半导体带隙范围小

导体，半导体，绝缘体，通过能带理论区分的话，是根据带宽来区分的，也就是说倒带到价带之间的宽度，这个称谓带隙。导体的导带一般为半满或者空大，价带中的电子可以通过带隙到导带，因此称谓导体；绝缘体的倒带一般为满带，且带隙一般大于3.6ev，因此不能够形成电子的迁移；对于半导体导带一般为空带，但是带隙较窄一般为0.5-3.6ev，在有杂质能级或者物理场的作用下可以形成电子迁移，这个称谓半导体。

半导体沟槽宽度

半导体沟槽宽度可以从几种角度来考虑，如材料类型、应用、制造工艺等。

1. 材料类型：半导体沟槽的宽度取决于所使用的半导体材料，不同的材料具有不同的物理性质，因此沟槽的宽度也不同。例如，硅沟槽的宽度可以达到几十纳米，而碳纳米管沟槽的宽度可以达到几百纳米。

2. 应用：半导体沟槽的宽度也取决于其应用。例如，用于高频电路的沟槽宽度要比用于低频电路的沟槽宽度小。

3. 制造工艺：半导体沟槽的宽度也取决于制造工艺，例如用于制造沟槽的光刻工艺，其最小的沟槽宽度可以达到几百纳米。

宽带隙半导体，一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体，宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。

室温下，Si的带隙为1.1eV，GaAs的带隙为1.43eV，一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体，宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。

---