        半导体行业设备的头等大事，芯片节电的速度取决于工艺，工艺取决于设备。

        一、摩尔定律接近极限，集成电路技术成熟，产业成熟，成本和服务将决定成熟产业的核心竞争力。

       迈克尔·波特指出，在产业成熟的过程中，成本和服务将成为产业的核心竞争力。

       英特尔(Intel)联合创始人戈登·摩尔(GordonMoore)在1965年提出，当价格保持不变时，集成电路类的元件数量将每18至24个月翻一番，性能将翻一番。简单地说，在大约两年的时间里，消费者将能够以同样的价格购买性能是现在的两倍的芯片。在过去的40年里，集成电路工业的发展一直遵循摩尔定律，但它不可能永远持续下去。近年来，技术更新周期有所放缓。

图4摩尔定律预测了每个集成电路的晶体管数目。

       可以观察到，台积电2011年生产28 nm、2015年生产16 nm、2018年量产7 nm、20 nm和12 nm 10 nm以及其他升级的过度生产工艺。先进的工艺更新周期已经从最初的18个月减缓到2年，现在已经放缓到3年左右，未来5 nm甚至3 nm的更新周期可能会更长。

       直到2000年，在光刻市场上有三家供应商，即尼康、佳能和阿斯梅尔。目前，ASMAI家族是唯一留在20 nm的公司，另外两家由于研发和利润压力而放弃最新光刻技术的开发。其余的Asmae占光刻市场的80%。

图5：半导体工艺已慢慢接近物理极限

       这些迹象表明，集成电路制造工艺的进步越来越困难，集成电路产业正在从成长性向成熟性转变。在成熟的产业过程中，成本和服务将成为产业的核心竞争力。

       以成熟的传统汽车工业为例。2004年，该波导从南汽集团撤出。一年前，该公司获得了超过1亿元人民币的58股股份，以控制南汽集团无锡汽车车身有限公司。前后一年左右的对比如此之大，正是由于产业竞争策略的制定错误。不可否认，在2004年左右，中国的汽车工业仍然是一个积极的行业，而且这个行业已经以惊人的速度发展。我国庞大的人口和潜在的巨大需求一直是支撑着工业发展的巨大推动力，在一个快速增长的工业中。一个企业只需要伴随着工业的进步就行了，不需要太多的努力。这也许是《波导》进入汽车行业的原因，但随着汽车行业竞争的升温，无论是美国汽车巨头通用汽车和福特，还是德国大众和奔驰，以及日本的丰田和本田汽车，他们关注成本优势，同时也关注本土汽车企业，他们在中国市场上的竞争加剧，这减少了中国汽车行业巨大利润的泡沫。对于当时的汽车工业企业来说，汽车工业增长缓慢，客户多年来积累的知识和经验，以及更为成熟的技术，带来的结果是，竞争趋势变得更加注重成本和服务。这一发展改变了市场对企业在该行业取得成功的需求。

       这与过去三四十年来集成电路的发展非常相似，芯片的性能主要取决于设计技术和制造技术。在过去的二十年里，芯片随着制造技术的进步而不断进步，而设计技术并没有得到很大的更新。PC芯片仍然是以Intel公司为主导的X86体系结构，而复杂计算机指令集的CISC迁移则是由ARM体系结构主导的。采用精简的计算机指令集(RISC)。制造技术依赖于制造设备的技术进步，现在设备的进步已经接近半导体的物理极限。据专家预测，半导体芯片制造工艺的物理极限为2~3 nm。摩尔定律似乎是十年来唯一可以再做的事情&现状；生存与现状；。

       缓慢的增长、更多的知识客户和更先进的技术已经导致了竞争趋势变得更加以成本为导向和服务为导向。随着产品标准化、成本和技术成熟度的日益重视，产业转型往往出现明显的国际竞争。

      在国际竞争中，国内企业的劣势在于起步较晚，但从后来的分析中我们可以看出，企业之间的差距正在逐年缩小。现在差距大约是2 - 3年。优点是（1）低。研发成本，制造成本和技术支持成本（2）所有研发人员和技术支持人员均在中国，可以提供更及时，更低成本的现场技术支持。 （3）研发人员更贴近国内市场，了解客户需求，并提供定制服务

       1。成本优势：国内企业在研发成本和原材料成本方面具有绝对的竞争优势。

      所有国际设备制造商都在中国设有办事处。他们主要负责各种生产线的设备销售和技术支持工作。它们不涉及研发和制造。众所周知，信息和通信技术行业的硕士学位毕业生每年在家领取20万至40万元人民币。在美国等发达国家，这一数字将增至80,000美元至100,000美元，是国内水平的两倍以上。设备巨头asml每年的营收占总收入的10%至15%。近年来，由于进程日益先进，这一数字有所增加。生产中原材料的成本占经营成本的50<垃圾&GT-60<垃圾&GTlt垃圾&GT想到未来在设备更新缓慢，我们在人为研发成本上的绝对成本优势，和原材料价格，当国内半导体设备会发光。

      2。服务优势：国内企业可提供更完善、更方便的现场技术支持，增加客户粘性。

       外资企业的高服务成本已成为国内企业的共识。在这方面，国内企业可以依靠本地优势，提供更及时、更低的售后服务费用，以改善下游客户对公司的粘度和满意度。今后，公司应在不断拓展市场的基础上，努力构建和完善大客户的服务体系。具体措施包括为特定重点客户量身定制服务方案，在国内集成电路产业集中的地区建立综合工艺和技术支持中心，以及人员和技术的快速反应。为客户提供更完善、更方便、更及时的增值服务等。

       在行业竞争需要密集的本地化营销服务或密集的客户交易的市场中，全球公司将难以在综合的全球基础上与本地竞争者竞争。虽然全球公司在分散的单位中为客户提供服务，但在实施过程中，管理任务非常庞大，但本地公司对客户服务请求的响应能力更强。

       3.市场优势：研发人员更贴近国内市场，了解客户需求，提供定制化服务。

       先进的工艺不能由设备制造商单独完成，而是设备和制造商联合研发的结果。国内设备的研发人员在国内，国际制造商不能这样做。除了提供技术支持外，国际制造商的技术支持人员还需要将遇到的问题发送给公司的研发人员进行改进。优化设备.所以我们往往更贴近国内的客户，更了解国内生产线的客户需求。

二、新型合作竞争关系

      值得注意的是，传统的企业竞争模型只提到了企业与五种力量之间的竞争，而没有考虑到企业与五种力量之间的合作。在某些环境中，这些企业既有竞争关系，也有合作关系。如果一种产品或服务能使另一种产品或服务更具吸引力，那么就可以称之为互补产品或服务，两个企业之间的关系已经从竞争转变为合作。如何区分两个企业是否形成了合作与竞争的关系？一般来说，如果顾客同时拥有两家公司的产品比同时拥有一家公司的产品获得更多的价值或更少的成本，那么这两家公司就是互补的。

      成功的例子包括：汽车在上个世纪是一种昂贵的产品，而消费者想要购买汽车时却没有足够的现金。目前，银行信贷机构已成为企业公司的补充，后者向消费者提供贷款，并为他们购买汽车提供资金。但是汽车贷款并不容易获得，因此通用汽车公司在1919年创立了通用汽车公司，福特公司在1959年成立了福特银行，以使消费者更容易获得贷款。这样做的好处是显而易见的：方便的贷款是人们可以购买更多的汽车，而对汽车的需求的增长促进了福特和通用汽车的贷款业务。

       即使处于互补竞争关系的两家公司技术落后，它们也会获得一定的优势。没有合作伙伴的人如果拥有技术优势，就不一定会成功。例如，索尼于1975年推出了Betamax格式录像机。它曾经是电视录制领域的主导者。在美国多久，日本JVC开发了VHS格式录像机。尽管Betamax在技术的某些方面比VHS更强大，但Betamax格式录像机可以租用的电影数量太少，最终丢失，市场份额占JVC的60％。

        国产设备+中鑫国际华润设备与中国合作，为进一步赢得国际市场打下基础

       amat通过与台积电、英特尔和其他晶圆工厂的合作取得了技术突破。国内企业可以与中芯国际紧密合作，共同促进国内设备的发展。例如，中芯国际和北方的中国创都是国内公司。要在国际市场上发挥更大的作用，就必须相互支持、相互帮助。北芳华可以为中心提供低成本的设备和更好的服务。反过来，中芯国际稳定的制造过程可以给Beifanghua带来产品验证支持和广告效果（高品质客户的身份也可能带来广告效果，使公司销售设备，这对半导体设备来说应该是昂贵的。因此，晶圆制造商倾向于选择那些在扩大生产线方面已经得到国际制造商验证的设备公司。

       目前，一些设备制造商与中芯国际的合作并不局限于设备的验证阶段。为了加快半导体生产线的国产化和替代进程，上下游厂商开始在早期研发过程中进行合作。正是在中芯国际等晶圆厂的大力帮助下，国产设备才能在短期内实现多项技术突破，进入国内先进晶圆厂乃至国际制造商的供应链系统。加快设备国产化和更新换代进程。

        三是以历史为镜，把握产业转移的大趋势，规划新的市场。

应用材料（AMAT）

       回顾AMAT增长的历史，从1972年纳斯达克上市开始，收入为630万美元，市值仅为300万美元，而52年后，今天的收入为170亿美元，市值超过410亿。 AMAT在此过程中经历了四个主要阶段：启动期，增长期，并购调整期和研发领导期。其中，确定其生存，生存和大发展的时期是前两个时期。

       （1）在最初阶段，从1967年到1979年，Amat的主要业务是向半导体制造商提供他们所需的原材料。然而，由于产品种类繁多，Amat一度濒临破产。1977年，新上任的首席执行官Morga进行了一系列激烈的改革，精简了生产线，关闭或出售了一些部门，并集中精力生产半导体设备。这些措施效果明显，企业在危机中幸免于难。

       （2）增长时期：1979-1996年，1970年代，全球半导体工业开始向美国以外的市场转移，首先是日本，然后是韩国和台湾。1977年，Morga决定搭乘参加日本半导体设备展览会后返回的飞机进入日本市场。此后，分别于1985年和1989年在韩国和台湾设立了办事处。该公司过去20年的全球布局使其在1996年实现了41.15亿美元的收入。

       泛林集团(Lrcx)也有前瞻性的眼光，全球新兴市场的布局。

       大卫·K·林，一位工程师，成立于1980年，由英特尔的鲍勃·诺伊斯资助。第一台设备于1982年售出，该公司于1984年在纳斯达克首次公开募股(IPO)。目前，总市值接近300亿美元，2018年的收入为48亿美元。

       它没有经历与代工半导体市场相同的竞争。在其创立的第一年，它吸引了80万美元的投资。在第三年，它有稳定的现金流。它诞生于20世纪80年代，正处于将半导体市场从美国转移到海外的阶段。除了LAM当时在半导体设备行业中具有很强的竞争力之外，其成功还归功于20世纪80年代日本半导体行业对设备的巨大需求。当时，除个人电脑外，还使用半导体产品，以及移动电话，立体声系统（功率放大器），汽车和电话。

      事情并不总是顺利的。在80年代中后期，林正处于一个艰难的时期，尽管半导体设备的市场需求持续增长，但日本企业从技术引进、消化吸收等方面逐渐增强。日本从70年代末的零开始，到80年代中期已经占到全球设备销售额的50%。后来，美国半导体设备公司进行了业务重组等改革，提高了生产效率，并更加注重大容量设备的开发，更注重研究专利技术的发展。

       当时，前瞻性的林氏管理层注意到新兴小市场的销售增长。从1980年代末到1990年代初，它开始了更广泛的全球布局。这一时期的重点是环太平洋和欧洲市场。海外收入占50%以上。日本住友金属工业有限公司。。。（smi）联合开发蚀刻机器，建立了一个完整的子公司：lam技术中心；1980年代中期，在台湾和韩国建立了客户支持中心；直到1990年代初，lam在中国、马来西亚和以色列也看到了增长的机会。并考虑建立研发中心。

值得借鉴的经验有：

1。战略遵循产业转移进行全球布局

        巨人的成长离不开两种产业转移。上世纪七、八十年代，日本在工业DRAM产品的高可靠性和美国的技术支持下取得了飞速发展，占DRAM市场的近80%，占半导体市场的近50%。另一次是在上世纪八九十年代，韩国通过引进技术成为个人电脑DRAM的主要供应商，而台湾则在垂直分工领域的晶片合约制造和芯片封闭测试方面处于领先地位。

 2.与新兴市场的当地企业和大学建立合作伙伴关系

        Amat在日本、韩国、台湾、东南亚和欧洲建立了广泛的公司和机构，抢占市场第一。在大学方面，我们与新加坡科技局投资了多个研发实验室，并与亚利桑那州立大学联合开发了用于柔性显示器的薄膜晶体管技术。在企业方面，2001年，我们共同研究了使用黑钻石方案来突出0.1um晶体管，并推动了0.13um芯片的技术节点。2003年，ARM与台积电共同开发了90nm低功耗芯片设计技术，使总功耗降低了40%。

        林书豪与清华大学合作设立了泛森林小组清华大学微电子论文奖，捐赠了实验室设备，并提供了就业机会。

iv。政府、财政支援及税务宽减，三管齐下

       落后是要克服的，现在的理解是，在电子信息技术领域，落后受到技术封锁和国家安全的威胁。如果一个国家想被喉咙挡住，它就必须发展关键技术，而不是被其他国家控制。近年来，我国在应用领域取得了巨大的成就。20多年来，以BAT为代表的企业引领了科学技术的发展趋势，但在基础科学领域，我们还没有实现核心芯片技术的自我完善。包括设计和制造领域，而制造领域的成功取决于设备。

        政策支持反映了该行业的重要性，国家必须以坚定的决心发展半导体产业

       政府对半导体工业的政策支持正在增加。今年3月，在第十三届全国人民代表大会第一次会议上，李总理根据“02专项”、“国家集成电路产业发展促进计划”等重大政策，在讨论实体经济发展问题时，把集成电路产业放在实体经济第一位。在政府工作报告中。3月底，财政部发布了《关于IC厂商企业所得税政策的通知》，给予IC企业税收优惠，表明了政府对半导体产业发展的坚定态度。

图5：政府对半导体行业的支持政策

      二期大型基金即将募集，全国产业基金总额突破万亿元。计划一期，大型基金募集资金1000亿元，实际募集资金1387亿元，实际投资超过1000亿元。此外，这只大型基金还投资了3600亿多家地方工业基金。总计5000亿元的半导体产业基金，以较高的资本投入，为半导体产业的发展提供了有力的支持。目前，第二阶段的大型基金正在设立，并将在年底前完成。预计将筹集1，500亿至2，000亿美元(一些外国媒体也透露，筹资额可能达到3，000亿美元)。按1：3的比例计算，二期大型基金还将举债4500亿至6000亿元地方产业基金，国家半导体产业基金总额突破万亿元。作为中国最有希望承担替代中国制造半导体设备任务的企业，微电子、上海微电子、北方华昌等企业必将充分受益于政府对该行业的支持红利。

      财政部、国家税务总局、科技部联合在财政部网站上出台新政策，扣除研发费用，研发费用税前扣除比例由50%提高到75%。同时，将原科技企业的扣除范围扩大到所有企业。利润增幅最大的企业主要集中在机械、计算机、电子元器件等行业。事实上，在一些行业，特别是集成电路行业，每年的研发成本、研发开支甚至占营运收入的一半以上，而增加研发开支的税前扣减比例，无疑会释放减税的红利。

5.设备行业继续强劲增长，晶圆厂建设高峰期导致设备需求增加。

       设备制造商位于半导体产业链上游，为生产线提供晶圆制造设备。2017年，全球半导体设备市场销售额达到492.4亿美元，年均增长率稳定在10%以上。从2016年到2020年，全球共建成62家晶圆厂。此外，中国正在建设和规划26家12英寸晶圆厂，占世界的42%。因此，近年来，我国工厂建设出现了小高峰，设备需求巨大，国际企业设备产量有限，这是扩大市场份额的好时机。

全球半导体市场销售额

         2017年全球半导体设备市场销售额达到492.4亿美元。2016年至2020年，陆续建成62座晶圆工厂。设备销售年均增长率超过100亿。近年来对设备的需求将达到一个小高峰。

图六：全球半导体市场销售及其增长率

        从国内实际市场看，从2018年到2020年，国产设备企业每年仍有500亿至70亿美元的潜在市场份额。

       从国内市场来看，国内市场销售额从2013年开始持续增长，年增长率保持在20％以上，远远超过国际市场10％以上的增速。 2016年至2020年，中国将有26家晶圆厂，将建成并投入生产，占全球在建晶圆厂数量的42％，成为全球新晶圆厂最活跃的地区。另外，从国内市场的设备销售比例可以看出，这个数字正在缓慢而稳步上升。 2016年，中国半导体设备市场规模为64.6亿美元，2017年销售额为82.3亿美元。据SEMI称，2018年将达到113亿。在过去三年中，每年的增长率接近30％。

       购买新晶圆厂设备的费用将占生产线的70%，其余为基础设施费用。从2016年到2018年，8至12个12英寸晶圆厂正在建设中。根据Semi对2018年100亿美元设备市场的预测，晶圆制造工艺占80%，光刻机占制造工艺的30%。剩余的市场是国内潜在的国产设备总市场，100-80%(1-30%)=56亿。据推测，从2018年到2020年，每年仍有50亿至70亿美元的潜在市场份额。

图七：半导体设备在国内市场的销售和增长情况

       近几年国内装备技术进步与市场对装备的强劲需求

       国内设备凭借深厚的技术积累填补了国内半导体设备领域的一些技术空白，产品已能够满足12英寸、90~28 nm工艺生产线的生产要求，部分设备批量进入中芯国际等国内主流集成电路生产线进行批量生产。展望未来2-3年，设备需求将迎来2019年90/65/55/40 nm工艺生产线设备采购高峰。而国内仓储企业将在2020年前后扩大生产设备采购高峰。

图8：国内建造/正在建造的晶圆生产线

量子计算是当之无愧的次世代计算技术，凭借着量子的不确定性，量子计算有着超越现代计算机数十倍的计算能力，它也是无数公司学者渴求的科研明珠。

尽管第一台商用量子计算机已经于2011年发布，但是严格来说这还算不上真正意义的通用量子计算机，只是能用一些量子力学方法解决特殊问题的机器。

那么量子计算技术离我们究竟还有多远呢？

近日，据外媒报道，IBM人工智能和量子计算副总裁Dario Gil和前IBM研究员Chad Rigetti给出了一个时限，距离量子计算来到我们的世界。

“（量子计算）产生的解决方案比你能做到的更好，更快或更便宜，”Rigetti说：“量子计算已经从研究领域转移到现在的工程学科和工程企业。”

考虑到IBM已经研究量子计算领域超过30年，也已经投入数十亿美元的研发资金，他们对于量子计算的判断还是有一定参考价值的。

实际上，我国在量子计算领域也走在世界前列，目前国内正在建设一个价值100亿美元的安徽省国家量子信息实验室，该实验室与上海接壤，计划于今年开放

量子技术离我们有多远？根本不远！

1982年

美国著名物理学家理查德首次提出利用量子体系实现通用计算的新奇想法

1985年

英国物理学家大卫·杜斯提出了量子图灵机模型，量子计算机概念正式诞生

2016年

我大中华的墨子号卫星上天，这是中国首个量子卫星，也是世界的第一个量子卫星。

2019年

谷歌在《自然》杂志发布研究论文，宣布在量子计算领域取得重大突破，实现了“量子霸权”

发展前景

按照目前的发展状态，我相信，十年之内，量子技术将会应用于军方，得益于量子通信的高度保密性，有了量子技术的军队将如虎添翼。

20年左右，我相信量子技术可以实现民用，到时候，我们的计算机，手机，都是应用了量子技术的，什么大型3D 游戏 ，什么烧显卡的 *** 作，都是浮云，即使像现在炒得火热的比特币，一台量子计算机轻轻松松就可以把比特币挖玩。其计算能力是普通计算机是几千几万倍还不止。

你好，量子技术离我们并不遥远，中国已经发射了世界第一颗量子卫星，主要用于通讯，犹豫量子纠缠，量子卫星所发出的信号不会被任何设备拦截或干扰，安全性满分，相信用不了几年，量子信号传输会在普遍性的出现在人们日常生活中信号传输，网络支付，银行等领域普遍出现。

这个还是挺远的，量子计算机技术目前还只能停留在实验室的高压低温环境中，利用高能激光来控制量子运动和状态，装置体积巨大，如果比喻的话，可能就像是当初诞生的埃尼阿克吧。而且现在量子计算机能够实现的功能还很少，可以在有限的条件下进行有限的计算，当然这些肯定是可以在几年之内丰富起来的，不过体积和功耗问题一时解决不了，所以目前提供量子研究的公司都使用云解决问题，利用云接入手段帮助不具备条件的个人或团体进行量子计算机相关实验。

这个要靠科学家们了

想象有多远就有多远，同样有多近，关键是现实能不能接受[呲牙]

量子技术一直存在我们身边，你用的手机，半导体的单向导电就是一种量子现象。我们现在正在寻找稳定的多状态量子现象，一般的说量子计算机，大多数是模拟状态，真正的量子计算机，需要物质有三个以上的状态，并且这些状态可以稳定测量。手机里的半导体芯片只有两个状态。

我个人以为。有可能在现在半导体硅的基础上，通过掺杂或者定向生长，实现硅半导体的各项异性，即可实现量子计算。

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