中心针电镀膜厚分布

中心针电镀膜厚分布为1到3微米。镍层较厚，要起阻挡层作用。镀的方法上有电镀和EN镀，镀层表面质量不一样。分立半导体器件的电镀一般采用纯锡或锡基和金电镀，这几年由于欧洲RoHS指令生效，纯锡电镀较为流行。纯锡电镀有Wisker的问题，镀层厚度的最小值要求超过8微米。

中心针是与ID信息存储芯片相连，那个芯片是一个单线只添加EPROM芯片，内部存有适配器的ID,功率等信息，仅通过一条信号线和一条地线实现数据串行传输，读取数据时电压不得超过6伏，编程时要求电压12伏，看下和它相连的电阻和一个稳压管有没有坏，它坏了没法冲电，但按F3可以进入系统，CPU降频使用，

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