Cu2O为什么是p型半导体

要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。对于Ⅳ族元素，半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓)，常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度在离子晶体型氧化物半导体中，化学配比的微量偏移可造成大量电载荷流子，氧量偏多时形成的缺陷可提供空穴，Cu2O、NiO、VO2等均是该类型的P型半导体，且当它们在氧压中加热后，空穴浓度将随之增加.上述能给半导体提供空穴的掺杂原子或缺陷，均称受主。简单来说就是氧量偏多时形成的缺陷可提供空穴，因此Cu2O是P型半导体。

这是一个双极性材料，基本上是本征半导体，载流子浓度极低，大约109次方的载流子浓度，

当然也是一个高阻材料，是一个弱p型的材料，一般把它看成是本征的，所以钙钛矿是P-i-N的器件结构，

P型的材料，可以是有机的PEDOT，Spiro以及其他有机芳胺类高分子或小分子空穴传输材料，

或者是无机的P型材料CuI，CuO，CuS，NiO，MoO3，CuSCN等等，

N型的材料可以是TiO2，SnO2，ZnO，C60，PCBM等等无机或者有机的电子传输材料，

所以钙钛矿有三个研究方向，做P材料，做i吸光层钙钛矿材料，做N材料，

加上器件结构正置或者倒置，这样可以组合出大量的paper，

可以养活众多的科研工作者，很少有一个方向像钙钛矿电池一样，

DSSC，OPV, 其他薄膜电池甚至单晶硅多晶硅电池都能参与进来。

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