莫特跃迁现象之谜，解密半导体纳米激光

莫特密度国际上规定半导体从绝缘体变成导体，光学增益第一次出现的点。莫特跃迁现象中实现莫特转换和密度所需的电力远远超过了未来高效计算机所需要的电力，所以这就需要一种新的低功耗纳米激光器来实现，如果没有研究团队研究这种新低功耗纳米激光器，那么将在未来一台超级计算机将需要一个小发电站来供应电力，所以电力功耗非常之巨大。 我们必须要研制出一种能够实现低功耗的机器，莫特跃迁以下的激子复合物就实现了光学增益，那么功率的输入将会显而易见的变低。强烈的电荷相互作用，使得其激子与三电子即使在室温下也非常的稳定，而如何实现光学增益来降低这种功率消耗？研究人员可以 探索 电子，空穴，激子和三电子的平衡，并且控制它们之间的相互转换，并且在非常低的密度水平就能够实现光学增益。而莫特跃迁现象刚好适用于光学增益，研究人员就可以利用莫特跃迁铅现象来实现低功率的二维半导体纳米激光器制造，由于不确定的纳米激光器的机制，所以在解决莫特跃迁现象仍有许多问题有待解决。在90年代外国人也做过类似的实验，但是激子和三电子非常的不稳定，在实验中无法观察到光学增益，所以就失败了。纳米激光器的制造有赖于这种新的光学增益机制，也就是这种莫特跃迁现象。该研究还停留在物理基础的工作当中，研究人员未来还有许多工作要做。在未来的 社会 当中，光学增益可能会被应用到新的纳米激光器，这样就能够改变超级计算和数据中心的未来。计算机的未来是将激光和电磁设备集结在一个单一的集成电路平台当中，即超级计算机。能够在一块芯片当中发挥巨大的作用，所以在未来将莫特跃迁现象应用到实际当中还有待突破。

1000纳米（1微米）以下的半导体芯片通常用于不同的应用，根据应用的类型会有所不同。以下是几个使用1000纳米半导体芯片的应用：

1. 计算机处理器: 计算机使用半导体芯片来处理数字信号。而在制造电脑处理器的芯片时，纳米级别的工艺已经成为主流，为用户提供更强大的计算功能。

2. 移动设备: 手机、平板和智能手表等移动电子设备都使用半导体芯片，包括1000纳米以下的芯片。这些芯片使得设备更加智能化和高效化，例如更快的处理速度和更长的电池寿命。

3. 摄像头: 1000纳米以下的芯片还可以用于制造数字摄像头。这些芯片可以处理计算机视觉算法，这使得它们非常适合在机器人、工业和监视等领域使用。

4. 光学：1000纳米以下的芯片可以用于制造用于光学通信和激光通信的激光器和探测器。这些芯片也可用于安全检测，如指纹检测等。

5. 医疗设备: 1000纳米以下的芯片还可以用于制造医疗设备，例如体外诊断产品和人工器官等。

总之，1000纳米以下的半导体芯片已经广泛应用于各种领域，由于其小巧、节能和高效的特点，将在未来的技术革新中继续发挥重要的作用。

手性纳米光子界面Chiral nanophotonic interfaces，能够实现导向光学模式和圆形二向色材料之间传播方向相关的相互作用。界面手性的电调谐，将有助于片上光电和光子电路主动、可切换非互易性，但仍然极具挑战。

近日，美国 芝加哥大学 Alexander A. High团队在Nature Photonics上发文，报道了在原子薄单层二硒化钨tungsten diselenide（WSe2）纳米光子界面中的电可控手性。二氧化钛波导直接制作在低无序氮化硼封装的WSe2表面上。在积分之后，从激子态到波导中的光致发光，可以在平衡发射和定向偏置发射之间电切换。工作原理利用了WSe2中激子态掺杂相关的谷极化。此外，纳米光子波导,可以用作扩散激子通量的近场源，其显示从界面手性继承的谷和自旋极化。这种多功能制造方法，使光子学与范德瓦尔斯异质结构的确定性集成成为可能，并可提供对其激子和电荷载流子行为的光学控制。

Electrically controllable chirality in a nanophotonic interface with a two-dimensional semiconductor

二维半导体的纳米光子界面中的电控手性。

图2：界面静电调谐。

图3：谷极化的栅极依赖性。

图4：谷（自旋）极化激子通量的光子泵浦。

该项研究演示了与六方氮化硼hexagonal boron nitride,hBN封装的、电门控WSe2单层连接的光子波导。界面表现出从0%到20%电可调手性-定向耦合效率chiral–directional coupling efficiency，CDCE，并通过近场激发产生谷（自旋）极化激子通量。

除了线性波导，多功能纳米光子制造方法，可以将过渡金属硫化物TMDCs与更复杂的光子结构连接，其中器件几何形状和尺寸仅，受先进光刻技术限制，使光子环调制器和干涉仪，以及光子晶体中的激子-极化激元成为可能。

结合二维材料大面积生长、剥离和组装的最新进展，这将提高异质结构产量和可扩展性，超越目前限制，这项工作，为其与纳米光子电路的确定性、晶圆级集成，建立了一个通用平台。

重要的是，该界面的可调手性（以前在其他手性光学界面中无法获得）依赖于过渡金属硫化物TMDC单层中激子态掺杂相关的谷动力学。多层和扭曲的范德瓦尔斯异质结构，展示了设计的、奇异的谷特性，也可以与这种波导界面相结合，用于额外手性功能，如栅极可逆发射路由，并提供基于二维材料的新光子逻辑和控制方案。

此外，原子薄半导体中，激子扩散的纳米光子驱动，在分布式光子元件和局部激子电路之间建立了一座桥梁。此外，通过手性过渡金属硫化物TMDC–光子界面的近场光泵浦，可用于产生单层中驻留电荷载流子的自旋极化。这种光学制备的自旋极化电子态，对载流子掺杂水平敏感，可以打破界面时间反演对称性，实现集成纳米光子结构中的栅极激活全光非互易性。

文献链接：https://www.nature.com/articles/s41566-022-00971-7

DOI: https://doi.org/10.1038/s41566-022-00971-7

本文译自Nature。

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