半导体魔角超晶格中的连续Mott跃迁
文章出处： Tingxin Li, Shengwei Jiang, Lizhong Li, Yang Zhang, Kaifei Kang, Jiacheng Zhu, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Debanjan Chowdhury, Liang Fu, Jie Shan, Kin Fai Mak. Continuous Mott transition in semiconductor moire superlattices. Nature 2021 , 597 , 350-354.
摘要： 随着电子相互作用的增加，Landau费米液体演化为非磁性Mott绝缘体是物理学中最令人困惑的量子相变之一。这一跃迁的邻近区域被认为是物质的奇异态，如量子自旋液体、激子凝聚和非常规超导。半导体魔角材料在三角形晶格上实现了高度可控的Hubbard模型模拟，通过连续调谐电子相互作用提供了一个独特的机会来驱动金属-绝缘体过渡(MIT)。在这里，通过电调节MoTe2/WSe2魔角超晶格的有效相互作用强度，作者观察到一个在每个单元晶胞固定填充一个电子的连续的MIT现象。量子临界的存在是由电阻的缩放塌缩、绝缘侧接近临界点时电荷隙的连续消失和金属侧发散的准粒子有效质量所支持的。作者还观察到磁化率在MIT的平稳演化，没有证据表明在Curie-Weiss温度约5%的范围内存在长程磁序。这表明在绝缘侧有大量的低能自旋激发，而在金属侧观察到的Pomeranchuk效应需进一步证实。作者的结果与二维连续Mott跃迁的普遍批判理论是一致的。
相互作用引起的电子局域化-Mott跃迁预计会发生在半填充的Hubbard模型中。当电子的动能(以带宽 W 为特征)远远超过其相互作用能(以现场库仑斥力 U 为特征)时，基态是具有明确定义的电子费米表面的金属。相反，当 U W 时，基态是带有电荷隙的绝缘体。当 U 和 W 具有可比性时，系统将经历一次MIT过程。尽管Mott和Hubbard的开创性著作广泛接受了这一观点，但人们对这种转变的本质仍知之甚少。在大多数材料中，过渡是一级驱动的，经常伴随着同时的磁性、结构或其它形式的有序。连续的MIT现象，表现出不对称的破坏，整个电子费米表面的突然消失和同时打开电荷穿过量子临界点，仍然是凝聚态物理的突出问题之一。尽管对这一主题进行了广泛的理论研究，但实验研究对象仍然很少。
连续的Mott跃迁通常受到几何挫折和降维的青睐，其中强量子涨落可以削弱甚至猝灭不同类型的有序。魔角二维过渡金属二卤族(TMDs)异质结构为Mott跃迁提供了理想的实验平台，该异质结构被认为实现了三角晶格Hubbard模式。该系统是高度可控的，允许独立调节填充因子和有效相互作用强度( U / W )。特别地，在场效应器件中，电子密度可以通过门控连续调谐。理论上，有效相互作用强度可以通过改变TMD层之间的转角来调整，转角决定了魔角周期，从而决定了带宽。这里作者演示了平面外电场连续调谐 U / W 。电场改变了两层TMD之间的电位差，进而改变了魔角电位差，主要改变了局域Wannier函数的大小和带宽。作者研究了在固定的半带填充时系统的电输运和磁性质作为有效相互作用的函数。
作者研究了具有空穴掺杂的近零取向的MoTe2/WSe2异质双层膜。两种TMD材料的晶格失配率约为7%。在零转角时，它们形成一个三角形的魔角超晶格，周期约为5 nm (图1a)，对应于魔角密度约为5 1012 cm-2。在每个TMD单分子层中，带边位于具有双自旋谷简并的Brillouin区的K/K'点。用密度泛函理论(DFT)表征了弛豫零度取向MoTe2/WSe2异质双层膜的电子能带结构。它们具有I型能带排列，价带偏移量约为300 meV(传导和价带边缘均来自MoTe2)。图1d给出了两个平面外位移场 D 下的前两个魔角价带，这两个值减小了价带偏移。位移场对能带色散有很强的影响。对于足够大的场，第一个魔角频带的带宽随 D 迅速增加(图1e)，支持带宽调谐MITs的可行性。两种材料的大晶格失配具有一些实际优势。由于魔角周期对零度附近的转角不敏感，异质结构不容易受到角度排列不均匀造成的失调的影响。与无序密度(约1011 cm-2)相比，较大的魔角密度或等效的掺杂密度在半填充时更有利于纯粹的相互作用驱动的MITs。最后，大掺杂密度有助于形成良好的电接触，以便在低温下进行传输测量。
作者用六方氮化硼(hBN)栅极介质和石墨栅极电极制作了MoTe2/WSe2异质双层材料的双栅场效应器件(图1a，1b)。位于顶部与底部的典型hBN的厚度分别为5 nm和20~30 nm。作者将器件按霍尔条几何形状进行图形化，并将4点片电阻降至300 mK。图1c显示器件1在300 mK时的方形电阻 R 是两个栅极电压的函数。它可以转换成电阻作为填充因子 f 的函数，并使用已知的器件几何形状应用于平面外电场 E (顶部和底部电场的平均值)。两个显著的电阻特征分别对应于 f = 1和2，其中 f = 1表示每个魔角晶胞有一个空穴，即魔角价带的一半被填满。在足够大的应用领域，它们都变成金属。 f = 2时的MIT在一个更小的场。它的机理不同于 f = 1时的Mott跃迁。应用的磁场关闭第一和第二魔角带之间的间隙，并诱导从带绝缘体到补偿半金属的过渡。它对Mott绝缘状态没有明显的影响。
图2a说明了典型电场下电阻在70 K以下的温度依赖性。它们表现出两种行为。在临界磁场以下，电阻在冷却时增加。这是绝缘体的特性。电阻随热活化而变化。作者在图2b中提取了用于电荷传输的激活间隙Δ。当 E c从下面接近时，间隙大小从几十meV单调减小到几meV。它遵循幂律关系Δ | E - E c| νz ，其中指数 νz0.60 0.05 (图2c)。
在临界电场以上，电阻在低温至10 K范围内与 T 2有关。这是具有电子-电子umklapp散射的Landau费米液体的特征。作者用 R = R 0 + AT 2拟合低温电阻，其中 R 0为剩余电阻，根据Kadowaki-Woods扩展定律， A 1/2与准粒子有效质量 m ⁎成正比。当 E 从上面接近 E c时(图2d)， A 1/2的电场依赖关系可以用幂律 A 1/2m * | E - E c|-1.4 0.1发散来很好地描述。结果表明，整个电子费米表面都对输运有贡献，由于MIT附近的量子涨落， m ⁎在 E c处发散。
电阻在较高温度下偏离 T 2的依赖关系，在温度 T *时达到最大值，并随着温度的进一步升高而减小。在这里，类绝缘行为遵循幂次定律，而不是激活温度依赖。 T *值在接近MIT时减小(图3c)。平方电阻可以超过Mott-Ioffe-Regel极限(图2a中水平虚线)， h / e 2，其中 h 和 e 分别表示普朗克常数和基本电荷。这相当于一个比魔角时期小的平均自由路径，并暗示了“坏”的金属行为。
接下来作者演示了MIT附近电阻曲线的量子临界尺度塌缩。作者首先确定临界场的精确值，在该值处观察到 R ( T )的简单幂律依赖性。作者用临界磁场 R c( T )处的电阻使 R ( T )归一化。MIT附近的电阻曲线在温度随磁场变化的 T 0s缩放后坍塌成两个分支(图3a，3b)。顶部和底部分支分别代表绝缘和金属传输行为，它们在对数图中显示出约 R / R c = 1的反射对称。作者通过在绝缘侧的一个场将其与测量的电荷间隙匹配来确定 T 0的刻度。使用相同的 T 0s，不作任何调整，在与临界点等距离的金属侧缩放曲线。尺度参数 T 0在接近临界场时连续消失(图2b)。与电荷间隙相似， T 0遵循幂律关系 T 0 | E - E c| νz 呈，其指数为 νz0.70 0.05 (图2c)。图3a，3b也比较了同一装置在不同热循环后的两组测量结果，受到紊乱的影响，非常接近临界点。
作者在图3c中显示了|log( R / R c)|的场温相图。它揭示了被广泛观察到的量子临界的“扇形”结构。Widom线接近临界场的垂直蓝线。 T ⁎线及其镜像(对应|log( R / R c)| 0.45)为MIT附近的有限温度交叉设定了尺度，即量子临界区边界。在这个区域内有d R /d T <0，它与下面讨论的Pomeranchuk效应相关。
由于Mott绝缘体的基态和低能激发态是由磁相互作用决定的，因此作者研究了临界点附近的磁性能。平行于二维平面的磁场与自旋耦合较弱，这是由于TMDs中强的Ising自旋-轨道相互作用。作者利用磁圆二色性(MCD)表征了TMD魔角异质结构中空穴在平面外磁场 B 下的磁化强度。图4a显示了MCD在1.6 K时的几个电场的磁场依赖关系。在小的区域内，MCD随 B 线性增加，在 B * (符号)以上饱和。饱和场 B *在金属侧随电场的增大而增大，而在绝缘侧则随电场的增大而减弱(约4-5 T)。两侧的MCD饱和是由不同的机理引起的。在金属方面， B *与磁阻饱和场(图4c)很好地吻合，此时传输从金属过渡到绝缘。在绝缘方面， B *反映了磁相互作用能尺度。MCD可以转换为磁化，因为在饱和时，它的值对应于完全极化自旋的磁化强度。
然后由 B = 0附近的磁化率斜率得到磁化率 χ 。图4b显示了 χ -1在不同电场下的温度依赖性。对于1.6 K以下的所有电场，它都是平滑的。高温条件下，所有的数据都可以用负的Weiss常数θ 30-40 K的Curie-Weiss依赖关系 χ -1T - θ 描述(图中虚线)。这反映了Hubbard模型局域矩之间的反铁磁超交换相互作用，并揭示了在MIT附近两侧的磁相互作用能约为3 meV (与图4a中绝缘侧测量到的 B *一致)。图4b还显示了在低温下，靠近MIT的两侧的磁化率都很高。在金属方面，磁化率饱和发生在 T * (用箭头标记)附近。磁化率也显示出一个平滑的依赖于电场通过MIT到1.6 K (图4d)。
在低温下，系统在金属方面是Landau费米液体，由费米面附近重费米子的Pauli磁化率给出 χ 。在~ T *以上，系统进入非相干状态，易感性遵循Curie-Weiss依赖性。这与通过 T *加热时从金属(d R /d T >0)到类似绝缘的(d R /d T <0)传输的交叉相关。这种行为让人想起在氦-3中观察到的Pomeranchuk效应，其中局域化电荷的增加和局域矩的形成导致加热时自旋熵的增加。当塞曼能量超过重正化带宽( gμ B B *W *)时，相干准粒子也会被破坏。这张图与图4c中的磁阻数据一致，并且 gμ B B *与图3c中的热激发能( k B T *W *)吻合较好。其中 g 、 μ B和 k B分别表示空穴 g 因子(TMDs中g 11)、玻尔磁子和玻尔兹曼常数。与大多数二维电子系统相比，TMD的魔角超晶格中的空穴塞曼能量明显大于回旋能，这是由于较大的 g 因子和较重的带质量，而魔角平带又进一步提高了带质量。
在MIT附近，由于 U 和 W 均为数十meV，磁相互作用能(~3 meV)为系统的最小能量尺度。最低测量温度(磁和输运性质分别为1.6 K和300 mK)远远低于这个能量尺度。因此，没有任何自旋间隙迹象的 χ 对所有电场的平滑温度依赖关系(图4b)和 χ 在MIT的平滑演化(图4d)支持了两侧没有长程磁序。这些观察指出，MIT从费米液体到非磁性(或120度Néel低于1.6 K)Mott绝缘体在有限温度下具有广泛的自旋熵。这是预期的受挫晶格，并被Pomeranchuk效应进一步证实。此外，由于 m ⁎在金属方面发散， χ 在MIT上的平滑演化意味着Landau参数 F 0a是发散的；类似地，发散的 F 0s压缩率必须在MIT处消失。
综上所述，作者证明了MoTe2/WSe2的魔角超晶格在300 mK下的连续Mott跃迁，并在量子临界点附近进行了标度分析。MIT是由改变平面外电场引起的，该电场主要改变魔角电位深度，从而改变 U / W 。作者的结果，包括连续消失的电荷隙，发散的有效质量，贯穿MIT的恒定自旋磁化率，以及Pomeranchuk效应，都指向了一个清晰的例子，在连续MIT中，整个电子费米表面突然消失。此外，由于半带填充密度几乎比无序密度高两个数量级，无序仅在观测到的相互作用驱动的MIT中起扰动作用。在二维电子气体系统中，作者观察到的密度调谐的MITs与具有非常不同的能量尺度且没有晶格的二维电子气体系统具有显著的相似性，突出了跃迁的普遍性。未来对跃迁附近的输运和磁性特性的研究，特别是在较低温度下的研究，可能揭示物质的新奇异态，如量子自旋液体。
你好，■ PSP介绍PSP全称PlayStation Portable，是一种由SONY开发的新型掌上游戏机。
它采用4.3寸16：9比例、背光全透式的夏普ASV超广可视角TFT液晶屏幕，屏幕大小达到480*272象素，而且色彩鲜艳亮丽，显示效果一流；拥有介于PS和PS2之间的3D多边形绘图能力，对应的曲面NURBS建模更是PS2所没有的功能，游戏画面达到了掌机游戏的新高度；可播放MPEG4视频文件ATRAC格式与MP3格式等音乐文件；使用PCM音源，对应3D环绕立体声，音域广音质也好。使用新研发的6厘米直径大小的“UMD”光盘作为游戏以及音像媒介，搭载USB接口与Memory Stick DUO记忆棒插槽，支持无线联机功能和热点连接互联网，机能拓展潜力巨大，是被SONY定位为“21世纪的WALKMAN”的重量级产品。综上所述，实际上PSP已经不只是一台游戏机，更是一台综合性的掌上多媒体娱乐终端设备。由于SONY不惜血本的低价“倾销”策略，PSP已经成为当前性价比最高的掌上型多媒体终端。
■ UMD介绍
UMD是SONY特地为PSP开发的多媒体储存媒介——Universal Media Disc，最大容量可以达到1.8GB，直径却仅仅是6cm。而且由于采用了UMD光碟与碟套一并插入PSP进行游戏的设计（参照MD的做法），大大降低了UMD光碟的磨损可能性。
目前UMD光盘只有只读格式，使用128BIT AES加密技术，而且所有UMD光盘只由SONY独家生产技术不外流，相信今后一段时期内都不会出现UMD的散装光盘
补充：SONY于1月20日表示将开放UMD的影音播放规格，广泛提供给各软硬体厂商进行UMD软件的出版与相容播放硬体的制造，不过UMD游戏方面仍然不公开。
■ 记忆棒
MS（Memory stick ，记忆棒） ，是由索尼于1999年推出的存储卡，通用于索尼系列产品，例如索尼笔记本，索尼数码相机等,可以储存UMD游戏的存档，存放MPG4电影与MP3音乐等。
■ 游戏
您可运行 UMD.Game 或内的游戏来玩PSP专用格式的PSP游戏。
■ 电影
您可观赏 UMD.Video 或保存于 Memory Stick Duo. 内的影像。（保存于 Memory Stick Duo. 内的影像）播放格式必须为 MPEG-4
■ 音乐
您可聆听 UMD.Audio 与保存于 Memory Stick Duo. 的音乐。（保存于 Memory Stick Duo. 的音乐）档案格式必须为ATRAC3plus.与MP3
ATRAC3plus（Adaptive Transform Acoustic Coding 3 Plus）
新产品同时使用ATRAC3Plus先进的压缩技术，让声音能够在维持高音质的前提下进行高效能的压缩；分别可依不同的档案大小以及压缩效果，选择压缩成256、132、105、66、64或48kbps的压缩比率，而选择256kbps的压缩比率，将可压缩出近似CD音质的音乐。
■ 图片
您可通过PSP浏览、翻阅保存于 Memory Stick Duo. 内的图片。（保存于 Memory Stick Duo. 内的图片）但图片格式必须为 JPEG
作者：咔丽咔(supercasper) 发表于：07-04-24 17:18:25[回复] [发送留言] Q：PSP机能有多强？
A：PSP英文全称：Playstasion Portable，拥有333MHz的CPU，32MB的主内存，4.3英寸480*272分辨率的液晶显示屏，可使用1.8GB的UMD光盘，也可使用目前最大容量为4GB的记忆棒扩展容量。实际3D画面表现能力介于PS和PS2之间，电池满负荷运行最大游戏时间为4-6小时。
Q：什么是普通版，什么又是豪华版，超级豪华版？
A：三个版本除附带的配件不同外，主机性能及质量没有任何差异。
普通版（BASE MODEL）内仅含有：PSP主机*1，变压器（电源线）*1，电池*1，售价为19800日元；
豪华版（VALUE PACK）则比普通版多出了32M记忆棒（MSD）*1，专用保护软包*1，腕绳*1，线控及耳机*1，售价为24800日元；
超级豪华版（GIGA PACK）则在豪华版的基础上将32M记忆棒（MSD）改为1GB，另外增加了：擦布，USB连接线，以及支架，售价为29800日元(目前市面上已经停售)。
Q：PSP主机一共有几种颜色？
A：现在是两种颜色，黑色和白色，价格相同(市面售价有差异)。而在香港和台湾地区“粉红色”主机已上市（2006年11月22日），普通版（1006PK），与其他两色无异；2007年发售了蓝色、银色和金色主机。
Q：选购PSP主机是要注意什么？
A： 首先，要辨明商家卖的是不是真正的新机。第二，在选购时须注意分辨主机系统版本，这将关系到能不能运行自制程序和UMD游戏镜像。第三，检查屏幕坏点。第四，试按键，每一个键都起作用，按起来很舒服就行。
另外，购买主机时候包装被开封等情况很正常，因为PSP包装在出厂时候就没有什么封条，所以说交钱开封的JS都很不负责。所有的PSP都没有开机画面,开机设定画面可以恢复的，所以BOSS说什么新机有开机画面是不可信的。豪华版在PSP上格式化一下记忆棒，看是否正常。记忆棒与说明书一起封装在一个塑料袋内，如果是散装在外面的，此机器很可能是别人用过的。
Q：如何辨别PSP翻新机？
A：是否是真正的新机可以从以下两点辨别：
1，要细心观察机器的外观，是否有划痕，全新的主机表面是没有或只有少量的灰尘，特别是摇杆，L / R键，其他按键的缝隙里等容易粘灰的地方。
2，屏幕和机身有没有指纹。全新的PSP全身散发着一种“亮”的感觉，看上去很舒服，旧的主机就相对黯淡，比较好分辨。当然有指纹的主机也不一定就是旧机，不过至少要怀疑一下这台机子是不是被别人挑掉的残次品。
3，看螺丝是否被拧过，把电池取下，看电池下方的主机上长方形和长条形深灰色印有文字的封条是否完好，没有被揭开重新贴过的痕迹。
Q：除了购买PSP主机我还需要买什么配件？[↑]
A：
必购： 由于PSP屏幕比较大而且容易划伤，所以你还需要买一张PSP屏幕保护贴膜(一般都在百元以内)；除此之外为了满足玩游戏、听音乐、看电影的需求还要买一个大容量的记忆棒(一般都买2G容量的，因为比较大的游戏都超过了1G)；为了能方便的拷贝游戏、电影等文件到PSP内，你需要买一根数据线(50元内)；如果要玩更多游戏需要买一张UMD引导盘。
选购：如果你经常携带PSP外出，可以考虑买一个PSP包(布或皮质的)或者保护壳(有金属的和塑料的)；最后如果你认为电池使用时间太短，可以购买大容量备用电池。
Q：PSP电源（变压器）需要另购吗？[↑]
A：不需要，任何地区版本的PSP所附带的电源都是110V~240V的，不需要另购电源（变压器）。
Q：如何查看PSP系统版本？[↑]
A：开机后进入“系统设定（System setting）”，选择查看“系统信息（System information）”。第二行显示的数字即为系统版本号。
作者：咔丽咔(supercasper) 发表于：07-04-24 17:19:13[回复] [发送留言] Q：如何检查PSP屏幕坏点？[↑]
A：屏幕坏点的问题可以作为挑选的依据，但是不必看的太重，毕竟在实际使用中几乎是感觉不到的，坏点有两种：1、亮点-只显示一种颜色；2、暗点-一直都是黑的，不发光。一般来说1到3个坏点属于正常，当然没有更好。相对于坏点，屏幕上的划痕其实更为显眼，所以说购买一个屏幕保护膜是很重要的。
关于屏幕坏点问题，简单的测试有两种方法：
1，把日期调整到1月，这时的屏幕颜色是近乎白色，比较容易看出黑色的坏点，接着换不同月份切换底色来继续检查不同颜色的坏点。
2，进入设置中最后一个选项：About psp。快速按确定键两下，即可迅速进入黑色屏幕状态，这个时候要检查亮点，可谓一目了然。
如果想要万无一失的话，则是放上5种纯色图片，检查各种瑕疵，但需要自备记忆棒。图片可到电玩巴士下载。
Q：购买PSP屏幕保护膜时需要注意哪些？[↑]
A：在选购好PSP的同时最好一起买屏幕保护膜。PSP的屏幕是相对比较脆弱的，使用不小心就会在上面留下永久的痕迹，这比屏幕坏点损害更大。爱惜PSP的玩家建议选购一张质量好的屏幕保护膜。
市面上有原装膜和组装膜，推荐购买原装膜，在透明度和质量上都比组装的出色很多，而组装膜的透光度不足，影响屏幕显示效果。主要有HORI、CAPEDASE、LEPO等，都是不错的选择。价格一般是几十元左右。
Q：购买记忆棒时需要注意哪些？[↑]
A：目前记忆棒有两个品牌SONY和SanDisk。两种都不错。
如何选购SONY记忆棒？
目前市场上Sony品牌的记忆棒分为索广行货，原装水货，组装货。
索广行货是索尼授权生产的，在外包装上有索广的标签，这种记忆棒品质有保证，但是价格相对较贵。
原装水货也是真货，只不过没有通过正规的代理，所以保修就没有了保障。而且目前市面上这种货很少，购买时请注意。
而最近很红火的组装棒其实并不是Sony生产的，只是一些地下工厂自己采购Sandisk芯片或者其他芯片，然后装上Sony的壳子进行销售。这种记忆棒很便宜，价格大概在原装的一半以下，一开始出现时质量有很大问题（商家承诺一年包换），不过找目前市场来看组棒质量也在上升，传输速度不会有太大问题，市面上最多的是这样的记忆棒，是否值得购买玩家自己决定。
如何选购Sandisk记忆棒？
Sandisk的情况相对简单，只有行货和水货，目前尚不存在假货。而且水货和行货很容易识别，只要注意防伪标签和800免费电话查询就能买到真正的行货。下面就Sandisk行货具体说明一下。Sandisk在国内的代理主要是上海宏衢，提供5年质保。市场上，上海宏衢货源充足，比较容易买到。
何为高速棒：高速棒就是传输速度比普通记忆棒高的记忆棒，一般记忆棒上面会标有HIGH SPEED字样(但是现在造假技术高明，最好现场测试速度)。
Q：选购PSP电池时需要注意哪些问题？[↑]
A：据测试，在psp在声音、亮度开启最小时，玩记忆棒里的游戏，每小时耗电300~400mA，也就是说用PSP的自带的1800mA电池可以使用4.5~6小时左右。以此便可推算其他容量电池的大致使用时间。PSP电池在使用一年之后便将可能出现使用时间逐渐变短的情况。
另外，外接电池的最大特点就是容量超大，一般是PSP电池的3~4倍，购买时尽量选择知名品牌的电池，或者知名电池生产商，实在不行就看看做工、包装、外观是否精致、有无质量承诺保证。若采用没有任何认证的垃圾电池，还会对PSP造成损伤，尤其是液晶屏，或者造成PSP主机故障。
Q：什么是PSP软件降级？什么PSP是硬件降级？[↑]
A：所谓的软件降级，其实是利用系统漏洞，在高版本上运行较低版本的SONY官方系统升级包来实现的“非正规升级”。换句话说，软件降级是强行将1.50版固件程序安装到高版本的机器上。现在所有的PSP主机都可以软件降级。
硬件降级，也分为两种，一种是使用特殊硬件设备来刷写PSP固件芯片的手段来实现降级，一种则是需要将TA-082以上的主板改造为TA-081型，然后再运行之前的软件降级程序以达到降级的目的。使用前者可能导致MAC地址改变，造成《怪物猎人》等游戏无法联机（也有报告称并不会造成联机不能，这视当地改机者所掌握的技术水平而定），而后者目前为止没发现什么问题，使用起来与普通的1.50系统的机器很难分辨。目前硬件降级价格为100-200元。
如果你所买的PSP是软降的当然比较好，如果是不能软降的也可以考虑硬降，目前比较大的城市差不多都有可以硬降的地方了。
Q：什么是自制程序？[↑]
A：相对于UMD光盘形式出售的商业程序（游戏）和以下载形式提供的试玩版，系统升级包和通过系统漏洞得以运行的非SONY授权的所有程序、游戏均属于自制程序。自制程序所涉及的范围包括：ISO引导器、模拟器、电子书阅读器、媒体播放器等等。自制程序是获得额外的非官方功能的途径。能够在PSP上运行的程序必须放于ms0:PSPGAMEXXX文件夹下，XXX可为任意字符，但程序名称必须为EBOOT.PBP（“ms0”指记忆棒所形成的可移动磁盘盘符。）
Q：什么样的PSP主机上可以运行自制程序？如何运行，如何安装？[↑]
A：所有系统版本均可，其中1.00系统可以直接启动自制程序，将程序放于ms0:PSPGAMEXXX目录下即可。
1.50系统也可以直接启动自制程序，但需要将自制程序分为两个EBOOT.PBP文件，分别放在A及A%文件夹中，安装时需要将这两个文件夹一起拷贝至ms0:PSPGAME。
2.00至3.03版本PSP，则需要通过降级程序，降级到1.5系统。
OE自制系统使用自制程序也有所不同，能够使用1.5的程序。
Q：什么样的PSP可以玩ISO，什么样的不可以？[↑]
A：ISO是UMD光盘的镜像，将半导体芯片上的数据读取出来生成的文件被称为ROM，而光盘介质上的数据读取出来生成的文件称为ISO。
可以这么说，下至1.00上至3.03的主机都是可以通过不同方式运行ISO的。其中不能直接运行ISO的系统：2.00、2.50、2.60、2.70、2.71、2.80、2.81、2.82、3.00、3.02以及3.03则可以通过升级或降级至1.50从而可以运行ISO。如果想了解运行ISO详细信息看这里。
Q：如何运行ISO游戏？[↑]
A：目前所流行的ISO游戏运行方法，是通过升级为3.XXOE系列自制系统来运行ISO的。运行的时候有时候需要光驱内有一张UMD游戏光盘（也可以是市面上称为引导盘的DEMO盘）。这个自制系统是国外黑客在官方系统上改进来的，能够实现最新官方系统所拥有的功能，例如用PS模拟器、摄像头、GPS等，而且拥有1.5能直接运行自制软件的特性，最强大的是直接运行PSP游戏ISO。（详见玩游戏专题）
Q：如何用PSP播放MP3，MP4，以及如何设置壁纸？[↑]
A：MP3等音乐文件需要放于ms0:PSPMUSIC目录内，可在建立子目录，可任意命名。MPEG-4AVC文件命名为MAQXXXXX.MP4，需要放于ms0:MP_ROOTXXXANV01目录内；MPEG-4文件命名为M4VXXXXX.MP4，需要放于ms0:MP_ROOTXXXMNV01目录内。两者的后缀名都为*.MP4，请注意区分。X代表任意数字，但总体位数不可缩短。
也可以把视频文件放在记忆棒根目录下VIDEO文件夹内。
(不是所有系统的PSP都可以随意更换壁纸)壁纸文件可以为：*.BMP，*.JPG，*.PNG等格式，放于ms0:PSPPHOTO目录内，可再建立子目录，可任意命名，建议采用480*272大小的图片，以完全适合PSP屏幕大小。设置时先在Setting（设置）模式下，将Theme Settings（界面设置）中的Wallpaper设置为Use。然后返回Photo（照片）按三角键，选择第一行左数第二个图标“Set as Wallpaper”，即可将当前所浏览的图片设置为桌面壁纸。
Q：如何用PSP玩模拟器，如何播放PMP电影，如何浏览电子书？[↑]
A：首先根据你的系统安装所需要的相应的模拟器，然后将ROM文件放于记忆棒上的任何位置都可以，一般为便于查找，我们会选择放于模拟器所安装的目录下（无%）的ROM或者ROMS文件夹内。
而要播放PMP电影也需要安装相应的PMP播放器，*.pmp格式的电影文件放于ms0:PSPVIDEO文件夹内。
同样浏览电子书也需要安装相应的阅读器，*.txt文件可以放于任意位置。
Q：如何升级PSP系统？[↑]
A：Sony官方系统升级包也是一个名为EBOOT.PBP的程序，必须将其放于ms0:PSPGAMEUPDATE目录下。升级时请保证电池电量充足，并连接电源。 18212希望对你有帮助！
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