二维材料，为雪崩光电探测器带来新思路

这个技术各家半导体厂都有研究，包括英特尔、IBM、台积电、三星等，并不是哪家独有的技术。

闸极全环晶体管（Gate-all-around，GAAFET）或称为“环绕式结构FET”，和FinFET有相同的概念，不同之处在于此元件闸极围绕了整个载子通道。依设计的不同，GAAFET可以以2个或4个等效闸极。此元件已经借着利用硅奈米线和蚀刻砷化镓铟（InGaAs）纳米线被建造成功。