半导体存储器的主要技术指标

半导体存储器的两个技术指标是：存储容量和存取时间。

存储容量：指该存储器的大小，体现所能存储数据的多少。

存取时间：对该存储器读写的时间，时间越短，性能越好。在cpu执行指令时，需要多次对存储器读写，读写时间短可以提高cpu的性能。

半导体存储器(semi-conductor memory)

是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器。

按其制造工艺可分为：双极晶体管存储器和MOS晶体管存储器。

按其存储原理可分为：静态和动态两种。

其优点是：体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易。

主要用作高速缓冲存储器、主存储器、只读存储器、堆栈存储器等。

首先是接口标准，比如是DDR还是DDR2、DDR4，其次是速度，200M还是500M。实际应用中还有一项就是兼容性，因为MEMORY管脚都是兼容的，大品牌都可以互换，有些小品牌兼容性就不是那么好，换上去时序就会有问题。

试剂规格基本上按纯度（杂质含量的多少）划分，共有高纯、光谱纯、基准、分光纯、优级纯、分析和化学纯等7种。国家和主管部门颁布质量指标的主要优级纯、分级纯和化学纯3种。

1、优级纯：又称一级品或保证试剂，99.8%，这种试剂纯度最高，杂质含量最低，适合于重要精密的分析工作和科学研究工作，使用绿色瓶签。

2、分析纯：又称二级试剂，纯度很高，99.7%，略次于优级纯，适合于重要分析及一般研究工作，使用红色瓶签。

3、化学纯：又称三级试剂，≥99.5%，纯度与分析纯相差较大，适用于工矿、学校一般分析工作。使用蓝色（深蓝色）标签。

根据高纯试剂工业专用范围的不同，可将其分为以下几种：

1、光学与电子学专用高纯化学品，即电子级试剂试剂。

2、金属-氧化物-半导体电子工业专用高纯化学品，即UP-S级或MOS试剂（读作：摩斯试剂）。

一般用于半导体，电子管等方面，其杂质最高含量为0.01-10ppm，有的可降低到ppb数量级，金属杂质含量小于1ppb，尘埃等级达到0-2ppb，适合0.35—0.8微米集成电路加工工艺。

3、单晶生产用高纯化学品。

4、光导纤维用高纯化学品。

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