EDS、EDX和EDXRF有什么区别

一、EDS是利用不同元素的X射线光子特征能量不同进行成分分析，EDX是借助于分析试样发出的元素特征X射线波长和强度实现的，这两者的结构完全不同。

EDS能量色散谱仪，按能量展谱，主要器件为Li-Si半导体探测器.主要利用X光量子的能量不同来进行元素分析。

EDX：Energy Dispersive X-Ray Fluoresence Spectrometer 能量色散X射线光谱仪。

两者联系：都是一种测试仪器。

二、ED-XRF是EDX的一种，ED-XRF即能量色散型X射线荧光光谱仪。

X射线荧光光谱仪是基于偏振能量色散X荧光光谱仪（ED－XRF）的分析方法。X射线管或放射性同位素源中发出的X射线激发固体、液体、粉末样品中的原子。

扩展资料：

EDS英文全称：Energy Dispersive Spectroscopy

原理：利用不同元素的X射线光子特征能量不同进行成分分析。

与WDS（波谱仪）相比，EDS（能谱仪）具有以下优缺点：

优点:

（1）能谱仪探测X射线的效率高。

（2）在同一时间对分析点内所有元素X射线光子的能量进行测定和计数，在几分钟内可得到定性分析结果，而波谱仪只能逐个测量每种元素特征波长。

（3）结构简单，稳定性和重现性都很好。

（4）不必聚焦，对样品表面无特殊要求，适于粗糙表面分析。

缺点：

（1）分辨率低.

（2）能谱仪只能分析原子序数大于11的元素；而波谱仪可测定原子序数从4到92间的所有元素。

（3）能谱仪的Si(Li)探头必须保持在低温态，因此必须时时用液氮冷却。

参考资料：百度百科：EDS 百度百科：EDX 百度百科：XRF

EDS使用半导体晶体接收所有x射线信号，信号接收效率高，当前SDD晶体探测效率可达到100万cps。由于同一特征能量x光子，轰击探测晶体，实现的电子空穴对呈现统计的离散事件，以特征能量为中心的高斯分布半高宽较宽，也就是能量分辨率较差，理论上能谱的能量分辨率为120ev，当前10mm²探测晶体商品指标实际在125ev左右，大多标定在130ev左右。由于谱峰较宽，峰背比较差，只有含量高于千分之一的成分才会被探测到，加之各种线系重叠峰严重，所需的剥离重叠峰程序复杂，定量水平较差，标准情况下，定量精度2%左右。

EDS同一个晶体可接收从4Be-100Fm所有元素的特征x射线，可对所有元素同时展谱，由于探测器效率非常高，定性定量分析速度非常快，最快几秒定性，一般1-3分钟可打出从B-U范围内所有元素数据，是当前材料微区分析最基本的手段，广泛使用。价格相对WDS便宜一半。

WDS探测器对进入的X射线，首先使用分光晶体，通过机械转动，按照布拉格衍射条件，搜索到元素特征能量X射线，其他不符合衍射条件的X射线被屏蔽，特征能量为中心的高斯分布半高宽很窄，能量分辨率很高10ev以下，和理想的特征x射线分辨率非常接近，几乎可以区分所有线系的特征能量，重叠峰造成的定量影响降到最低，在相同计数率情况下，相对EDS，峰背比很高，可实现万分之一含量元素定性，定量精度要可达0.5%左右。因为是逐个元素进行展谱，分析时间很长，一个样品分析需要半小时，甚至几个小时。元素分析范围B-U.  由于WDS接近化学定量精度水平，因此在微区化学分析中，整个系统常常以电子探针商品出现，扫描电镜配置WDS很少用，电子探针往往配置4个波谱探测器同时进行信号采集，以提高定分析速度。即便如此，定性速度还是远远落后于EDS, 一般都配套EDS，用于定性，然后直接用WDS定量， EDS和WDS成为一个有机整体使用也很普遍。WDS结构复杂，定量精密度高，价格很贵。

如图，是EDS和WDS谱图，很形象的看出差异。

芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）。

测试工序（Initial Test and Final Test）等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back End）工序。

按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类，一般来说这些还会被再分成小类。

此外，IC除了在制造技术上的分类以外，还有以应用领域、设计方法等进行分类，最近虽然不常用。

但还有按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。

晶圆处理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关。

但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。

扩展资料：

（1）元素半导体。元素半导体是指单一元素构成的半导体，其中对硅、锡的研究比较早。它是由相同元素组成的具有半导体特性的固体材料，容易受到微量杂质和外界条件的影响而发生变化。目前， 只有硅、锗性能好，运用的比较广，硒在电子照明和光电领域中应用。

硅在半导体工业中运用的多，这主要受到二氧化硅的影响，能够在器件制作上形成掩膜，能够提高半导体器件的稳定性，利于自动化工业生产。

（2）无机合成物半导体。无机合成物主要是通过单一元素构成半导体材料，当然也有多种元素构成的半导体材料，主要的半导体性质有I族与V、VI、VII族；II族与IV、V、VI、VII族；III族与V、VI族；IV族与IV、VI族。V族与VI族；

VI族与VI族的结合化合物，但受到元素的特性和制作方式的影响，不是所有的化合物都能够符合半导体材料的要求。这一半导体主要运用到高速器件中，InP制造的晶体管的速度比其他材料都高，主要运用到光电集成电路、抗核辐射器件中。 对于导电率高的材料，主要用于LED等方面。

参考资料来源：百度百科-半导体

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