N、P型半导体通过工艺结合到一起时,由于载流子浓度差相互扩散,在两块半导体的结合部便形成由离子相互作用形成的一个内建电场
三星半导体的八大工艺包括:1、热处理;2、光刻;3、金属化学气相沉积(MOCVD);4、电镀/电子束蒸镀(EBL) ;5、表面处理/封装 ;6、测试/可靠性测试 ;7 、切割/打样 ;8 、回收。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
N、P型半导体通过工艺结合到一起时,由于载流子浓度差相互扩散,在两块半导体的结合部便形成由离子相互作用形成的一个内建电场
三星半导体的八大工艺包括:1、热处理;2、光刻;3、金属化学气相沉积(MOCVD);4、电镀/电子束蒸镀(EBL) ;5、表面处理/封装 ;6、测试/可靠性测试 ;7 、切割/打样 ;8 、回收。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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