谁能帮写下半导体材料研究的新进展的个人观点或感想

新型半导体材料的研究和突破，常常导致新的技术革命和新兴产业的发展。以氮化镓为代表的第三代半导体材料，是继第一代半导体材料（以硅基半导体为代表）和第二代半导体材料（以砷化镓和磷化铟为代表）之后，在近10年发展起来的新型宽带半导体材料。

以氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料，内、外量子效率高，具有高发光效率、高热导率、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性，是世界上目前最先进的半导体材料。它的研究开发，不仅会带来IT行业数字化存储技术的革命，也将彻底改变人类传统照明的历史。

氮化镓材料可制成高效蓝、绿光发光二极管LED和激光二极管LD（又称激光器），并可延伸到白光LED，用高效率蓝绿光发光二极管制作的超大屏幕全色显示，可用于室内室外各种场合的动态信息显示，使超大型、全平面、高清晰、无辐射、低功耗、真彩色大屏幕在显示领域占有更大的比重。高效率白光发光二极管作为新型高效节能固体光源，使用寿命超过10万小时，可比白炽灯节电5－10倍，达到了节约资源、减少环境污染的双重目的。蓝光半导体激光器用于制作下一代DVD，可比现在的CD光盘提高存储密度20倍以上。另一方面，氮化镓材料宽带隙的特点也保证了它在高温、大功率以及紫外光探测器等半导体器件方面的应用前景，它具有高可靠性、高效率、快速响应、长寿命、全固体化、体积小等优点，在宇宙飞船、火箭羽烟探测、大气探测、火灾等领域内也将发挥重大作用。

一、实验名称： 霍尔效应原理及其应用二、实验目的：1、了解霍尔效应产生原理；2、测量霍尔元件的 、 曲线,了解霍尔电压 与霍尔元件工作电流 、直螺线管的励磁电流 间的关系；3、学习用霍尔元件测量磁感应强度的原理和方法,测量长直螺旋管轴向磁感应强度 及分布；4、学习用对称交换测量法（异号法）消除负效应产生的系统误差.三、仪器用具：YX-04型霍尔效应实验仪（仪器资产编号）四、实验原理：1、霍尔效应现象及物理解释霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力 作用而引起的偏转.当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直于电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场.对于图1所示.半导体样品,若在x方向通以电流 ,在z方向加磁场 ,则在y方向即样品A、A′电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的电场 ,电场的指向取决于样品的导电类型.显然,当载流子所受的横向电场力 时电荷不断聚积,电场不断加强,直到 样品两侧电荷的积累就达到平衡,即样品A、A′间形成了稳定的电势差（霍尔电压） .设 为霍尔电场, 是载流子在电流方向上的平均漂移速度；样品的宽度为 ,厚度为 ,载流子浓度为 ,则有：（1－1）因为 , ,又根据 ,则（1－2）其中 称为霍尔系数,是反映材料霍尔效应强弱的重要参数.只要测出 、 以及知道 和 ,可按下式计算 ：（1－3）（1—4）为霍尔元件灵敏度.根据RH可进一步确定以下参数.（1）由 的符号（霍尔电压的正负）判断样品的导电类型.判别的方法是按图1所示的 和 的方向（即测量中的＋ ,＋ ）,若测得的 ＜0（即A′的电位低于A的电位）,则样品属N型,反之为P型.（2）由 求载流子浓度 ,即 .应该指出,这个关系式是假定所有载流子都具有相同的漂移速度得到的.严格一点,考虑载流子的速度统计分布,需引入 的修正因子（可参阅黄昆、谢希德著《半导体物理学》）.（3）结合电导率的测量,求载流子的迁移率 .电导率 与载流子浓度 以及迁移率 之间有如下关系：（1－5）2、霍尔效应中的副效应及其消除方法上述推导是从理想情况出发的,实际情况要复杂得多.产生上述霍尔效应的同时还伴随产生四种副效应,使 的测量产生系统误差,如图2所示.（1）厄廷好森效应引起的电势差 .由于电子实际上并非以同一速度v沿y轴负向运动,速度大的电子回转半径大,能较快地到达接点3的侧面,从而导致3侧面较4侧面集中较多能量高的电子,结果3、4侧面出现温差,产生温差电动势 .可以证明 . 的正负与 和 的方向有关.（2）能斯特效应引起的电势差 .焊点1、2间接触电阻可能不同,通电发热程度不同,故1、2两点间温度可能不同,于是引起热扩散电流.与霍尔效应类似,该热扩散电流也会在3、4点间形成电势差 .若只考虑接触电阻的差异,则 的方向仅与磁场 的方向有关.（3）里纪-勒杜克效应产生的电势差 .上述热扩散电流的载流子由于速度不同,根据厄廷好森效应同样的理由,又会在3、4点间形成温差电动势 . 的正负仅与 的方向有关,而与 的方向无关.（4）不等电势效应引起的电势差 .由于制造上的困难及材料的不均匀性,3、4两点实际上不可能在同一等势面上,只要有电流沿x方向流过,即使没有磁场 ,3、4两点间也会出现电势差 . 的正负只与电流 的方向有关,而与 的方向无关.综上所述,在确定的磁场 和电流 下,实际测出的电压是霍尔效应电压与副效应产生的附加电压的代数和.可以通过对称测量方法,即改变 和磁场 的方向加以消除和减小副效应的影响.在规定了电流 和磁场 正、反方向后,可以测量出由下列四组不同方向的 和 组合的电压.即：

关于FAE现场应用工程师的一些感触

FAE看来是跟售前Pre-sales Consultant类似的职位，只不过FAE关注的主要是硬件芯片行业，而一般的PS关注的主要是软件服务相关等整体解决方案的咨询能力，偏于软件应用行业。

最少年限很难有个定数，看个人经历、悟性和机遇等等情况。但是作为一个真正的FAE，一定的开发经验是必不可少的，否则支持起客户来非常的吃力。有的人开发一个项目可能领悟、总结了很多的东西，有的人重复地开发多个项目，可能对产品或系统的理解依旧还是那么一点。最理想的FAE也许是那些从原厂开发一线因年龄、体力等等主观原因退下的设计工程师，他们对产品是最有发言权的，因而作应用时常能得心应手。当然开发的范围有大有小，每个工程师对产品或系统的理解有深有浅，所以即便是这些一流的FAE水平也不是整齐划一的。目前国内半导体、电子产品的FAE多为本地招聘的本土FAE，当然国外总部外排到大陆常驻的`也有。一般的招聘要求中对开发经验和理论基础两方面都会涉及到，其实FAE的招聘要求相对于开发人员的要求还是比较宽泛的，毕竟FAE的工作内容首先在于“精”，即精于要支持要应用的产品，其次才是“广”，广泛的技术知识和背景对方案设计、产品推广以及问题解决都是很有帮助的。由于产品分类的多样化，真正能找到完全对口的FAE的机会是不多的（要招的准的话除非在同行内挖，不过这样比较冒风险），因而很多时候面试者只需要应聘者具备基本的经验和知识即可，当然人际沟通的能力、问题分析定位的能力也常会作为重点考察的方面。

就个人体会而言（半导体产品FAE），FAE职位对学习能力（技术、知识、人情世故等等）、沟通能力（外语、演讲、待人接物）、逻辑分析能力的要求比较高。实际应用中的问题可能是技术内的，也可能是技术外的，所以发展并维持良好的客户关系、合作商关系对解决问题、提升客户满意度具有非常积极的意义。从研发转FAE的初期，可能还会带着技术至上的观念去面对问题、面对客户的抱怨，其实说到底FAE需要面对的不仅有技术，还有人（客户的开发工程师、项目经理、部门负责人等等，合作商的FAE、销售、市场等等），这也许是和研发最大的不同之处了。话说回来，作一个合格的FAE不需要销售那样的伶牙俐齿、八面玲珑的，只需要你多付出一些努力、真诚和热心。

作了几年的原厂FAE，感触和感想都不少，一下子写出来未免有些零乱，权当是抛砖引玉了，欢迎交流探讨^&^！

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