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WELLIDA现货大量供应:
4N25SMT&R
4N35SMT&R
6N136
6N137
CNY17-3X
CNY17-3XSM
CNY17-3XSMT&R
CNY-7-3XSM
H11L2SM
H21A1
H21A2
H21A3
H22A1
H22A2
H22A3
IS127
IS181
IS181GB
IS281-4
IS281GB
ISP844XSM
MOC3021G
MOC3063S-TA1
MOC3083SM
MOC8050
PS2505-1
TLP321-1
TLP521-1
TLP521-1GB
TLP521-1SM
TLP521-2
TLP521-2GB
TLP521-2SMT&R
TLP521-4
TLP521-4GB
TLP521-4GBSM
TLP521-4SM
TLP621-2
TLP627
半导体器件中iso区是浅沟道隔离。能实现高密度的隔离,深亚微米器件和DRAM等高密度存储电路。在器件制作之前进行,热预算小,STI技术工艺步骤类似LOCOS,依次生长SiO2淀积Si3N4涂敷光刻胶,光刻去掉场区的SiO2和Si3N4。利用离子刻蚀在场区形成浅的沟槽。进行场区注入,再用CVD淀积SiO2填充沟槽,用化学机械抛光技术去掉表面的氧化层,使硅片表面平整化。工艺复杂,要回刻或者CMP。ISOCOM光耦,具有30年的光耦制造经验,是英国光耦制造专家,ISOCOM安数光提供其他厂家停产的光耦产品和客户定制的服务,货期短,稳定性超强,品质好,价格好,与AYAGO,东芝,仙童,NES,SHARP,VISHAY等完全兼容,可以代用日,美的所有品牌。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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