如何证明空穴与半导体反应的竞争

证明空穴与半导体反应的竞争是本征半导体中自由电子和空穴总是成对出现和消失的。空穴是当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，共价键就留下了一个空位，称为空穴。空穴的出现是半导体区别与导体的一个重要特征，本征半导体中的载流子只有自由电子和空穴。

N型半导体和P型半导体。

掺入杂质后的半导体中仍然同时具有电子和空穴这两种载流子，只是各自数量不同。在N型半导体中，电子（带负电荷）居多，叫多数载流子，空穴（带正电荷）叫少数载流子。在P型半导体中，则反之：空穴为多数载流子，电子为少数载流子；可以分别简称为“多子”、“少子”。

半导体材料分为空穴和电子两种不同类型霍尔片的区别为：

1、形成的不同原因：在外加电场中，p型半导体中的电子依次以电场的相反方向填充空穴，空穴沿电场的方向运动。空穴可以被认为是带正电荷的粒子，它的运动通过取代电子的运动来解释p型半导体中电流的形成。通过自由电子的定向运动而导电的行为。

2、不同的机制：孔由于净正电荷，所以会吸引其他电子，使电子运动更容易在半导体中，可以发现，似乎洞传导是净正电荷吸引其他电子带正电荷的转变，实际上事实上仍然是电子传导，移动洞只是正电荷等价的。

---