1. 基于原子坐标的晶体定向生长(CVD):通过采用原子坐标控制的化学气相沉积(CVD)技术,可以在晶体表面设计和生长出晶胞的复制。
2. 热熔形成:通过热熔技术,可以将金刚石材料和其他物质熔合在一起,从而形成新的晶胞结构。
3. 工艺束材料复制:通过金刚石材料和特定的工艺技术,可以复制出特定尺寸、形状和结构的晶胞。
4. 旋转复制:可以通过在晶体表面上进行旋转来复制晶胞,以制备新的晶体结构。
5. 辅助复制:可以采用特殊的技术来帮助复制晶胞,如电镜技术、X射线衍射等。
PCB和半导体芯片的根本区别在于,PCB是基于绝缘体上加载导体线路,而芯片是基于半导体。所以PCB画出来的,都是通路,而芯片中画出的是半导体元件。
那么,是不是可以大胆假想,如果未来可以将半导体做为材料,做PCB板?这就很有趣了。
当然,以PCB板的规模大小来做半导体芯片,一个是原材料价格的问题,一个是信号阻抗等特性的问题,以及扭曲,耐用,散热等等物理问题。
1、随机存储器
对于任意一个地址,以相同速度高速地、随机地读出和写入数据的存储器(写入速度和读出速度可以不同)。存储单元的内部结构一般是组成二维方矩阵形式,即一位一个地址的形式(如64k×1位)。但有时也有编排成便于多位输出的形式(如8k×8位)。
特点:这种存储器的特点是单元器件数量少,集成度高,应用最为广泛(见金属-氧化物-半导体动态随机存储器)。
2、只读存储器
用来存储长期固定的数据或信息,如各种函数表、字符和固定程序等。其单元只有一个二极管或三极管。一般规定,当器件接通时为“1”,断开时为“0”,反之亦可。若在设计只读存储器掩模版时,就将数据编写在掩模版图形中,光刻时便转移到硅芯片上。
特点:其优点是适合于大量生产。但是,整机在调试阶段,往往需要修改只读存储器的内容,比较费时、费事,很不灵活(见半导体只读存储器)。
3、串行存储器
它的单元排列成一维结构,犹如磁带。首尾部分的读取时间相隔很长,因为要按顺序通过整条磁带。半导体串行存储器中单元也是一维排列,数据按每列顺序读取,如移位寄存器和电荷耦合存储器等。
特点:砷化镓半导体存储器如1024位静态随机存储器的读取时间已达2毫秒,预计在超高速领域将有所发展。
扩展资料:
半导体存储器优点
1、存储单元阵列和主要外围逻辑电路制作在同一个硅芯片上,输出和输入电平可以做到同片外的电路兼容和匹配。这可使计算机的运算和控制与存储两大部分之间的接口大为简化。
2、数据的存入和读取速度比磁性存储器约快三个数量级,可大大提高计算机运算速度。
3、利用大容量半导体存储器使存储体的体积和成本大大缩小和下降。
参考资料来源:百度百科-半导体集成存储器
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