静电敏感等级

静电敏感元器件有90%产生软击穿，而10%左右被完全破坏静电敏感元器件有90%产生软击穿，而10%左右被完全破坏易被静电损坏的电子器件称为静电敏感器件（Static Sensitive Device简称SSD）。由于科技时代的需要，小体积、多功能、快速度的集成电路已是目前电子工业的基本要求。增厚氧化膜，提高其耐压性，显然是行不通的，因此在器件的集成度越来越高的趋势下，通常将器件氧化膜的膜厚做得越来越薄使其尺寸减少，器件的耐压也随之降低。半导体器件，特别是IC，根据其种类不同受静电破坏的程度也不一样，弱至100V的静电也会造成破坏，具体数据见表l。 表l各种半导体器受静电破坏的水平 元件的种类 遭受破坏的电压范围（V） 元器件典型范例 VMOS器件 30~1800IRF640、SPP11N60S5、BSN304 MOS场效应器件 100~200 TDA4605、TDA16846 坤化镓场效应器件 100~300 EPROM 100 M24C08、AT24C16 结型场效应器件 140~7000 K30A 表面滤波器150~500A号板的CF6264 运算放大器190~2500 V号板LM3580 CMOS器件 250~3000 S、V号板AT27C010（L） 肖特基二极管300~2500 高清上网板1N5817 薄膜电阻 300~3000 双极型晶体管 380~7000 C1815、A1015 可控硅680~1000V号板SFORIB4

无法一概而论，如果必要，供应商应当告知他的敏感器件的静电级别和测量模式，或建议EPA内静电压的控制。

若供应商不告知或无法告知，按照ESD S20.20规定，控制EPA内的静电电压小于100V。

举例解释无法一概而论：电路板布线宽度缩小，更容易受到静电伤害，但一般都会设计有保护电路，或着在电路板上涂覆保护材料。最后评估元件耐受级别的，必须经由专业机构、按照行业规范进行实验测量。

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