mdp8n60mos和K790mos有何区别

mdp8n60mos是三极管，8N60是大功率MOS管，其Id为8A，耐压值为600V。K790mos也是三级管，MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）。属于绝缘栅场效应管。

场效应管MDP9N60用FNK8n60型号管子代换。场效应管FNK8n60参数：N-沟， 8n60，7.5A，600V，RDS=1.2欧。

属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

扩展资料：

工作原理：

场效应管工作原理是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。

从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

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