半导体概念股票有哪些

半导体主要有以下股票：

一、明阳电路（300739）

明阳电路（300739）近日发布2018年财报，公告显示，报告期内实现营收11.31亿元，同比增长7.35%；归属于上市公司股东的净利润1.21亿元，同比增长3.76%；

基本每股收益为0.67元，同比下滑11.84%。截至2018年12月31日，明阳电路归属于上市公司股东的净资产12.54亿元，较上年末增长137.9%。

二、泰晶科技（603738）

据悉，泰晶科技主营业务为石英晶体谐振器的研发、生产、销售。日前，泰晶科技发布了2018年年报，报告期内实现营收6.11亿元，同比增长13.21；实现净利润3635.87万元，同比下滑43.66%。其中，2018年第四季度实现营业收入1.44亿元，环比增长3.58%；但归属于上市公司股东的净利润-508.44万元。

三、顺络电子（002138）

顺络电子2019年一季度毛利率为34.78%，同比2018年一季度毛利率增长了1.47个百分点，环比2018年四季度毛利率增长了3.78个百分点，公司产品盈利能力平稳有升。

主要是高毛利产品的市场销售比重提升。对比2018年一季度同期，顺络电子工资和研发支出均大幅度增长，合计超过人民币2500万元。

四、汇顶科技（603160）

汇顶科技日前发布了2018年年报和2019年一季报。年报显示，公司2018年实现营业收入37.21亿元，同比增长1.08%；

归属于上市公司股东的净利润7.42亿元，同比减少16.29%。2019年一季度，公司实现营业收入12.25亿元，同比增长114.39%；归属于上市公司股东的净利润4.14亿元，同比大增2039.95%。

五、长电科技（600584）

长电科技2003年在上交所主板成功上市。历经四十余年发展，公司已成为全球知名的集成电路封装测试企业。

长电科技面向全球提供封装设计、产品开发及认证。长电科技致力于可持续发展战略，崇尚员工、企业、客户、股东和社会和谐发展，合作共赢之理念，先后被评定为国家重点高新技术企业等。

六、国科微（300672）

公司成立于2008年，总部位于长沙，并在成都、上海、深圳、北京、常州、日本、美国等地设有分子公司及研发中心。

公司是国家规划布局内的重点集成电路设计企业和首家获得国家集成电路产业投资基金注资的集成电路设计企业，国家知识产权优势企业，也是中南地区规模最大的集成电路设计企业之一。

七、中环股份（002129）

天津中环半导体股份有限公司致力于半导体节能产业和新能源产业，是一家集科研、生产、经营、创投于一体的国有控股高新技术企业，拥有独特的半导体材料-节能型半导体器件和新能源材料-高效光伏电站双产业链。

公司主导产品电力电子器件用半导体区熔单晶-硅片综合实力全球第三。

国科微最近以其硬盘等主要产品被人们了解，实际上国科微的经营范围比较广，其产品主要包括四个部分。

国科微股票代码是：300672；主营范围包括：集成电路的设计、产品开发、生产及销售；电子产品、软件产品技术开发、生产、销售、相关技术服务及以上商品进出口贸易。所属概念板块包括：3D传感、半导体产业、集成电路、消费电子产业等。

截止2020年07月13日国科微总股本18,042.31万股，流通受限股份784.07万股，已流通股份17,258.25万股，已上市流通A股17,258.25万股，变动原因是首发限售股份上市。

国科微产品包括：存储产品、智能广电、智能监控和物联网。

存储产品包括存储主控芯片GK2302v200系列：搭载国科微自主研发的NANDXtra?Gen 3可靠性引擎和NANDSafe?Gen 3安全引擎，全面适配128层TLC和QLC颗粒，通过国密一级认证、国家信息安全EAL-3认证，为用户带来高效安全的数据存储体验。可应用在安防领域。

智能广电产品包括智能4K解码芯片GK6323：支持AVS2 4K@P60解码的高性能Soc芯片，性能出众的同时带来非凡的使用体验。4核64位Cortex A53处理器搭配4核Mali450 GPU，打造更为出众的性能；强大的超高清视频编解码和音频处理技术，带来影院级的娱乐体验；丰富的外设接口，让连接更为灵活。

在信息安全日益重要的今天，GK6323支持国密SM2/SM3/SM4加解密算法，从硬件上为应用安全性保驾护航，将成为智能机顶盒、智能机顶盒音箱、融合性网关等多种形态机顶盒的可靠选择。

智能监控产品包括新一代H.265智能监控芯片GK7202：拥有1080P 多码流编码能力，内置高效的 H.265/H.264 编码模块和先进的图像处理算法，从而满足客户产品功能差异化、图像质量及性能要求。同时，高集成度的硬件设计，大幅降低系统成本；稳定完善的 SDK 软件包，缩短客户开发周期，助力“平安城市”建设。

物联网产品目前技术并不成熟，仅有一款多模卫星定位导航芯片GK9501芯片，用于定位系统和惯性导航等方面。

以上就是关于国科微产品和股票的的相关内容，关于国科微近日股价持续上涨消息，引发市场各方的关注。

半导体是一种电导率在绝缘体至导体之间的物质，其电导率容易受控制，可作为信息处理的元件材料。从科技或是经济发展的角度来看，半导体非常重要。很多电子产品，如计算机、移动电话、数字录音机的核心单元都是利用半导体的电导率变化来处理信息。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

基本简介

半导体

顾名思义：常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料，叫做半导体（semiconductor）。

物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性和导电导热性差或不好的材料，如金刚石、人工晶体、琥珀、陶瓷等等，称为绝缘体。而把导电、导热都比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与导体和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。

半导体的分类，按照其制造技术可以分为：集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。此外还有以应用领域、设计方法等进行分类，虽然不常用，单还是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。

基本定义

电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质。

半导体室温时电阻率约在10E-5～10E7欧·米之间，温度升高时电阻率指数则减小。

半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。

锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物(硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。

半导体（东北方言）：意指半导体收音机，因收音机中的晶体管由半导体材料制成而得名。

本征半导体

不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下，半导体的价带是满带(见能带理论)，受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。导带中的电子和价带中的空穴合称电子 - 空穴对，均能自由移动，即载流子，它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消失，称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。在一定温度下，电子 - 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子 - 空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大，实际应用不多。

分立功率器件按照功率的大小划分为大功率半导体器件和中小功率半导体器件。具体来说，大功率晶闸管专指承受电流值在200A 以上的晶闸管产品；大功率模块则指承受电流25A 以上的模块产品；大功率IGBT、MOSFET 指电流超过50A 以上的IGBT、MOSFET 产品。

1956 年美国贝尔实验室（Bell Lab）发明了晶闸管，国际上，70 年代各种类型的晶闸管有了很大发展，80 年代开始加快发展大功率模块，同时各种大功率半导体器件在欧美日有很大的发展，90 年代IGBT 等全控型器件研制成功并开始得到应用。

在国内，60 年代晶闸管研究开始起步，70 年代研制出大功率的晶闸管，80年代以来，大功率晶闸管在中国得到很大发展，同时开始研制模块；本世纪以来，开始少量引进超大功率晶闸管（含光控晶闸管）技术；近年来国家正在逐步引进IGBT、MOSFET 技术。中国宏观经济的不断成长，带动了大功率半导体器件技术的发展和应用的不断深入。

晶闸管、模块、IGBT 的发明和发展顺应了电力电子技术发展的不同需要，是功率半导体发展历程中不同时段的重要标志产品，他们的应用领域、应用场合大部分不相同，小部分有交叉。在技术不断发展和工艺逐步改善的双重推动下，[1]大功率半导体器件将向着高电压、大电流、高频化、模块化、智能化的方向发展。在10Khz 以下、大功率、高电压的场合，大功率晶闸管和模块具有很强的抗冲击能力及高可靠性而占据优势，同时又因成本较低、应用简单而易于普及。在10Khz 以上、中低功率场合，IGBT、MOSFET 以其全控性、适用频率高而占据优势。

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