在如图甲所示的电路中，RT是半导体热敏电阻，其电阻RT随温度T变化的关系图象如图乙所示，当RT所在处温度

当RT所在处温度升高时，RT变小，RT与R2并联的电阻变小，外电路总电阻变小，则干路电流I干变大，路端电压U变小．

R1与内电压变大，则RT与R2并联的电压变小，电容器板间电压变小，由Q=CU知：电容器的带电量q变小．

RT与R2并联的电压变小，通过R2的电流变小，而干路电流变大，则通过电流表的电流I变大．故AD错误，BC正确．

故选：BC．

伏安特性曲线：加在PN结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。如图所示：

正向特性：u>0的部分称为正向特性。

反向特性：u<0的部分称为反向特性。

反向击穿：当反向电压超过一定数值U（BR）后，反向电流急剧增加，称之反向击穿。

势垒电容：耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb。

变容二极管：当PN结加反向电压时，Cb明显随u的变化而变化，而制成各种变容二极管。如下图所示。

平衡少子：PN结处于平衡状态时的少子称为平衡少子。

非平衡少子：PN结处于正向偏置时，从P区扩散到N区的空穴和从N区扩散到P区的自由电子均称为非平衡少子。

扩散电容：扩散区内电荷的积累和释放过程与电容器充、放电过程相同，这种电容效应称为Cd。

结电容：势垒电容与扩散电容之和为PN结的结电容Cj。

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