64家科技企业组建半导体联盟，中科院院士：55nm更具有意义

在 科技 发展的快车道上，任何一项高 科技 的起跑都离不开芯片赋能。在我国高 科技 快速发展下，也凸显了芯片的重要性。因此，我国拥有更强的芯片市场。但在芯片制造领域以及芯片上游产业，相对来说还比较薄弱。先进光刻机技术一直被美和掌握着，这也是我们为什么会遭遇被人“卡脖子”的根本原因。

虽然，我国芯片制造领域相对薄弱，但是我国 科技 领域却处于高速发展时期。这一决定性因素导致了我国成为了芯片进口大国，拥有更大的芯片市场。有数据显示，在2020年我国的芯片进口量为5435亿个，进口额为3500亿美元，不论在数量上还是金额上，都创下了 历史 新高。

那么有人会说，这么大的市场，我们不可以加大研发投入力度自研芯片吗？为什么不自己把握呢？为什么还要进口呢？

其实关键因素是我们没有先进EUV光刻机。全世界，能做出先进光刻机的也就只有荷兰的ASML了。

阿斯麦称说：就算把光刻机图纸给中国，中国人也造不出光刻机。

而光刻机之所以这么稀缺，是因为光刻机所有零部件都来自于全世界企业！比如瑞典的轴承、德国的镜头等。并且光刻机拥有上万个零部件且关键技术一直被美掌握着。

就在大家一直为该不该让台积电来中国生产28nm芯片得问题做正反辩论时。美又成立了名为SIAC的“美国半导体联盟”。

美国却联合欧日韩等国的64家芯片企业成立了名为SIAC的“美国半导体联盟”。并提出了一项500亿美元的半导体激励计划。

而这些企业却几乎涵盖了芯片领域的所有 科技 巨头，如微软、苹果、AMD、英特尔、ARM、三星、台积电、联发科、SK海力士等公司。最终的目的就是在满足美国芯片需求的同时制约我国芯片的发展。不得不说美国的这一招确实有点狠！所以说我们要高度警惕。

说句实话，这个联盟确实有点大，几乎涵盖了芯片的所有领域，如芯片制造、芯片设计所需软件、原材料等。

但从侧面也反应出美半导体芯片领域也并完善。可以看出他们正在使用以前的方法，打压我国半导体 科技 行业的发展。早在上世纪八十年代，美国以同样的方式组建EUV LLC联盟，一举打压了日本半导体产业的发展，实现自己的主导地位并扶持了ASML成为当今EUV光刻机的巨头。

而从当前国内芯片市场发展局势看，虽然我们在高端先进工艺制程领域存在着不足。但并不是我们在芯片领域一直会被人“卡脖子”。 其实我们也有致胜的法宝，那就是充分利用好55纳米成熟工艺制程实现国产自主可控。

对于大部分 科技 产业所需芯片一般55nm、28nm完全可以满足。这也是中芯国际、台积电先后布局28nm，扩充产能的根本原因。

中国科学院院士吴汉明曾发出忠告： 国内不能好高骛远，而是应该做好基础工作，大力发展成熟工艺制程的芯片市场。

另外他还表示，与其在7nm和5nm芯片上做无用功，不如让55nm实现完全的自主可控，后者要更有意义。

所以说，我们现在当务之急是大力发展成熟工艺制程，我们完全可以从90nm、55nm、28nm、14nm这几大成熟工艺做起，逐步做到自主可控，满足当前国内市场需求。也就是说我们要根据当前的发展趋势，根据自身的发展状况，利用一切可利用的优势资源来满足我国当前的市场需求。

相信在不久的将来，我国会打破芯片产业的“僵局”。实现芯片产业的自主可控以及国产化！

不知大家对当前芯片格局怎样看？

锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。

半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件（热敏电阻）；利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件，像光电池、光电管和光敏电阻等。

半导体还有一个最重要的性质，如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管等。

把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层，一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。中间部分为PN结的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。

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