非平衡载流子复合的机理

半导体中非平衡载流子的复合过程可以通过多种方式、即不同的复合机理来完成。这与半导体的能带结构紧密相关。

对于具有直接跃迁能带（导带底与价带顶在Brilouin区的同一个k处）的GaAs、InSb、PbSb、PbTe等半导体，导带电子与价带空穴直接发生复合时没有准动量k的变化，可较容易地发生，这称为直接复合（竖直跃迁）的机理，这时非平衡载流子的寿命就由此直接复合过程来决定。

而对于Si、Ge等具有间接跃迁能带（导带底与价带顶不在Brilouin区的同一个k处）的半导体，电子与空穴发生直接复合（非竖直跃迁）时将有动量的变化，则一般比较难于发生；但这类半导体如果通过另外一种因素的帮助，即可比较容易实现复合，这种起促进复合作用的因素往往是一些具有较深束缚能级（多半处于禁带中央附近）的杂质或缺陷中心，特称为复合中心。借助于复合中心的复合就称为间接复合（也称为Shockley-Read-Hall [SRH]复合），这时非平衡载流子的寿命就主要决定于复合中心的浓度和性质。关于非平衡载流子的复合，除了直接复合和间接复合以外，还有许多其它的复合机理，例如表面复合、Auger复合等。

你这个太笼统了，，是全部都不对且在一个方向，还是左右上下晃动。。原因有很多，，要是你能说详细点 那就很好解决了，，这个一般不是什么大问题。但是如果是焊头松动或步进不精准的话 就稍微比较麻烦点了。也可以能是BOND or wafer PR不尊却也会导致，，这个可能性小点，，一般PR是很好做的不会有什么问题。。如果是动了焦距那就需要校准了*（一般而言）。还有要看你是什么设备，，有的是机械矩阵定位的，有的可以在通过软件纠正补偿的。不是超级难的问题你可以联系我。。我帮你想想 就当练练手。我也不知道我技术是什么程度的，所以可以交流下[email protected]

Sentaurus Device作为高级多维（1D/ 2D/ 3D）器件仿真器，能够仿真硅基和化合物半导体器件的电学、热力学和光学特性。Sentaurus Device是设计与优化现行及未来半导体器件的新一代器件仿真器。

Sentaurus Device是一种通用器件仿真工具，能够为多种类型设备提供仿真验证。

AreaFactor ：2D仿真当中，当计算浓度时用于指定Z方向宽度

Recombination ：复合模型，包括辐射复合，SRH（肖特基-里德-霍尔）复合以及Auger复合

DopingDependence ：复合速率及载流子迁移率与注入浓度相关

IncompleteIonization ：不完全电离模型，对指定的离子，可添加关键词 Dopants

Physics{ IncompleteIonization(Dopants = "Species_name1 Species_name2 ...") }

很多情况下，指定各种晶格的平均占据概率即可。例如，对于6H-SiC，可以假设氮离子注入在六边形格点 h 和立方体格点k1,k2有相同的概率，使用关键字 split

EffectiveIntrinsicDensity ：禁带模型，默认BandGapNarrowing（禁带变窄）

eBarrierTunneling "NLM" ：非局域隧穿模型

Aniso ：指定仿真坐标系统中各向异性晶体方向

Nonlocal ：一般来说， Nonlocal 指定构建网格的界面或者接触，Sentaurus Device以不超过 Length （默认单位为厘米）的长度连接半导体顶点和界面及接触。本例中，Sentaurus Device构建名为"NLM"的非局域网格并以不超过50nm的距离连接格点至top_schottky电极。 Digits 决定相对精度， EnergyResolution 用于限定计算隧穿电流的时间以免 Digits 值太大。

---