半导体制冷片叠加的越多越好吗?

不是。

半导体制冷片制冷不够，只要散热风机或者散热模板的换热量就行。叠不叠加对半导体制冷片的制冷量影响不大。

半导体制冷片什么型号的效果比较好主要看你的用途。一般来说，多层大面积的制冷片，制冷效果比单层好。

如果想得到更大的制泠量，建议采用二级制冷方式，即用两片叠起来用，上面一块的冷面吸收下面一块的发热，实验证明二级制冷比单级效果好得多，如果有条件可以选三级的，当然要有大功率电源支持。

9月15号华为麒麟系列高端芯片，包括全新的麒麟9000，在售的麒麟990或都将迎来断供。这意味着接下来即将发布的全新旗舰，Mate40系列手机不仅产能有限，而且将会是麒麟系列芯片的绝版手机。华为手机或将退回联发科时代。

而这样的结果，原因已经人尽皆知，美国的疯狂制裁，遏制华为这类中国半导体企业。就是为了限制中国半导体产业的天花板高度，你可以做得比别人好 但是你不能超过我，归根到底就是钱。

目前中国每年的半导体产品进口额，已超过三千亿美元。贸易逆差超两千亿美元。这样的逆差是什么概念？也就是说我们每年要给半导体全球产业链上的国家，贡献两千多亿美元，两千亿美元的外汇又是什么概念，我们每年的原油进口额不到两千亿美元。随着中国互联网的全面扩大，半导体产品进口已经悄无声息地成为进口商品第一大项目。如果我们在半导体上取得突破，某些人不仅会失去全球最大的客户，还会被自己的客户抢去饭碗，也正是因为这样的逆差，我们更要下定决心发展自己的半导体产业。

目前旧版的EDA软件还能用，各种公版芯片架构也还没被限制授权。华为芯片设计水平依然能处于世界一流水平，麒麟9000芯片制程已经缩小到5纳米级别。能够媲美苹果旗舰芯片。其实，看美国人有多紧张，就能知道今天的华为有多出色。目前被抓住咽喉的是如何把设计变成产品，至于为什么说是目前，不言而喻，EDA设计软件停更 架构限制授权，都会成为美国接下来的限制工具。目前美国砍向华为的大刀是让华为喘不过气来的荷兰阿斯麦尔EUV光刻机。我们不生产芯片，我们只是光刻机制造商。这是一家一年卖222套机器，净利润就有14.67亿欧元的光刻机垄断企业。

阿斯麦尔也是全球唯一一家，能够提供7纳米及以下制程的企业，为什么这么牛X的企业不在法国，不在美国。而是在一个以发达农业著称。全球工作时间最短的荷兰。

1984年阿斯麦尔和飞利浦合资成立阿斯麦尔，后来阿斯麦尔买下了飞利浦的股份，成为阿斯麦尔独资公司。成立之初只有31名员工，那时候的光刻机还是日本和美国企业的天下。

一直到2007年，阿斯麦尔都没办法在尼康面前抬起头，直到台积电的工程师林本坚提出浸润式光刻机。阿斯麦尔翻身的日子来了。日美没有光刻机公司愿意和台积电联合研发浸润式光刻机。阿斯麦尔决定赌一把，和台积电合作，最终成功实现了132纳米的芯片工艺。一把把尼康甩在身后，阿斯麦尔的EUV光刻机迅速走红。台积电、英特尔年年砸钱抢着要，荷兰只是阿斯麦尔的注册地背后是整个欧洲和美国的支持。德国工业的蔡司镜头，Cymer的光源技术，HMI的电子束检测设备等。阿斯麦尔自然也受到美国的监管和扶持，也正是因为荷兰实力较弱，把阿斯麦尔放在荷兰让美国人很放心。

两年前我们好说歹说，为荷兰送去天价的贸易订单，换来阿斯麦尔2019年向中芯国际，交付两台极紫外EUV光刻机，但是这两台光刻机目前来看已经是化为泡影。等到若干年后阿斯麦尔履行合同已经是老旧产品，人类文明发展到如今，一块芯片是目前人类文明最为顶尖的体现，一台顶级光刻机是比航母战斗群还要致命的国之重器。

美国人自然要牢牢抓着光刻机，美国掌握全球半导体产业的话语权这点不奇怪。要分析的是美国为什么会掌握着全球半导体产业的话语权，向来在 科技 领域藐视美国的日本，为什么突然显得无声无息。

早在1946年，世界第一块PN结型晶体管在美国人威廉·肖克利的手中诞生。1960世界第一块硅集成电路在美国仙童半导体公司出现。标志着半导体产业进入“硅”时代。彼时的日本还是一个意气风发的少年，完全看不出是首都被炸得满目疮痍。两个城市挨过原子d的国家，战后的日本人什么都想做 也什么都能做。对于半导体而言，日本人志在必得。

1955年，索尼成立仅十年，开始涉足半导体产业，用来制造收音机。日本企业纷纷加入生产，大量爆款收音机涌入美国。十年后的1959年，一年内日本就制造了8600万个晶体管直接超越美国成为世界第一晶体管生产国，真的是初生牛犊不怕虎。日本又在一个行业超越了老大哥三菱、京都电气等也在日本政府的扶持下，在美国技术的基础上 涉足半导体产业，这种上下一心通力合作的单一民族国家，不可谓不可怕。

1973年石油危机爆发。经济衰退，欧美家庭加不起油也买不起电脑，半导体产业衰退。日本人的卡西欧计算器遭遇了滑铁卢。美国人又研发出了更先进的 IC集成电路。日本人就从危机中看到了机会，日本迅速落实DRAM制法革新，日本政府出资320亿日元。民间企业抱团出资400亿日元。差不多有2.36亿美元 这是70年代，日本VLSI 技术研究所由此成立，专攻电子计算机领域。日本最终实现了DRAM的全国产化，DRAM这个东西很常见，也就是现在计算机上的内存条，是一种作为存储功能的半导体元件。而这时候的中国，选择了解决温饱加强国防 科技 为优先的道路。

日本人没炸出核d，却炸出了一个半导体。日本继续投入研发在半导体的道路上迅速超越了美国。SUMCO、京瓷、东京电子等很多现在耳熟能详的日本企业在当年都是日本半导体产业链上的功勋企业，而在最关键的光刻机领域，日本也实现了国产化。尼康光刻机誉满全球。没错，早期的世界光刻机霸主是尼康。

1985年日本半导体市场占有率超过美国。日本企业占有率达53%，美国仅37%，拿得出手的公司只有德州仪器、因特尔、摩托罗拉，此时欧共体占12%。主要由飞利浦的阿斯麦尔贡献，当年谁也没想到这家阿斯麦尔才是最后的赢家。说个题外话，这一年的韩国也有1%的市场份额。总之，全球半导体产业已经由美国转移到日本。而且日本半导体已经强大到难以想象，用形容美国的词来说，就是一超多强。

除了战后美国要扶持日本，更因为日本自己就是一个DRAM大市场。仅 汽车 产业一块 每年就有源源不断的订单，而美国的半导体订单更多的是来自军方，其实看很多产业 美国和日本都是亦敌亦友的存在，不过是兄弟又能怎么样，本来是我吃肉你喝汤，现在把我的肉都吞了。

在PC还没普及的年代，全世界已经知道未来的工业引擎一定会从内燃机转移到半导体芯片上。正好赶上80年代国际局势缓和，日本在远东的政治作用下降，美日之间的贸易问题反而浮出水面。

仅在1985年，日本就给美国送去了497亿美元的贸易逆差。美国人对日本半导体产业的崛起已经不想忍了，美日半导体战争爆发，今天在中兴、华为身上发生的。在上个世纪的日本已经上演过。

第一波被针对的日本企业是三菱和日立，FBI假扮成IBM的员工，把10卷包含商业机密的文件，主动发给日立公司高级工程师林贤治。这位不幸的工程就这么上钩了。

1931年的南满铁路路轨和1937年的卢沟桥。日本人也是同样的手段 现在自己也要挨炮了，日本企业窃取美国技术的新闻迅速传开，日本威胁论也在美国大行其道。

1989年美国人最喜欢做的民意调查显示，68%的美国人认为日本是最大的敌人。第一次美日半导体谈判，美国要求没多的半导体，在日本的市场提升到20%~30%。建立价格监督机制。终止第三国倾销。加上一份《广场协定》和房地产增值，日本陷入经济泡沫。没办法，如果不让美国芯片进入日本市场，老大哥的各种的制裁让你不得安生，就不给你国防扶持。

1986年7月31日日本人签下了条约，但是美国半导体企业还是不争气，老爹都这样铺路了 市场份额还是不及日本企业。日本给美国制造的贸易逆差扩大到了586亿美元，美国人软硬兼施，先是在二战后第一次向日本低头，肯定日本半导体行业主动涨价。

1987年东芝事件被曝光，美国趁着东芝私自给苏联出口大型铣床为由，对东芝好一顿胖揍 目的自然是要打压东芝的半导体生产，1989年再次和日本签订了不平等条约《日美半导体保障协定》。

但是日本的半导体产业真的是小强完全打不死。美国人准备开始搞第三次《日美半导体保障协定》，这一回美国人开始玩起了套路，开始扶持韩国来和日本竞争，这时候全球通讯技术刚好进入1G时代。三星和现在的韩国车一样，凭借性价比出击市场，而日本企业还在走品质路线，所以吃了不少亏。美国帮助三星拿下东芝的半导体生产线 从日本企业挖人。美国对日本进口的半导体产品征税100%，对韩国半导体产品只征收象征性的0.74%，做到这一步 第三次《日美半导体保障协定》没有签署。因为美国的预期已经达到了。

韩国人也真不是吃素的，鹬蚌相争渔翁得利。三星迅速崛起，形成了全球半导体产业以美日韩三国鼎立的局面。

时间到了1995年，死扛了十余年的日本半导体企业终于喘不过气。NEC(第一)、东芝(第二)、日立制作所(第三)、富士通(第八)、三菱电机(第九)这个排名是1995年全球半导体产业企业排名。日本企业交出的成绩单，也是最后的光辉时刻。到了九十年代末期，日本半导体市场不仅被美国超越，还被韩国超越。全球半导体产业从日本转移到韩国，韩国还超越了美国，仅仅靠三星一家公司，而三星为什么能活到现在。

作为韩国最大的财阀，三星的股本有多少是美资，心知肚明，20世纪的最后一年，日本还能喘息的几家半导体企业联合成立Elpida，也就是尔必达。这个尔必达注定是个南明政权。美国人没有手下留情，继续出击，2012年尔必达宣布破产。

日本企业全面退出DRAM的全球竞争，尼康光刻机也在2007年败下阵来，日本半导体行业进入萧条期。回顾日本半导体产业成长的近半个世纪时间，政府牵头避免企业间重复研发，敏锐的嗅觉，超高的良品率，都是日本半导体辉煌的原因。失败的原因也很明显，除了来自老大哥的压力 日本也有自己的内因。

90年代末期，日本半导体公司就没有预期到PC时代的全面普及。在电脑芯片领域完全败下阵来，更别说在现在的智能手机时代分一杯羹了。不过瘦死的骆驼比马大，现在的日本半导体产业，还能老老实实为全球提供硅片、溅射靶材、光刻胶等半导体材料。每年依然赚的满满当当，而美国重新回到半导体产业的头把交椅，整个行业一直拿捏得死死的。

日本半导体产业当年挨打的 历史 ，和今天的华为如出一辙，还有中兴的前车之鉴，证明了一只狼，就算是已经吃饱的狼，不可能喂饱。不断割肉只会削弱自己的实力。在半导体产业上的落后，我们承认，但是我们不认输。由中芯国际已经能生产14纳米级别芯片，理论上可以在未来几年内完成对7纳米芯片的冲刺，而且能自主制造90纳米光刻机，底子还是有的。而摆在华为，中芯国际眼前的掣肘就是这个东西我知道长什么样子，但是我要怎么做出这个样子的东西，一台光刻机难倒了14亿中国人。除了光刻机，还要拿下EDA软件，更高自主性的架构才能设计出更高性能芯片。

这是一条非常长的路，可能是一场长达十余年的没有硝烟的战争。我们也没把鸡蛋放在一个篮子里，随着摩尔定律的逼近。如果阿斯麦尔这几年不能交付2纳米的EUV光刻机，全球半导体产业即将迎来天花板，不然芯片就要从纳米级跳进原子级别，想用 *** 刀原子来建造一座指甲盖大小的超级城市，这就不是地球上的光刻机能完成的了。

其实硅基半导体并不是信息产业唯一的支柱，如果说半导体技术是打开了20世纪的大门，那么叩响21世纪大门的 则是量子信息技术，在集成电路逐渐触及天花板的情况下，量子通信有望实现降维打击。传统的集成电路只能现实0或者1，需要进行大量运算，需要海量电路，属于二进制信息单元，即经典比特，而量子芯片能通过亚原子粒子编码数据，以量子比特进行运算，最大的优势就是能进行叠加态运算。

经典比特需要一次一次运算，需要更密集的集成电路。而量子比特可以用量子状态进行表示能同时进行一百次的运算或者存储，而且量子芯片能摆脱硅基的限制，能改变欧美光刻机垄断的局面。

中国在量子信息技术上已经走在了世界前列，世界首颗量子卫星“墨子号”世界第一条量子通信保密干线、京沪干线都由出自中国科学家之手，芯动不如行动，只要肯做 肯投入、肯合作、沉得住气，距离国产芯片摆脱掣肘的一天 并不会太远。

（1）元素半导体。元素半导体是指单一元素构成的半导体，其中对硅、硒的研究比较早。它是由相同元素组成的具有半导体特性的固体材料，容易受到微量杂质和外界条件的影响而发生变化。目前， 只有硅、锗性能好，运用的比较广，硒在电子照明和光电领域中应用。硅在半导体工业中运用的多，这主要受到二氧化硅的影响，能够在器件制作上形成掩膜，能够提高半导体器件的稳定性，利于自动化工业生产。[2]

（2）无机合成物半导体。无机合成物主要是通过单一元素构成半导体材料，当然也有多种元素构成的半导体材料，主要的半导体性质有I族与V、VI、VII族；II族与IV、V、VI、VII族；III族与V、VI族；IV族与IV、VI族V族与VI族；VI族与VI族的结合化合物，但受到元素的特性和制作方式的影响，不是所有的化合物都能够符合半导体材料的要求。这一半导体主要运用到高速器件中，InP制造的晶体管的速度比其他材料都高，主要运用到光电集成电路、抗核辐射器件中。 对于导电率高的材料，主要用于LED等方面。[2]

（3）有机合成物半导体。有机化合物是指含分子中含有碳键的化合物，把有机化合物和碳键垂直，叠加的方式能够形成导带，通过化学的添加，能够让其进入到能带，这样可以发生电导率，从而形成有机化合物半导体。这一半导体和以往的半导体相比，具有成本低、溶解性好、材料轻加工容易的特点。可以通过控制分子的方式来控制导电性能，应用的范围比较广，主要用于有机薄膜、有机照明等方面。[2]

（4）非晶态半导体。它又被叫做无定形半导体或玻璃半导体，属于半导电性的一类材料。非晶半导体和其他非晶材料一样，都是短程有序、长程无序结构。它主要是通过改变原子相对位置，改变原有的周期性排列，形成非晶硅。晶态和非晶态主要区别于原子排列是否具有长程序。非晶态半导体的性能控制难，随着技术的发明，非晶态半导体开始使用。这一制作工序简单，主要用于工程类，在光吸收方面有很好的效果，主要运用到太阳能电池和液晶显示屏中。[2]

（5）本征半导体：不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下，半导体的价带是满带，受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。空穴导电并不是实际运动，而是一种等效。电子导电时等电量的空穴会沿其反方向运动。[5] 它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消失，称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。在一定温度下，电子-空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子-空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大，实际应用不多。[6]

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