芯片设计中的一些专业名词

Wafer:

晶圆，它是指制作硅半导体积体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅，硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。新闻经常说的6英寸、8英寸、12英寸指的就是晶圆生产线的尺寸，即Wafer的size。

Die:

一片Wafer上的一小块晶片晶圆体称为Die。由于Die size的不同，一片Wafer所能容纳的Die数量不同。Die一般由封装厂对Wafer进行切割而得。Die其实是死亡的英文，至于为什么叫这个我也不知道。

Chip:

封装厂将Die加个外壳封装成可以焊在电路板上的芯片称为Chip。

CP(Chip Probing):

测试对象是Wafer，目的是为了筛选出坏的Die并且喷墨标识。在封装环节前被淘汰掉能减小封装和测试的成本。基本原理是下探针加信号激励给Die，然后测试功能。CP一般在晶圆厂进行。

FT(Final Test)

测试对象是Chip，目的是为了筛选符合设计要求的芯片，然后将芯片卖给客户。FT一般在封装厂进行。

MPW(Multi Project Wafer):

多项目晶圆，就是将多个使用相同工艺的集成电路设计放在同一晶圆片上流片，制造完成后，每个设计可以得到数十片芯片样品，这对于原型（Prototype）设计阶段的实验、测试已经足够了。MPW有点类似于拼团，晶圆厂会给出一个特定时间，让芯片公司一起流片（Tape Out），这个过程也称为Shuttle。该次制造费用由所有参加MPW项目的公司按照Die size分摊，这可以极大地降低产品开发风险，但是要赶时间，错过了只能等下次了。

Full Mask:

全掩膜，经过MPW充分验证后进行量产，即整片Wafer都是同一个项目的，这个过程可以大大降低单个Chip的成本。

先cp。在芯片测试中，CP是在测试晶圆，封装之前看，封装后都要FT的，bumpwafer是在装上锡球，probing后就没有FT，所以是先cpbump。芯片测试，设计初期系统级芯片测试。SoC的基础是深亚微米工艺，因此，对Soc器件的测试需要采用全新的方法。

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