p型半导体中多数载流子是什么?

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P型半导体空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。

如果半导体中电子浓度大时,电子就是多数载流电子,空穴就是少数载流电子。相反,如果该半导体中空穴浓度大时,空穴就是多数载流电子,电子就是少数载流电子。

P型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,形成P型半导体,N型半导体:在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。

扩展资料:

P型半导体中多数载流子为空穴,空穴是带正电荷载流子。N型半导体中多数是自由电子,自由电子是带负电荷载流子。

是以带正电的空穴导电为主的半导体。在纯硅中掺入微量3价元素铟或铝,由于铟或铝原子周围有3个价电子,与周围4价硅原子组成共价结合时缺少一个电子,形成一个空穴。空穴相当于带正电的粒子,在这类半导体的导电中起主要作用。

参考资料来源:百度百科-空穴型半导体

P型半导体中的多数载流子是空穴。

P型半导体,即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。

如果半导体中电子浓度大时,电子就是多数载流电子,空穴就是少数载流电子。相反,如果该半导体中空穴浓度大时,空穴就是多数载流电子,电子就是少数载流电子。

扩展资料

半导体里,当参杂B进入Si内,此时B会以B+e⁻=B⁻和Si形成稳定共价键,即每个B会接受一个电子,使自己周围价电子变成4个,才能和周围的4个Si形成稳定共价键,故每加入1个B原子将产生一个空穴。

空穴并不是真实存在的,只是对大量电子运动的一种等效,空穴的流动其实就是大量电子运动的等效的反运动,这从空穴的定义和特性就可以知道。

P型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了P型半导体。

多数载流子:P型半导体中,空穴的浓度大于自由电子的浓度,称为多数载流子,简称多子。

少数载流子:P型半导体中,自由电子为少数载流子,简称少子。

N型半导体:在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置形成N型半导体。

多子:N型半导体中,多子为自由电子。

少子:N型半导体中,少子为空穴。

扩展资料:

N型半导体的特点:

半导体中有两种载流子,即价带中的空穴和导带中的电子,以电子导电为主的半导体称之为N型半导体,与之相对的,以空穴导电为主的半导体称为P型半导体。

“N”表示负电的意思,取自英文Negative的第一个字母。在这类半导体中,参与导电的 (即导电载体) 主要是带负电的电子,这些电子来自半导体中的施主。凡掺有施主杂质或施主数量多于受主的半导体都是N型半导体。例如,含有适量五价元素砷、磷、锑等的锗或硅等半导体。

由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供,空穴由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能就越强。

P型半导体的特点:

半导体中有两种载流子:导带中的电子和价带中的空穴。 如果某一类型半导体的导电性主要依靠价带中的空穴,则该类型的半导体就称为P型半导体。

“P”表示正电的意思,取自英文Positive的第一个字母。在这类半导体中,参与导电的 (即电荷载体) 主要是带正电的空穴,这些空穴来自半导体中的受主。因此凡掺有受主杂质或受主数量多于施主的半导体都是p型半导体。例如,含有适量三价元素硼、铟、镓等的锗或硅等半导体就是P型半导体。

由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能就越强。

参考资料来源:百度百科—N型半导体

参考资料来源:百度百科—P型半导体


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