英飞凌IGBT芯片有哪些型号规格参数？

600V英飞凌IGBT芯片晶圆

IGC03R60DE       600V      2.5 A

SIGC03T60E      600V      4.0A

SIGC03T60SE       600V      4.0 A

SIGC03T60SNC    600V      2.0 A

IGC04R60DE       600V      4.0 A

SIGC04T60E        600V      6.0 A

SIGC04T60GE      600V      6.0 A

SIGC04T60GSE    600V      6.0 A

IGC05R60DE       600V      6.0 A

SIGC05T60SNC    600V      4.0 A

IGC06R60DE       600V      8.0 A

SIGC06T60E        600V      10.0 A

SIGC06T60GE      600V      10.0 A

IGC07R60DE       600V      10.0 A

SIGC07T60NC      600V      6.0 A

SIGC07T60SNC    600V      6.0 A

SIGC07T60UN      600V      6.0 A

SIGC08T60E        600V      15.0 A

SIGC08T60SE       600V      15.0 A

IGC10R60DE       600V      15.0 A

SIGC10T60E        600V      20.0 A

SIGC10T60SE       600V      20.0 A

SIGC11T60NC       600V      10.0 A

SIGC11T60SNC     600V      10.0 A

SIGC12T60NC      600V      10.0 A

SIGC12T60SNC    600V      10.0 A

SIGC14T60NC      600V      15.0 A

SIGC14T60SNC    600V      15.0 A

SIGC15T60E        600V      30.0 A

SIGC15T60SE       600V      30.0 A

SIGC15T60UN      600V      15.0 A

SIGC18T60NC      600V      20.0 A

SIGC18T60SNC    600V    20.0 A

SIGC18T60UN      600V      20.0 A

SIGC19T60SE       600V      40.0 A

SIGC25T60NC      600V      30.0 A

SIGC25T60SNC    600V      30.0 A

SIGC25T60UN      600V      30.0 A

SIGC28T60E        600V      50.0 A

SIGC39T60E        600V      75.0 A

SIGC40T60R3E     600V      75.0 A

SIGC42T60NC      600V      50.0 A

SIGC42T60SNC    600V      50.0 A

SIGC42T60UN          600V      50.0 A

SIGC54T60R3E         600V      100.0 A

SIGC61T60NC          600V      75.0 A

SIGC76T60R3E          600V      150.0 A

SIGC81T60NC          600V      100.0A

SIGC81T60SNC         600V      100.0 A

SIGC100T60R3E        600V      200.0 A

SIGC121T60NR2C       600V      150.0 A

SIGC156T60NR2C       600V      200.0 A

SIGC156T60SNR2C      600V      200.0 A

650V英飞凌IGBT芯片晶圆

SIGC04T65E            650V      6.0 A

SIGC06T65E            650V      10.0 A

SIGC06T65GE          650V      10.0 A

SIGC08T65E            650V      15.0 A

SIGC10T65E            650V      20.0 A

IGC10T65QE            650V      20.0 A

SIGC15T65E            650V      30.0 A

IGC15T65QE            650V      30.0 A

IGC19T65QE            650V      40.0 A

SIGC28T65E            650V      50.0 A

IGC28T65T8M          650V      50.0 A

IGC28T65QE            650V      50.0 A

IGC31T65QE            650V      60.0 A

SIGC39T65E            650V      75.0 A

IGC39T65QE            650V      75.0 A

IGC39T65T8M          650V      75.0 A

SIGC40T65R3E         650V      75.0 A

SIGC54T65R3E          650V      100.0 A

IGC54T65R3QE         650V      100.0 A

IGC54T65T8RM         650V      100.0 A

SIGC76T65R3E         650V      150.0 A

IGC76T65T8RM  650V      150.0 A

SIGC78T65R3E          650V      150.0 A

SIGC100T65R3E         650V      200.0 A

IGC100T65T8RM 650V      200.0 A

1200V英飞凌IGBT芯片晶圆

IGC99T120T8RQ        1200V     100.0 A

IGC07T120T8L   1200V     4.0 A

IGC11T120T8L          1200V     8.0 A

SIGC12T120E           1200V     8.0 A

SIGC12T120LE          1200V     8.0 A

IGC13T120T8L   1200V     10.0 A

IGC18T120T8L   1200V     15.0 A

IGC18T120T8Q          1200V     15.0 A

SIGC20T120E           1200V     15.0 A

SIGC20T120LE          1200V     15.0 A

IGC27T120T8L   1200V     25.0 A

IGC27T120T8Q          1200V     25.0 A

SIGC32T120R3E         1200V     25.0 A

SIGC32T120R3LE       1200V     25.0 A

IGC36T120T8L   1200V     35.0 A

SIGC41T120R3E         1200V     35.0 A

SIGC41T120R3LE       1200V     40.0 A

IGC41T120T8Q          1200V     40.0 A

IGC50T120T8RL         1200V     50.0 A

IGC50T120T8RQ        1200V     50.0 A

SIGC57T120R3E       1200V     50.0 A

SIGC57T120R3LE       1200V     50.0 A

IGC70T120T8RL         1200V     75.0 A

IGC70T120T8RM        1200V     75.0 A

IGC70T120T8RQ        1200V     75.0 A

SIGC84T120R3E         1200V     75.0 A

SIGC84T120R3LE       1200V     75.0 A

IGC99T120T8RH        1200V     100.0 A

IGC99T120T8RL       1200V     100.0 A

IGC99T120T8RM 1200V     100.0 A

SIGC109T120R3E        1200V     100.0 A

SIGC109T120R3LE      1200V     100.0 A

IGC142T120T8RH       1200V     150.0 A

IGC142T120T8RL        1200V     150.0 A

IGC142T120T8RM1200V     150.0 A

SIGC158T120R3E        1200V     150.0 A

SIGC158T120R3LE      1200V     150.0 A

IGC189T120T8RL        1200V     200.0 A

IGC193T120T8RM1200V     200.0 A

SIGC06T120CS          1200V     2.0 A

SIGC16T120C           1200V     8.0 A

SIGC16T120CL         1200V     8.0 A

SIGC16T120CS          1200V     8.0 A

SIGC25T120C           1200V     15.0 A

SIGC25T120CL         1200V     15.0 A

SIGC25T120CS          1200V     15.0 A

SIGC25T120CS2        1200V     15.0 A

SIGC42T120C           1200V     25.0 A

SIGC42T120CL          1200V     25.0 A

SIGC42T120CQ         1200V     25.0 A

SIGC42T120CS          1200V     25.0 A

SIGC42T120CS2         1200V     25.0 A

SIGC81T120R2C         1200V     50.0 A

SIGC81T120R2C L       1200V     50.0 A

SIGC81T120R2CS       1200V     50.0 A

SIGC121T120R2C       1200V     75.0 A

SIGC121T120R2CL      1200V     75.0 A

SIGC121T120R2CS      1200V     75.0 A

SIGC156T120R2C       1200V     100.0 A

SIGC156T120R2CL      1200V     100.0 A

SIGC156T120R2CS      1200V     100.0 A

SIGC223T120R2CL      1200V     150.0 A

SIGC223T120R2CS      1200V     150.0 A

1700V英飞凌IGBT芯片晶圆

SIGC42T170R3GE       1700V     29A

SIGC68T170R3E         1700V     50A

IGC89T170S8RM        1700V     75A

SIGC101T170R3E       1700V     75A

IGC114T170S8RH       1700V     100A

IGC114T170S8RM      1700V     100A

SIGC128T170R3E        1700V     100A

IGC136T170S8RH2      1700V     117.5A

SIGC158T170R3E       1700V     125A

IGC168T170S8RH       1700V     150A

IGC168T170S8RM      1700V     150A

SIGC186T170R3E       1700V     150A

全球最大的汽车芯片供应商英飞凌出现产品瑕疵问题，致使该公司放弃了这批从今年4月初到6月初生产的IGBT芯片。英飞凌是全球IGBT产品的主要供应商之一，也是综合类和汽车IGBT最大的供应商，在汽车产业，除少数拥有自研IGBT产品的车厂，比如丰田和比亚迪，大部分车厂的电动汽车都会用到英飞凌IGBT产品。

英飞凌回应汽车芯片瑕疵。

8月5日，针对向韩国现代汽车提供的动力模块芯片（IGBT）出现瑕疵的传闻，英飞凌表示，今年春季公司的一个前道制造厂在生产过程中出现了偏差，对整体产出的影响有限。“由于我们有严格的质量控制标准和流程，受影响的产品并没有发货给客户。确保最高的产品质量对我们来说是最重要的。”目前这一问题已经解决了，随后公司增加了产品产量。

英飞凌他们的芯片存在哪些问题呢？

据说是在向电池中注入铝离子而不是氮离子的过程中产生的，英飞凌在改进现有氮离子注入工艺，转用最新铝离子工艺。广汽本田汽车、东风本田汽车召回12589辆国产飞度、LIFE汽车，本次召回范围内车辆前视广角摄像头的启动程序不合理，车辆启动时该摄像头可能无法启动，造成车辆驾驶辅助系统部分功能不能正常工作，但仪表指示灯显示正常，存在安全隐患。产能和质量可以说是一家芯片企业的生命线，IGBT作为一种能源变换与传输的功率器件，与传统的电力电子器件相比，其有很多突出的优势，比如高输入阻抗、高速开关特性、低导通损耗等，在新能源汽车的电机驱动控制系统、车载空调控制系统、充电桩等环节中有重要的应用。在当前的电动汽车设计框架下，IGBT产品性能的好坏和汽车性能好坏是直接挂钩的

1700V英飞凌IGBT芯片晶圆

SIGC42T170R3GE       1700V     29A

SIGC68T170R3E         1700V     50A

IGC89T170S8RM        1700V     75A

SIGC101T170R3E       1700V     75A

IGC114T170S8RH       1700V     100A

IGC114T170S8RM      1700V     100A

SIGC128T170R3E        1700V     100A

IGC136T170S8RH2      1700V     117.5A

SIGC158T170R3E       1700V     125A

IGC168T170S8RH       1700V     150A

IGC168T170S8RM      1700V     150A

SIGC186T170R3E       1700V     150A

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