怎么测量半导体薄膜的电阻率

测量半导体电阻率的方法很多，按是否与样品接触可以分为两类，即接触式和非接触式。常用的电阻率测量方法有直接法、二探针法、三探针法、四探针法、多探针阵列、扩展电阻法、霍尔测量、涡流法、微波法、电容耦合C-V测量等。对于体单晶的电阻率测量，生产中应用最普遍的是四探针法；对于半导体晶片的电阻率测量，微波法等非接触式测量方法由于使用方便、不损坏样品，因而应用也越来越多。

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X-射线衍射可以测量，固体物理有讲，比如这篇文章比较具体《Electronic structure of GaN and Ga

investigated by soft x-ray spectroscopy and first-principles methods》，你可以在Google里直接下到全文

高温电阻率测量系统主要是测半导体材料、绝缘材料、导电材料的电阻率。高温电阻率测量系统是一个统称，分别包含了：高温半导体材料电阻率测量系统、高温绝缘材料电阻率测量系统、高温导电材料电阻率测量系统三个电阻率测量系统系列。其中高温半导体材料电阻率测量系统就是我们常说的HRMS-800高温四探针测量系统，主要是测量半导体薄膜材料的电阻、电阻率和方块电阻；HRMS-900高温绝缘材料电阻率测量系统，主要是测量无极绝缘材料、有机绝缘材料、复合绝缘材料等绝缘材料的电阻、电阻率和体积电阻，以及压电材料的热激励电流的测量；HRMS-1000高温导电材料电阻率测量系统，主要测量导电材料的电阻和电阻率，可以分析被测样品电阻和电阻率随温度、时间变化的曲线。

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