半导体工艺里的特征图形尺寸指的是什么的尺寸？是一个最小cell的尺寸吗？还是互联线的宽度？

光刻之后腐蚀后的线宽。 单线的最小宽度。 也就是表示你的工艺线设备能做到什么程度附：特征尺寸即CPU表面电路的特征线宽，我们常说的130nm制程、90nm制程指的就是CPU的特征尺寸。特征尺寸越小，单位面积内的晶体管集成度就越高。 在微电子学中，特征尺寸通常指集成电路中半导体器件的最小尺寸，如MOS管的栅长，特征尺寸是衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度，特征尺寸越小，芯片的集成度越高，速度越快，性能越好

负极指电源中电位（电势）较低的一端。在原电池中，是指起氧化作用的电极，电池反应中写在左边。在电解池中，指起还原作用的电极，区别于原电池。从物理角度来看，是电路中电子流出的一极。

接地（earthing）接地指电力系统和电气装置的中性点、电气设备的外露导电部分和装置外导电部分经由导体与大地相连。可以分为工作接地、防雷接地和保护接地。

在半导体电路中，如果是PNP半导体，一般采用正极接地，也就是以电源的正极作为整个电路的参考点；如果是NPN半导体，一般采用负极接地，也就是以电源的负极作为整个电路的参考点。现在的半导体电路多数采用硅材料，所以都是NPN半导体，负极接地。

扩展资料：

一、接地电阻

一般指接地体上的工频交流或直流电压与通过接地体而流入地下的电流之比。散泄雷电冲击电流时的接地电阻指电压峰值与电流峰值之比，称为冲击接地电阻。接地电阻主要是电流在地下流散途径中土壤的电阻。接地体与土壤接触的电阻以及接地体本身的电阻小得可以忽略。

电网中发生接地短路时，短路电流通过接地体向大地近似作半球形流散（接地体附近并非半球形，流散电流分布依接地体形状而异）。图中画出了与电流垂直的等位线，越接近接地体的等位线其电位越高。因为球面积与半径平方成正比，所以流散电流所通过的截面随着远离接地体而迅速增大。

因电阻与电流通道的截面积成反比，故同半球形面积对应的土壤电阻随着远离接地体而迅速减小。一般情况下，接地装置散泄电流时，离单个接地体20米处的电位实际上已接近零电位。

单晶硅片图纸怎么看？

单晶硅片图纸包括：图纸编号、尺寸、厚度、表面结构、晶片外形、晶片表面状态、晶片表面处理、晶片内部结构、晶片芯片定位孔、晶片芯片定位沟、晶片芯片定位槽、晶片芯片定位孔的形状、晶片芯片定位沟的形状、晶片芯片定位槽的形状、晶片芯片定位孔的尺寸、晶片芯片定位沟的尺寸、晶片芯片定位槽的尺寸、晶片芯片定位孔的位置、晶片芯片定位沟的位置、晶片芯片定位槽的位置、晶片芯片定位孔的数量、晶片芯片定位沟的数量、晶片芯片定位槽的数量、晶片芯片定位孔的间距、晶片芯片定位沟的间距、晶片芯片定位槽的间距、晶片芯片定位孔的深度、晶片芯片定位沟的深度、晶片芯片定位槽的深度、晶片芯片定位孔的角度、晶片芯片定位沟的角度、晶片芯片定位槽的角度、晶片芯片定位孔的抛光度、晶片芯片定位沟的抛光度、晶片芯片定位槽的抛光度等。

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