陈星弼院士是谁？

　九三学社社员、中国科学院院士、电子科技大学教授陈星弼因病医治无效，于2019年12月4日17时10分在四川成都逝世，享年89岁。

陈星弼1931年1月28日出生于上海，祖籍浙江浦江，1947年至1952年就读于同济大学电机系，先后在厦门大学、东南大学和成都电讯工程学院（现电子科技大学）工作。1999年当选为中国科学院院士，2019年当选为国际电气与电子工程师协会终身会士（IEEE Life Fellow）。

陈星弼是我国功率半导体领域的领路人和集大成者。他发表超过200篇学术论文，获得中美等国专利授权40余项。他是国际上首个提出超结耐压层理论的科学家，他的超结发明专利打破传统“硅极限”，被国际学术界誉为"高压功率器件新的里程碑"。该发明专利成功转让并实现产业化，目前超结器件全球年市场销售额超过10亿美元。

陈星弼曾获得诸多荣誉，包括国家发明奖及科技进步奖2项，省部级奖励13项。2015年获得IEEE ISPSD颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”，成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。2018年入选IEEE ISPSD首届名人堂，成为首位入选名人堂的华人科学家。

发布讣告

根据媒体的报道来看，在2022年6月23日的时候，中科院半导体所发布讣告：中国工程院院士、中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体材料学家梁骏吾先生因病医治无效 在北京逝世，享年89岁。消息一出，梁骏吾院士生前的同事朋友以及一众网友们纷纷在社交平台上表示哀悼，说为我国曾有这样一位伟大的半导体材料专家而感到骄傲与自豪，为他的离开而感到遗憾。

科研成就

梁骏吾于1955年从武汉大学物理专业毕业后，前往前苏联留学并获得了副博士的学位后，回国担任了中国科学院半导体研究所副室主任，后一直在为高纯硅研制工作而努力，并获得了1964年国家科委颁发的国家科技成果二等奖，由他研制的硅无坩埚区熔提纯设备获了1964年国家科委全国新产品二等奖。在1965年的时候他首次研制成功了中国国内第一只室温脉冲相干激光器用的砷化镓外延材料，为后续的发展奠定了坚实的基础。在20世纪80年代的时候他首创了掺氮中子嬗变区熔硅单晶，获得了1988年中科院科技进步一等奖，完成了硅中杂质以及外延中气体动力学与热力学耦合计算及微机控制光加热外延炉。

多项荣誉

纵观梁骏吾院士的一生，可以看到他为我国的半导体材料的研制和发展付出了毕生的精力和心血，在他从事半导体材料科学研究工作这六十多年里面，他获得了多项荣誉，如1992年的时候获得了国家级有突出贡献中青年专家称号，在1997年的时候被评为中国工程院院士，先后荣获国家科委科技成果二等奖和新产品二等奖各1次，国家科技进步三等奖1次、中科院重大成果和科技进步一等奖3次、二等奖4次，上海市科技进步二等奖1次等各种科技奖共20余次。

藤岛昭院士团队全职加盟上海理工大学，必将对材料与化学学院的综合科研实力起到巨大的辐射和推进作用，助推材化学院材料与化学学科相关专业的快速发展。

2021年8月30日下午，中国工程院外籍院士、欧洲科学院院士，藤岛昭院士团队一行到材料与化学学院进行了走访和调研，材料与化学学院副院长（主持工作）李贵生等陪同。

藤岛昭院士长期致力于半导体电化学研究，是国际光催化学科的鼻祖，2006年至2008年，担任日本化学会会长，2003年被选为中国工程院外籍院士。

藤岛昭简介

藤岛昭生于1942年，1971年获得日本东京大学应用化学专业博士学位，1986年任东京大学工学部教授。2003年，藤岛昭从东京大学退休，担任神奈川科学技术研究院主席一职，同年他还当选中国工程院外籍院士。2009年，他当选欧洲科学院院士。2010年至2018年3月，藤岛昭担任东京理科大学校长。

多年来，他也是日本诺贝尔奖获奖呼声很高的科学家。藤岛昭的研究领域是光电化学，被誉为“光催化之父”。上世纪50年代发明半导体之后，出现了半导体电化学领域，但是直到1972年藤岛昭等人发现“本多—藤岛”效应，这一领域才拓展为光电化学。

以上内容参考：上海理工大学-藤岛昭院士团队一行到材料与化学学院走访调研

以上内容参考：科学网-培养出3位中国院士！这位日本顶尖学者全职加盟上海理工

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