氮化镓充电器和普通充电器有什么区别

氮化镓充电器和普通充电器区别表现在：材质不同、特点不同。

1、材质不同

传统的普通充电器，它的基础材料是硅。

氮化镓（GaN）被称为第三代半导体材料。

2、特点不同

相比硅，氮化镓的性能成倍提升，而且比硅更适合做大功率器件、体积更小、功率密度更大。氮化镓芯片频率远高于硅，有效降低内部变压器等原件体积，同时优秀的散热性能也使内部原件排布可以更加精密。

普通充电器快充头体积大，携带起来非常不方便，一些大功率充电器长时间充电还容易引起充电头发热。

工作原理

所有手机充电器其实都是由一个稳定电源（主要是稳压电源、提供稳定工作电压和足够的电流）加上必要的恒流、限压、限时、过冲等控制电路组成。

原装充电器（指线充）上所标注的输出参数：比如输出4.4V/1A、输出5.9V/400mA，就是指内部稳压电源的相关参数。比如输出4.4V可以给4.5V的设备用，5.9V的可以给6V的设备用。

1、材质不一样

传统的普通充电器，的基础材料是硅，硅也是电子行业内非常重要的材料。但随着硅的极限逐步逼近，加之随着快充功率的增大，快充头体积也就更大，携带起来非常不方便；一些大功率充电器长时间充电还容易引起充电头发热；因此，寻找新型的代替材料就更加迫切。

氮化镓相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更适合做大功率器件、体积更小、功率密度更大。氮化镓芯片频率远高于硅，有效降低内部变压器等原件体积，同时优秀的散热性能也使内部原件排布可以更加精密，最终完美解决了充电速率和便携性的矛盾。

2、发展不同

硅的开发也到了一定的瓶颈，许多厂商开始努力寻找更合适的替代品。氮化镓是以后要寻找的代替材料。

扩展资料：

氮化镓性质与稳定性

如果遵照规格使用和储存则不会分解。避免接触氧化物，热，水分/潮湿。

GaN在1050℃开始分解：2GaN(s)=2Ga(g)+N2(g)。X射线衍射已经指出GaN晶体属纤维锌矿晶格类型的六方晶系。

在氮气或氦气中当温度为1000℃时GaN会慢慢挥发，证明GaN在较高的温度下是稳定的，在1130℃时它的蒸气压比从焓和熵计算得到的数值低，这是由于有多聚体分子(GaN)x的存在。

GaN不被冷水或热水，稀的或浓的盐酸、硝酸和硫酸，或是冷的40%HF所分解。在冷的浓碱中也是稳定的，但在加热的情况下能溶于碱中。

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