化学镀镍半导体拉力不好的原因

化学镀镍半导体拉力不好的原因

A . PH值过低，反应慢，沉积速度低

B．PH值过高，溶液会反应剧烈，呈沸腾状，出现深灰色镍粉（溶液自然分解的象征）

*** 作中可以添加氨水来补充蒸发了的氨和中和沉积反应时产生的酸4.温度：

温度对沉积速度影响很大，温度俞高，沉淀速度俞快，当温度低于700C 反应已不进行，当温度高于950C时，将大大降低溶液的稳定性，特别是加热不均匀，PH值偏高时，很容易的自然分解

5.镀镍的时间：

时间过长，沉积的镍层过厚，在烧结时会导镍层致脱落，镀镍失败

时间过短，沉积的镍层过薄，烧结渗入芯片中的镍层不足，不会与二次镍足够的接合在一起，导致抗拉力不足。

本公司镀镍工艺采用渐延长时间的镀镍工艺，2-4min,控制镍层在一个比较均匀的范围内

6.烧结：

由于热能的驱动，加上镍是比较活泼的金属，在高温下镍极易向硅层中渗透。

控制点：

A．氮气的流量

因镍在高温下极易氧化，氮气作为保护气体必须提供足够的保护作用B．推拉杆的速度：

推进的速度过快：热应力过大，层与硅层的附着性降低

拉出的速度过快：芯片过热的情况下拉至炉口导致镍层氧化C．在炉口冷却足够时间：

防止芯片镍层氧化

7.去氧化镍及清洗：

目的：

A．去没有烧渗入硅层内部多余的镍层及氧化镍，为二次镍作与一次镍结合提供清洁，无杂质干扰的环境

B．如氧化镍除去不净，它会增高VF

工艺条件：

85℃热硝酸浸泡4min,浸1：10HF30秒，振清洗10：15min.

控制重点：

A．将一次镍外表的氧化镍及其它杂质振荡清洗撤底，如清洗不净会导致一次镍与二次镍之间的结合不良，最终导致一次镍与二次镍之间的

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