说明DBR的构成和主要内容

DBR（DOS BOOT RECORD，DOS引导记录），位于柱面0，磁头1，扇区1，即逻辑扇区0。DBR分为两部分：DOS引导程序和BPB（BIOS参数块）。其中DOS引导程序完成DOS系统文件（IO.SYS，MSDOS.SYS）的定位与装载，而BPB用来描述本DOS分区的磁盘信息，BPB位于DBR偏移0BH处，共13字节。 它包含逻辑格式化时使用的参数，可供DOS计算磁盘上的文件分配表，目录区和数据区的起始地址，BPB之后三个字提供物理格式化（低格）时采用的一些参数。引导程序或设备驱动程序根据这些信息将磁盘逻辑地址（DOS扇区号）转换成物理地址（绝对扇区号）。

DBR位置：分区内第一个扇区即：0S备份：6 S

DBR大小：一般为 32S或34S或36S或38S其中之一

BPB（BIOS参数块）参数块含义

0DH每簇扇区数注：数据区起始簇为2 C

搜点（. ）法 偏移 1A 1B 为文件所在簇

第二点所在扇区- 第一点所在扇区/ 第二点所在簇- 第一点所在簇

第一点：55816 S ，（B7 04）1207 C

第二点：56040 S ，（BE 04）1214 C

56040-55816 / 1214-1207 = 224 / 7 = 32

OEHOFHDBR大小注：FAT表的起始为：F8 FF FF

20H--23H本分区大小

24H --27HFAT表大小

DOS引导记录公式

DOS引导记录公式：

文件分配表≡保留扇区数

根目录≡保留扇区数+FAT的个数×每个FAT的扇区数

数据区≡根目录逻辑扇区号+（32×根目录中目录项数+（每扇区字节数－1））DIV每扇区字节数

绝对扇区号≡逻辑扇区号+隐含扇区数

扇区号≡（绝对扇区号MOD每磁道扇区数）+1

磁头号≡（绝对扇区号DIV每磁道扇区数）MOD磁头数

磁道号≡（绝对扇区号DIV每磁道扇区数）DIV磁头数

激光器的两个基本概念，一是受激发射，二是谐振腔。本文对VCSEL类型激光器中构成谐振腔的DBR（Distributed Bragg Reflector）的基本原理进行介绍。分别介绍两个基本的物理知识：反射相变与薄膜干涉。

DBR在VCSEL激光器中的位置如下图：

当光从光疏介质n1射向光密介质n2（折射率n2>n1）时，反射光会在界面处发生180度相变。而从光密介质射向光疏介质时则不会发生相变。

从工程角度理解，光也是一种电磁波，光的反射与电信号在阻抗变化时的反射可以类比。当电信号由高阻抗传输线进入低阻抗传输线时，会产生负相反射（相变180度），从低阻抗进入高阻抗时，会产生正相反射（无相变）。光传输介质的折射率类比于电信号传输的阻抗。

更深层次的解释不在本文讨论范围内。

光在穿过一层薄膜时，会在上下表面发生两次反射，薄膜的厚度会影响两次反射的光程差，如果控制薄膜厚度为（1/4+N）倍的波长，则两次反射的光程差为(1/2+2N)，该光程差对应180度相变，而其中一次反射又会发生180相变，则两次的反射光最终同相，叠加增强，即增加了总体的反射系数。而DBR实际就是两种折射率的介质交替叠层，光经过DBR时，每过一层都会增加一定的反射系统，最终DBR的反射系数可以达到很高的水平。

薄膜干涉机制示意图：

图注1：为显示清晰将三束光分开画，实际是叠在一起的；

图注2：蓝色的第一次反射（180度相变）与黄色的第二次反射光（因光程差导致180度相位差）最终同相，叠加增强。

这里只介绍了一种DBR的工作机制，实际还有其它类型的DBR，如DFB激光器中使用的DBR与VCSEL中使用的在结构上就有差别。但DBR都是使用干涉原理工作的，所以DBR对特定一些波长范围的光才会有高反射率，并且可以做到极低的损耗，与其它类型反射器（如金属表面）在反射特性上有差别。

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