半导体激光器的光谱线宽为什么比气体

半导体激光器的光谱线宽比气体激光器的要小，这是因为半导体激光器的激发源是由半导体材料构成的，而气体激光器的激发源是由气体构成的。半导体激光器的激发源拥有更小的谐振腔，因此其光谱线宽更小。此外，半导体激光器的激发源也拥有更高的激发能量，从而使其光谱线宽更小。

首先，半导体发光的机制是电子和空穴复合，能量以光子的形式发出，这就是我们看到的半导体发出的光。

下面是我自己的分析（没做过那年那题）

电子从导带跃迁到价带，复合，释放能量x，一种能量对应一种波长的光

电子从导跃迁到杂质能级，发光

电子从杂质能级跃迁到价带，发光

从上面分析来看，应该有三种光才对，但是实际上只有两种光，说明有两种可能，第一，这种杂质能级复合不发光，第二，电子从导带到杂质能级和从杂质能级到价带距离相等，能量相同。

因为本征半导体是只发一种光的，所以必定是掺杂的，然后掺杂物质只有一种。

适合第二种情况的杂质，能想到的只有Au了，它作为杂质能级最接近导带和价带的中心位置。

能想到的就这么多了，北大那边TJ了。。。有了再Hi你。。。

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