半导体外延生长厚度

半导体外延生长厚度是500-800微米。通过气相外延沉积的方法在衬底上进行长晶，与最下面的衬底结晶面整齐排列进行生长，新生长的单晶层称为外延层，长了外延片的衬底称为外延片。作为衬底的硅片根据尺寸不同，厚度一般在500-800微米，常用的外延层厚度为2-100微米。

对集成电路来说：一般来说4寸晶圆的厚度为0.520mm,6寸晶圆的厚度为

0.670mm左右。晶圆必须要减薄，否则对划片刀的损耗很大，而且要划两刀。我们做DIP封装，4寸晶圆要减薄到0.300mm；6寸晶圆要减薄到0.320mm左右，误差0.020mm。

半导体材料的厚度与吸收光谱的关系。半导体导带和价带之间存在能隙（energy gap），当入射光的能量等于能隙时，入射光将会被材料大量吸收，因此会在能隙位置出现吸收峰，这是半导体材料吸收光谱的特征峰位置。

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