半导体沟槽宽度

半导体沟槽宽度可以从几种角度来考虑，如材料类型、应用、制造工艺等。

1. 材料类型：半导体沟槽的宽度取决于所使用的半导体材料，不同的材料具有不同的物理性质，因此沟槽的宽度也不同。例如，硅沟槽的宽度可以达到几十纳米，而碳纳米管沟槽的宽度可以达到几百纳米。

2. 应用：半导体沟槽的宽度也取决于其应用。例如，用于高频电路的沟槽宽度要比用于低频电路的沟槽宽度小。

3. 制造工艺：半导体沟槽的宽度也取决于制造工艺，例如用于制造沟槽的光刻工艺，其最小的沟槽宽度可以达到几百纳米。

FinFET在发明之初就是为了解决平面晶体管的短沟道效应问题，其结构如图1所示。与平面晶体管不同之处在于FinFET的沟道平面垂直于衬底平面，并且沟道两侧以及顶部同时受到栅电极的电压控制，因此从静电势的分布来看，整个沟道厚度方向上存在着更为均匀的电场控制，使得沟道电荷更容易被栅电极的电压信号所调制，从而降低与源漏端的共享，即短沟道效应。

相比较32 nm平面晶体管，22 nm的FinFET器件亚阈值特性更加陡峭，从而能够在较低的阈值电压下工作而不破坏关态电流，从而获得更高的驱动电流。这使得FinFET可以在更低的工作电压下工作，获得超过37%的性能提升。

相比于FinFET器件，围栅纳米线器件可从各个方向控制沟道能电势，具有更强的短沟道效应控制能力，从而实现极小的泄漏电流。

工作原理是：当栅极和源极间加正向电压时，在P-和栅极相邻的区域，形成垂直的沟道，电流从漏极流向源极时，同样的，电流垂直流过芯片内部。其结构特点为栅极的宽度远小于垂直导电的平面结构，具有更小的单元的尺寸和导通电阻。