大多数卡盘具有圆形(同心)环真空设计,并且通常会夹持小管芯、部分晶片和整个晶片。例如,150毫米(6英寸)卡盘将具有真空环图案,允许夹持单个芯片、50毫米、75毫米、100毫米和150毫米晶圆。 硅集成器件和电路的物理尺寸对晶片器件的处理施加了一定的限制。
在这方面,我们将开始与探针站的讨论,这是处理硅片或die芯片的关键设备,并为晶片探测提供了机械力学设备。 我们会向读者介绍通常用于射频和微波器件表征的共面波导探针。 测量装置的另一个重要部分是校准衬底基板,它允许我们在实际测量之前校准设置。
最后,我们会向读者介绍由探针站及其所有附件组成的整个测量装置以及矢量网络分析仪(VNA)。 不熟悉的读者可能认为这些设备微不足道,但它们在表征过程中起着至关重要和独特的作用。
在测试装置和测量仪器之间,使用晶片探针和任何其他同轴传输介质提供信号传播手段。 对于线性器件的宽带频域表征,我们通常使用矢量网络分析仪(VNA)作为选择的仪器。 在一个单一的测量设置中连接所有上述部分可能显得微不足道,但只有那些熟练的专家才能真正理解所有的技术细节。 本文的目的是引导读者通过微波微波表征过程,并介绍必要的设备。
之所以晶圆都做成圆形,主要的是考虑单位面积利用率和生产问题.首先硅锭被"拉"出来的时候就一定是圆的,几乎不可能直接获得方的硅锭,除非将圆的硅锭切削成方的,但这样无异于浪费.
比较直径为L毫米的圆和边长为L毫米的正方形,考虑晶圆制造过程中边缘5到8毫米是不可利用的,算算就知道正方形浪费的使用面积比率是比圆型高的.
再则,
很多晶圆生产设备的工艺原理必然要求选择圆型晶圆.
圆型具有任意轴对称性,这是晶圆制作工艺必然的要求,可以想象一下,在圆型晶圆表面可以通过旋转涂布法(spin
coating,事实上是目前均匀涂布光刻胶的唯一方法)获得很均匀一致的光刻胶涂层,但其它形状的晶圆呢?
不可能或非常难,可以的话也是成本很高.
当然,还有很多其它的工艺容易在圆型晶圆上实行而很难在其它形状上实施.
当然,我也觉得或许在人们开始规模制作晶圆的时候一开始就用诸如正方型的晶圆的话,
我们现在也可能还在继续发展方型晶圆,只不过现在所有的晶圆加工设备都是为圆型晶圆设计的,这是世界标准.
世界选择圆型,自然是有其必然性的.
看看其后的成本问题就很清楚了.
这样可以么?
晶圆(Wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片,由于其形状为圆形,故称为晶圆。
晶圆简介
晶圆是生产集成电路所用的载体,一般意义晶圆多指单晶硅圆片。晶圆是最常用的半导体材料,按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格,近来发展出12英寸甚至研发更大规格。
晶圆越大,同一圆片上可生产的IC就越多,可降低成本;但对材料技术和生产技术的要求更高,例如均匀度等等的问题。一般认为硅晶圆的直径越大,代表着这座晶圆厂有更好的技术,在生产晶圆的过程当中,良品率是很重要的条件。
基本原料
硅是由石英砂所精练出来的,晶圆便是硅元素加以纯化(99.999%),接着是将些纯硅制成硅晶棒,成为制造集成电路的石英半导体的材料,经过照相制版,研磨,抛光,切片等程序,将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒,然后切割成一片一片薄薄的晶圆。
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