氮化铝的应用

有报告指现今大部分研究都在开发一种以半导体（氮化镓或合金铝氮化镓）为基础且运行於紫外线的发光二极管，而光的波长为250纳米。在2006年5月有报告指一个无效率的二极管可发出波长为210纳米的光波[1]。以真空紫外线反射率量出单一的氮化铝晶体上有6.2eV的能隙。理论上，能隙允许一些波长为大约200纳米的波通过。但在商业上实行时，需克服不少困难。氮化铝应用於光电工程，包括在光学储存介面及电子基质作诱电层，在高的导热性下作晶片载体，以及作军事用途。

由于氮化铝压电效应的特性，氮化铝晶体的外延性伸展也用於表面声学波的探测器。而探测器则会放置於矽晶圆上。只有非常少的地方能可靠地制造这些细的薄膜。

利用氮化铝陶瓷具有较高的室温和高温强度，膨胀系数小，导热性好的特性，可以用作高温结构件热交换器材料等。

利用氮化铝陶瓷能耐铁、铝等金属和合金的溶蚀性能，可用作Al、Cu、Ag、Pb等金属熔炼的坩埚和浇铸模具材料。

A．N2是氧化剂，Al2O3既不是氧化剂也不是还原剂，故A错误；

B．反应中N元素化合价由0价降低到-3价，每生成lmol AlN需转移3mol电子，故B正确；

C．AlN中Al元素化合价为+3价，N元素化合价为-3价，故C正确；

D．AlN的摩尔质量为41g/mol，故D错误．

故选BC．

D

试题分析：反应中氮元素化合价下降（0到-3价），氮气为氧化剂，被还原；碳元素化合价升高（0到+2价），故碳为还原剂，被氧化；C、摩尔质量的单位是g/mol，错误；D、每生成1 mol AlN（氮元素化合价变化3个单位），电子转移3 mol，正确。

---