半导体物理是什么?

半导体物理,研究半导体

原子状态和电子状态以及

各种半导体器件内部电子

过程的学科.是固体物理

学的一个分支.研究半导

体中的原子状态是以晶体

结构学和点阵动力学为基

础,主要研究半导体的晶

体结构、晶体生长,以及

晶体中的杂质和各种类型的缺陷.

半导体最好的单位肯定是中科院了，

高校的话

北大只能用两个字形容--最好。

山东大学的理论也是很棒。其实把山东大学的固体物理教程弄明白了，中科院难度的考试差不多也能应付了。

西安电子科大的微电系也很牛的，他们的单晶生长技术算是独步海内了。据说他们的系主任是早稻田的高材生。另外西电微电系还出了一个林锐，在国内C++,C方面，林锐也是小有名气的。最让人佩服的还是他对技术近乎狂热的执著。

上交大也很不错，上交大的学生很容易进AMD,英飞凌等世界顶级设计公司。

浙江大学，东南大学这些老牌子肯定是没得说的。

东北的话，哈尔滨工业大学的领军地位是不用怀疑的， 它的工科综合能力一直没在全国前三名之外。二十几年前就开发出第一款国产的集成电路设计软件(那时候知道什么是计算机的人也没多少)，但市场运营不如国外品牌，衰落了。哈工大的半导体物理目前在MEMS，氢燃料电池等方面有所突破。但客观地讲，现在哈工大的半导体物理专业和北大，上交大等国内顶尖大学的半导体物理专业还是有一定差距的。

但最让人惋惜的是在国际化方面，哈工大和顶尖院校的差距不是越来越小，而是越来越大。每年签常青藤院校的大学生，清华北大，复旦南京，国防科大的学生占了80+%， 其他学校的都有点惨不忍睹。 可以预见，10年后，新的顶尖人才里面，清华北大，复旦南京，国防科大的校友必定占极大比例。

半导体物理与器件(第三版)——国外电子与通信教材系列

目录：

绪论 半导体和集成电路

历史

集成电路（IC）

制造

参考文献

第1章 固体晶格结构

1.1 半导体材料

1.2 固体类型

1.3 空间晶格

1.4 原子价键

*1.5 固体中的缺陷和杂质

*1.6 半导体材料的生长

1.7 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第2章 量子力学初步

2.1 量子力学的基本原理

2.2 薛定谔波动方程

2.3 薛定谔波动方程的应用

*2.4 原子波动理论的延伸

2.5 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第3章 固体量子理论初步

3.1 允带与禁带

3.2 固体中电的传导

3.3 三维扩展

3.4 状态密度函数

3.5 统计力学

3.6 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第4章 平衡半导体

4.1 半导体中的载流子

4.2 掺杂原子与能级

4.3 非本征半导体

4.4 施主和受主的统计学分布

4.5 电中性状态

4.6 费米能级的位置

4.7 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第5章 载流子输运现象

5.1 载流子的漂移运动

5.2 载流子扩散

5.3 杂质梯度分布

*5.4 霍尔效应

5.5 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第6章 半导体中的非平衡过剩载流子

6.1 载流子的产生与复合

6.2 过剩载流子的性质

6.3 双极输运

6.4 准费米能级

*6.5 过剩载流子的寿命

*6.6 表面效应

6.7 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第7章 pn结

7.1 pn结的基本结构

7.2 零偏

7.3 反偏

*7.4 非均匀掺杂pn结

7.5 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第8章 pn结二极管

8.1 pn结电流

8.2 pn结的小信号模型

8.3 产生复合电流

8.4 结击穿

*8.5 电荷存储与二极管瞬态

*8.6 隧道二极管

8.7 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第9章 金属半导体和半导体异质结

9.1 肖特基势垒二极管

9.2 金属半导体的欧姆接触

9.3 异质结

9.4 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第10章 双极晶体管

10.1 双极晶体管的工作原理

10.2 少子的分布

10.3 低频共基极电流增益

10.4 非理想效应

10.5 等效电路模型

10.6 频率上限

10.7 大信号开关

*10.8 其他的双极晶体管结构

10.9 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第11章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础

11.1 双端MOS结构

11.2 电容电压特性

11.3 MOSFET基本工作原理

11.4 频率限制特性

*11.5 CMOS技术

11.6 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第12章 金属氧化物半导体场效应晶体管：概念的深入

12.1 非理想效应

12.2 MOSFET按比例缩小理论

12.3 阈值电压的修正

12.4 附加电学特性

*12.5 辐射和热电子效应

12.6 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第13章 结型场效应晶体管

13.1 JFET概念

13.2 器件的特性

*13.3 非理想因素

*13.4 等效电路和频率限制

*13.5 高电子迁移率晶体管

13.6 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第14章 光器件

14.1 光学吸收

14.2 太阳能电池

14.3 光电探测器

14.4 光致发光和电致发光

14.5 光电二极管

14.6 激光二极管

14.7 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第15章 半导体功率器件

15.1 功率双极晶体管

15.2 功率MOSFET

15.3 散热片和结温

15.4 半导体闸流管

15.5 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

附录A 部分参数符号列表

附录B 单位制、单位换算和通用常数

附录C 元素周期表

附录D 误差函数

附录E 薛定谔波动方程的推导

附录F 能量单位——电子伏特

附录G 部分习题参考答案

索引

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