可优选的，每一个所述升降板腔下侧连通设有连通腔，所述连通腔前后壁之间转动设有拨杆转轴，所述拨杆转轴外圆面固定设有拨杆，所述升降板内设有开口向下的铰接滑块腔，所述铰接滑块腔内能左右滑动的设有铰接滑块，所述铰接滑块左端面与所述铰接滑块腔左壁之间固定连接有铰接复位d簧，所述铰接滑块内前后贯穿的转动设有铰接转轴，所述铰接转轴与所述拨杆之间转动连接。
可优选的，所有所述连通腔下侧共同连通设有平移腔，所述平移腔内左右均匀分布且能左右滑动的设有平移滑块，所述拨杆下端延伸至所述平移腔内，所述平移腔左右壁之间转动设有与所述平移滑块螺纹连接的平移螺杆，所述平移腔左壁内固定设有动力驱动机构，所述平移螺杆左端动力连接于所述动力驱动机构右端面。
可优选的，所述防尘盖板下端面远离所述直线储存腔一侧固定设有d簧连接板，所述盒体内前后两端面内且正对每一个所述d簧连接板设有开口向外的d簧槽，所述d簧连接板靠近所述直线储存腔一端面与所述d簧槽靠近所述直线储存腔一侧壁之间固定连接有盖板d簧，每一个所述升降板腔上壁与所述盖板滑动腔下壁之间且前后对称分别连通设有盖板锁定杆腔，每一个所述防尘盖板内正对所述盖板锁定杆腔设有开口向下的盖板锁定槽，所述升降板上端面前后对称分别固定设有能在所述盖板锁定杆腔内上下滑动的盖板锁定杆，所述盖板锁定杆上端能够在所述盖板锁定槽内滑进滑出。
可优选的，所述散热通道下壁上且在所述风扇罩和所述防尘滤板之间固定设有带轮罩，所述带轮罩内设有开口向下的连通带轮腔，所述连通带轮腔左右壁之间转动设有风扇轴，所述风扇轴左端延伸至所述风扇腔内且外圆面圆周阵列的固定设有风扇叶。
可优选的，所述盒体内且连通所述连通带轮腔设有带轮腔，所述带轮腔下侧左右壁之间转动设有动力轴，所述动力轴外圆面与所述风扇轴外圆面分别固定设有传动带轮，上下两侧所述传动带轮之间绕设有传动皮带，所述盒体内且在所述带轮腔和所述平移腔之间固定设有动力驱动机构，所述平移螺杆左端动力连接于所述动力驱动机构右端面，所述动力轴右端动力连接于所述动力驱动机构左端面。
本发明的有益效果是：本发明能够对放入其中的半导体晶圆夹紧固定，并且设置有自动关闭的盖板，能够及时地将储存晶圆的腔封闭，减少灰尘的进入，通过缓冲结构减少运输过程中的不稳定的震动对晶圆的影响，保护晶圆的安全，同时在设置了散热结构，减少高温对储存晶圆的影响。
附图说明
为了更清楚地说明发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明的整体结构示意图。
图2是图1中a-a的结构示意图。
图3是图1中b的放大结构示意图。
图4是图2中c的放大结构示意图。
具体实施方式
下面结合图1-4对本发明进行详细说明，其中，为叙述方便，现对下文所说的方位规定如下：下文所说的上下左右前后方向与图1本身投影关系的上下左右前后方向一致。
本发明所述的一种封闭防尘的半导体晶圆运输盒，包括盒体11，所述盒体11内设有半圆储存腔12，所述半圆储存腔12上侧连通设有开口向上的直线储存腔13，所述直线储存腔13圆周壁且左右均匀分布的连通设有半圆滑槽15，所述直线储存腔13前后壁且左右均匀分布的连通设有连通所述半圆滑槽15的直线滑槽14，所述半圆储存腔12圆周壁和所述直线储存腔13前后壁上且在每两个所述半圆滑槽15之间均固定设有分隔挡板65，所述半圆滑槽15内左右对称且能左右滑动的设有半圆夹板16，所述半圆夹板16上端面前后两侧分别固定设有能在所述直线滑槽14内左右滑动的垂直夹紧板60，每两个左右对称的所述半圆夹板16相互远离一端面与所述半圆滑槽15左右两侧壁之间均匀分布的固定连接有半圆缓冲d簧17，每两个左右对称的所述垂直夹紧板60相互远离一端面与所述直线滑槽14左右两侧壁之间均匀分布的固定连接有垂直缓冲d簧61，所述盒体11内且在每一个所述半圆滑槽15下侧设有升降板腔35，所述升降板腔35内能上下滑动的设有升降板37，所述升降板37下端面与所述升降板腔35下壁之间且前后对称分别固定连接有升降复位d簧36，所述升降板腔35上壁与所述半圆滑槽15下壁之间且左右对称分别连通设有缓冲锁定梢腔48，所述半圆夹板16内正对所述缓冲锁定梢腔48上方设有开口向下的缓冲锁定槽50，所述升降板37上端面左右两侧分别设有能在所述缓冲锁定梢腔48内上下滑动的缓冲锁定梢49，所述缓冲锁定梢49上端能够在所述缓冲锁定槽50内滑进滑出，所述直线储存腔13前后壁分别连通设有开口向外的盖板滑动腔56，所述盖板滑动腔56内左右均匀分布且能前后滑动的设有防尘盖板21，前后两侧所述防尘盖板21相对一端面内分别固定设有盖板连接磁铁58，所述盖板滑动腔56上壁靠近所述直线储存腔13一侧连通设有开口向上的把手腔55，所述防尘盖板21上端面且在所述把手腔55内固定设有把手54，所述直线储存腔13和所述半圆储存腔12左侧共同连通设有开口向左的散热通道22，所述散热通道22内壁上固定设有风扇罩24，所述风扇罩24内左右贯通的设有风扇腔25，所述散热通道22内壁且在所述风扇罩24右侧固定设有防尘滤板23。
有益地，每一个所述升降板腔35下侧连通设有连通腔41，所述连通腔41前后壁之间转动设有拨杆转轴43，所述拨杆转轴43外圆面固定设有拨杆42，所述升降板37内设有开口向下的铰接滑块腔44，所述铰接滑块腔44内能左右滑动的设有铰接滑块46，所述铰接滑块46左端面与所述铰接滑块腔44左壁之间固定连接有铰接复位d簧45，所述铰接滑块46内前后贯穿的转动设有铰接转轴47，所述铰接转轴47与所述拨杆42之间转动连接。
有益地，所有所述连通腔41下侧共同连通设有平移腔33，所述平移腔33内左右均匀分布且能左右滑动的设有平移滑块40，所述拨杆42下端延伸至所述平移腔33内，所述平移腔33左右壁之间转动设有与所述平移滑块40螺纹连接的平移螺杆34，所述平移腔33左壁内固定设有动力驱动机构32，所述平移螺杆34左端动力连接于所述动力驱动机构32右端面。
有益地，所述防尘盖板21下端面远离所述直线储存腔13一侧固定设有d簧连接板53，所述盒体11内前后两端面内且正对每一个所述d簧连接板53设有开口向外的d簧槽51，所述d簧连接板53靠近所述直线储存腔13一端面与所述d簧槽51靠近所述直线储存腔13一侧壁之间固定连接有盖板d簧52，每一个所述升降板腔35上壁与所述盖板滑动腔56下壁之间且前后对称分别连通设有盖板锁定杆腔38，每一个所述防尘盖板21内正对所述盖板锁定杆腔38设有开口向下的盖板锁定槽57，所述升降板37上端面前后对称分别固定设有能在所述盖板锁定杆腔38内上下滑动的盖板锁定杆39，所述盖板锁定杆39上端能够在所述盖板锁定槽57内滑进滑出。
有益地，所述散热通道22下壁上且在所述风扇罩24和所述防尘滤板23之间固定设有带轮罩63，所述带轮罩63内设有开口向下的连通带轮腔27，所述连通带轮腔27左右壁之间转动设有风扇轴28，所述风扇轴28左端延伸至所述风扇腔25内且外圆面圆周阵列的固定设有风扇叶26。
有益地，所述盒体11内且连通所述连通带轮腔27设有带轮腔64，所述带轮腔64下侧左右壁之间转动设有动力轴31，所述动力轴31外圆面与所述风扇轴28外圆面分别固定设有传动带轮29，上下两侧所述传动带轮29之间绕设有传动皮带30，所述盒体11内且在所述带轮腔64和所述平移腔33之间固定设有动力驱动机构32，所述平移螺杆34左端动力连接于所述动力驱动机构32右端面，所述动力轴31右端动力连接于所述动力驱动机构32左端面。
以下结合图1至图4对本文中的使用步骤进行详细说明：
初始状态，平移滑块40位于左极限位置，升降板37位于上极限位置，缓冲锁定梢49上端卡入至缓冲锁定槽50内，铰接滑块46位于右极限位置，每两个左右对称的半圆夹板16之间相互远离至最远，半圆缓冲d簧17处于压缩状态，每两个左右对称的垂直夹紧板60之间相互远离至最远，垂直缓冲d簧61处于压缩状态，前后两侧防尘盖板21相互远离至最远，盖板d簧52处于拉伸状态，盖板锁定杆39上端卡入至盖板锁定槽57内。
工作时，通过机械手从左至右将半导体晶圆放入至每两个左右对称的垂直夹紧板60之间，然后再向下移动将半导体晶圆下半部分放入至每两个左右对称的半圆夹板16之间，机械手离开后启动动力驱动机构32，通过动力连接带动平移螺杆34转动并通过螺纹连接带动平移滑块40向右移动，平移滑块40右端面与拨杆42左端面相抵，然后带动拨杆42逆时针向上绕着拨杆转轴43转动并带动拨杆转轴43转动，进而通过铰接转轴47的转动连接带动铰接滑块46向左移动并压缩铰接滑块腔44，同时铰接滑块46带动升降板37向下移动并带动缓冲锁定梢49向下移动，进而缓冲锁定梢49上端离开缓冲锁定槽50，从而左右两侧的半圆夹板16由于半圆缓冲d簧17的d力作用相互靠近，同时由于垂直缓冲d簧61的d力作用带动左右两侧的垂直夹紧板60相互靠近，从而将半导体晶圆夹紧，在运输搬运过程中，通过半圆缓冲d簧17和垂直缓冲d簧61的d力缓冲碰撞等冲击，保护晶圆的安全，同时在升降板37向下移动的过程中带动前后两侧盖板锁定杆39向下移动，使盖板锁定杆39上端离开盖板锁定槽57，进而由于盖板d簧52的d力作用，带动d簧连接板53朝靠近直线储存腔13方向移动并带动防尘盖板21朝靠近直线储存腔13方向移动，进而带动盖板连接磁铁58朝靠近直线储存腔13方向移动并带动把手54朝靠近直线储存腔13方向移动，前后两侧防尘盖板21相对一端面相互接触后，前后两侧盖板连接磁铁58由于磁力相互吸住，从而将直线储存腔13的伤口封闭，防止灰尘等进入到腔内，污染晶圆，然后动力驱动机构32通过动力连接带动动力轴31转动，进而带动下侧传动带轮29转动并通过传动皮带30带动上侧传动带轮29转动，进而带动风扇轴28转动并带动风扇叶26转动，从而降低半圆储存腔12和直线储存腔13内的温度，避免过高的温度对储存在内的晶圆造成影响，当需要取出晶圆时，动力驱动机构32通过动力连接带动平移螺杆34转动并通过螺纹连接带动平移滑块40向左移动，从而平移滑块40右端面不再与拨杆转轴43相抵，此时通过向前后两侧分别拉动前后两侧的把手54，进而带动前后两侧的防尘盖板21相互远离至最远距离，进而带动前后两侧的d簧连接板53相互远离并拉伸盖板d簧52，此时将晶圆取出，将左右两侧的垂直夹紧板60推向左右两侧，进而带动左右两侧的半圆夹板16相互远离，进而压缩半圆缓冲d簧17和垂直缓冲d簧61，然后升降板37由于升降复位d簧36的d力作用向上移动并带动缓冲锁定梢49向上移动，缓冲锁定梢49上端卡入至垂直夹紧板60内，完成复位，同时升降板37向上移动带动前后两侧盖板锁定杆39向上移动，进而盖板锁定杆39上端卡入至盖板锁定槽57内，进而将防尘盖板21锁定，完成复位。
本发明的有益效果是：本发明能够对放入其中的半导体晶圆夹紧固定，并且设置有自动关闭的盖板，能够及时地将储存晶圆的腔封闭，减少灰尘的进入，通过缓冲结构减少运输过程中的不稳定的震动对晶圆的影响，保护晶圆的安全，同时在设置了散热结构，减少高温对储存晶圆的影响。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此领域技术的人士能够了解本发明内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围内。
常见的直插式封装如双列直插式封装（DIP），晶体管外形封装（TO），插针网格阵列封装（PGA）等。典型的表面贴装式如晶体管外形封装（D-PAK），小外形晶体管封装（SOT），小外形封装（SOP），方形扁平封装（QFP），塑封有引线芯片载体（PLCC）等。电脑主板一般不采用直插式封装的MOSFET，本文不讨论直插式封装的MOSFET。一般来说，“芯片封装”有2层含义，一个是封装外形规格，一个是封装技术。对于封装外形规格来说，国际上有芯片封装标准，规定了统一的封装形状和尺寸。封装技术是芯片厂商采用的封装材料和技术工艺，各芯片厂商都有各自的技术，并为自己的技术注册商标名称，所以有些封装技术的商标名称不同，但其技术形式基本相同。我们先从标准的封装外形规格说起。TO封装TO（Transistor Out-line）的中文意思是“晶体管外形”。这是早期的封装规格，例如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252等等都是插入式封装设计。近年来表面贴装市场需求量增大，TO封装也进展到表面贴装式封装。 TO252和TO263就是表面贴装封装。其中TO-252又称之为D-PAK，TO-263又称之为D2PA K。-PAK封装的MOSFET有3个电极，栅极（G）、漏极（D）、源极（S）。其中漏极（D）的引脚被剪断不用，而是使用背面的散热板作漏极（D），直接焊接在PCB上，一方面用于输出大电流，一方面通过PCB散热。所以PCB的D-PAK焊盘有三处，漏极（D）焊盘较大。SOT封装SOT（Small Out-Line Transistor）小外形晶体管封装。这种封装就是贴片型小功率晶体管封装，比TO封装体积小，一般用于小功率MOSFET。常见的规格如上。 主板上常用四端引脚的SOT-89 MOSFET。SOP封装 SOP（Small Out-Line Package）的中文意思是“小外形封装”。SOP是表面贴装型封装之一，引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。材料有塑料和陶瓷两种。SOP也叫SOL 和DFP。SOP封装标准有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等等，SOP后面的数字表示引脚数。MOSFET的SOP封装多数采用SOP-8规格，业界往往把“P”省略，叫SO（Small Out-Line ）。SO-8采用塑料封装，没有散热底板，散热不良，一般用于小功率MOSFET。 SO-8是PHILIP公司首先开发的，以后逐渐派生出TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、 SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）等标准规格。这些派生的几种封装规格中，TSOP和TSSOP常用于MOSFET封装。QFN-56封装 QFN（Quad Flat Non-leaded package）是表面贴装型封装之一，中文叫做四边无引线扁平封装，是一种焊盘尺寸小、体积小、以塑料作为密封材料的新兴表面贴装芯片封装技术。现在多称为LCC。QFN是日本电子机械工业会规定的名称。封装四边配置有电极接点，由于无引线，贴装占有面积比QFP小，高度比QFP低。这种封装也称为LCC、PCLC、P－LCC等。QFN本来用于集成电路的封装，MOSFET不会采用的。Intel提出的整合驱动与MOSFET的DrMOS采用QFN-56封装，56是指在芯片背面有56个连接Pin。最新封装形式由于CPU的低电压、大电流的发展趋势，对MOSFET提出输出电流大，导通电阻低，发热量低散热快，体积小的要求。MOSFET厂商除了改进芯片生产技术和工艺外，也不断改进封装技术，在与标准外形规格兼容的基础上，提出新的封装外形，并为自己研发的新封装注册商标名称。下面分别介绍主要MOSFET厂商最新的封装形式。 瑞萨（RENESAS）的WPAK、LFPAK和LFPAK-I 封装 WPAK是瑞萨开发的一种高热辐射封装，通过仿D-PAK封装那样把芯片散热板焊接在主板上，通过主板散热，使小形封装的WPAK也可以达到D-PAK的输出电流。WPAK-D2封装了高/低2颗MOSFET，减小布线电感。 LFPAK和LFPAK-I是瑞萨开发的另外2种与SO-8兼容的小形封装。LFPAK类似D-PAK比D-PAK体积小。LFPAK-i是将散热板向上，通过散热片散热。 威世Power-PAK和Polar-PAK封装Power-PAK是威世公司注册的MOSFET封装名称。Power-PAK包括有Power-PAK1212-8、Power-PAK SO-8两种规格。Polar PAK是双面散热的小形封装。 安森美的SO-8和WDFN8扁平引脚封装 安美森半导体开发了2种扁平引脚的MOSFET，其中SO-8兼容的扁平引脚被很多主板采用。菲利普（Philps）的LFPAK和QLPAK封装 首先开发SO-8的菲利普也有改进SO-8的新封装技术，就是LFPAK和QLPAK。 意法（ST）半导体的PowerSO-8封装 法意半导体的SO-8改进技术叫做Power SO-8。飞兆（Fairchild）半导体的Power 56封装 国际整流器（IR）的Direct FET封装Direct FET封装属于反装型的，漏极（D）的散热板朝上，并覆盖金属外壳，通过金属外壳散热。 内部封装技术前面介绍的最新封装形式都是MOSFET的外部封装。这些最新封装还包括内部封装技术的改进，尽管这些新封装技术的商标名称多种多样，其内部封装技术改进主要有三方面：一是改进封装内部的互连技术，二是增加漏极散热板，三是改变散热的热传导方向。 封装内部的互连技术: 早期的标准封装，包括TO，D-PAK、SOT、SOP，多采用焊线式的内部互连，在CPU核心电压较高，电流较小时期，这种封装可以满足需求。当CPU供电进展到低电压、大电流时代，焊线式封装就难以满足了。以标准焊线式SO-8为例，作为小功率MOSFET封装，发热量很小，对芯片的散热设计没有特别要求。主板的局部小功率供电（风扇调速）多采用这种SO-8的MOSFET。但用于现代的CPU供电就不能胜任了。这是由于焊线式SO-8的性能受到封装电阻、封装电感、PN结到PCB和外壳的热阻等四个因素的限制。 封装电阻 MOSFET在导通时存在电阻（RDS(on)），这个电阻包括芯片内PN结电阻和焊线电阻，其中焊线电阻占50%。RDS(on)是影响MOSFET性能的重要因素。 封装电感内部焊线的引线框封装的栅极、源极和漏极连接处会引入寄生电感。源极电感在电路中将会以共源电感形式出现，对MOSFET的开关速度有着重大影响。芯片PN结到PCB的热阻 芯片的漏极粘合在引线框上,引线框被塑封壳包围，塑料是热的不良导体。漏极的热传导路径是芯片→引线框→引脚→PCB，这么长的路径必然是高热阻。至于源极的热传导还要经过焊线到PCB，热阻更高。 芯片PN结到外壳(封装顶部)的热阻 由于标准的SO-8采用塑料包封,芯片到封装顶部的传热路径很差上述四种限制对其电学和热学性能有着极大的影响。随着电流密度要求的提高,MOSFET厂商采用SO-8的尺寸规格，同时对焊线互连形式进行改进，用金属带、或金属夹板代替焊线，降低封装电阻、电感和热阻。 国际整流器（IR）称之为Copper Strap技术，威世（Vishay）称之为Power Connect 技术，还有称之为Wireless Package。 据国际半导体报道，用铜带取代焊线后，热阻降低了10-20%，源极至封装的电阻降低了61%。特别一提的是用铜带替换14根2-mil金线，芯片源极电阻从1.1 m降到 0.11 m。漏极散热板标准SO-8封装采用塑料把芯片全部包围，低热阻的热传导通路只是芯片到PCB的引脚。底部紧贴PCB的是塑料外壳。塑料是热的不良导体，影响漏极的散热。封装的散热改进自然是除去引线框下方的塑封混合物，让引线框金属结构直接（或者加一层金属板）与PCB接触,并焊接到PCB焊盘上。它提供了大得多的接触面积,把热量从芯片上导走。这种结构还有一个附带的好处,即可以制成更薄的器件,因为塑封材料的消除降低了其厚度。 世的Power-PAK，法意半导体的Power SO-8，安美森半导体的SO-8 Flat Lead，瑞萨的WPAK、LFPAK，飞兆半导体的Power 56和Bottomless Package都采用这种散热技术。改变散热的热传导方向 Power-PAK封装显著减小了芯片到PCB的热阻，实现芯片到PCB的高效率传热。不过，当电流的需求继续增大时，PCB也将出现热饱和，因此散热技术的进一步改进是改变散热方向，让芯片的热量传导到散热器而不是PCB。 瑞萨的LFPAK-I 封装，国际整流器的Direct FET封装就是这种散热技术。整合驱动IC的DrMOS 传统的主板供电电路采用分立式的DC/DC降压开关电源，分立式方案无法满足对更高功率密度的要求，也不能解决较高开关频率下的寄生参数影响问题。随着封装、硅技术和集成技术的进步，把驱动器和MOSFET整合在一起，构建多芯片模块（MCM）已经成为现实。。与分立式方案相比，多芯片模块可以节省相当可观的空间并提高功率密度，通过对驱动器和MOSFET的优化提高电能转换效率以及优质的DC电流。这就是称之为DrMOS的新一代供电器件。DrMOS的主要特点是：- 采用QFN56无脚封装，热阻抗很低。- 采用内部引线键合以及铜夹带设计，尽量减少外部PCB布线，从而降低电感和电阻。- 采用先进的深沟道硅(trench silicon)MOSFET工艺，显著降低传导、开关和栅极电荷损耗。- 兼容多种控制器，可实现不同的工作模式，支持APS（Auto Phase Switching）。- 针对目标应用进行设计的高度优化。MOSFET发展趋势伴随计算机技术发展对MOSFET的要求，MOSFET封装技术的发展趋势是性能方面高输出、高密度、高频率、高效率，体积方面是更趋向小形化。半导体行业有一个独特的特点：人才的培养周期长，就是通常所说的“板凳要坐十年冷”，大多数顶尖人才都必须要读到博士。这跟互联网行业截然相反，几个年轻人聚在一起捣腾一个网站或者App就能融资的现象，在芯片行业几乎不存在，而行业赚快钱的机会则更是寥寥无几。因此，改革开放后培养的理工科人才，首先在计算机、通信和互联网行业建功立业，促进了腾讯和华为等公司的诞生，但要轮到芯片行业，则还需要等待更多的时间。80-90年代那些毕业的大学生，还不能承担半导体研发的重担，他们还需要更多的学习和锻炼，尤其需要去全球集成电路技术集聚区-美国的硅谷
今天整个华人半导体圈子，清华子弟占半壁江山，不过考虑到规模达几千亿的国家产业基金是由75级化工系的一位校友批准推动的，所以剩下那半壁江山也得仰仗清华
张汝京深谙半导体建厂经验，按照他的理论，“不景气时盖厂最好”。曾经有台湾的朋友来大陆拜访张汝京，回去跟台湾媒体评价道：“Richard（张汝京英文名）连西装都没有穿，就是一件工作衫，披上件发旧的灰色毛衣，像个传教士，办公桌是三夹板拼凑起来的便宜货。张说他有一个中国半导体的宏伟梦想，他为这个梦想要彻底献身，好像甚至牺牲性命都可以，这个人不是为了赚钱才做这件事，这才是最可怕的。”
在中芯第一次认输赔款的2006年，大陆芯片界又爆发了臭名昭著的汉芯事件，而国家组织的三大国产CPU“方舟、众志、龙芯”又基本上都以失败告终，整个舆论对半导体行业开展了无差别的口诛笔伐，负面评价铺天盖地，中国芯片再一次走进了至暗时刻。
更为致命的问题摆在面前：中国哪个行业是制造业的命根子，哪个行业更容易被别人卡脖子？是风电？是太阳能？还是芯片？
中国芯片行业已经拥有了走向成功的众多因素：无数从海外回流的顶级人才（如梁孟松），不断壮大的国产工程师队伍，卓越民企等树立的标杆机制，国家充沛且持续的资金支持。
1991年12月，首钢喊出了“首钢未来不姓钢”的口号，跨界芯片。这是大型企业受地方政府“鼓励”跨界做芯片的第一个案例，未来还会不断重演。据说首钢当年规划的转型方向只有地产做的还不错，这种强烈对比蕴含的道理，足够很长时间来玩味和琢磨。
这些项目未能取得预想中的成功，深层次的原因有两个：一是芯片行业更新速度太快，制程升级一日千里，国内八九十年代这种没有连贯性的“挤牙膏”式投入，必然会陷入“引进-建厂-投产-落后-再引进”的恶性循环，效果很差；二是半导体相关人才实在是太弱，根本无法吃透引进来的技术，遑论自主研发。
另外，西方国家先后用“巴统”和“瓦森纳协议”来限制向中国出口最先进的高科技设备，同意批准出口的技术通常比最先进的晚两代，加上中间拖延和落地消化，基本上中国拿到手的技术就差不多落后三代左右。
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