1、电阻效应:电阻值会随温度变化而变化,例如加热后导电。
2、光电导效应:电阻值会随光照强度变化而变化,例如光照后导电。
3、整流效应:半导体仅特定方向导电。
正是这三个效应使得半导体制成的晶体管能够将讯号电流放大,以及控制电流按特定方式通过,所以常被用作放大器或电控开关。当工厂将半导体材料制作成晶体管,然后封装在小小的硅片上时,这就是芯片,也被叫做集成电路。在看新闻、买基金产品的时候,看到的“半导体”,可以用于指材料,也可以用于指代芯片或整个产业。
光电发射效应半导体受光照时,如果入射的光子能量hν足够大,它和物质中的电子相互作用,使电子从材料表面逸出的现象,也称为外光电效应。它是真空光电器件光电阴极的物理基础。外光电效应的两个基本定律:1.光电发射第一定律——斯托列托夫定律:当照射到光阴极上的入射光频率或频谱成分不变时,饱和光电流(即单位时间内发射的光电子数目)与入射光强度成正比: 2. 光电发射第二定律——爱因斯坦定律光电子的最大动能与入射光的频率成正比,而与入射光强度无关: Emax=(1/2)mυ2max=hν- hν0=hν- W光电发射大致可分三个过程:1) 金属的电子吸收光子能量,从基态跃迁到能量高于真空能级的激发态。 2) 受激电子从受激地点出发,在向表面运动过程中免不了要同其它电子或晶格发生碰撞,而失去一部分能量。 3) 达到表面的电子,如果仍有足够的能量足以克服表面势垒对电子的束缚(即逸出功)时,即可从表面逸出。 注意:在光电效应里面:包括内电光与外电光效应,都存在着一个阀值波长问题欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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