第三代半导体迎来爆发期

挖掘于板块个股机会于潜龙勿用时，历经见龙在田的试盘和或跃在渊的启动，直到飞龙在天的明牌启动，以及亢龙有悔之前的离场，这是我们的追求，也是一直趋于接近的。很难，但这并不是放弃的理由！

投资名言：顺应趋势，花全部的时间研究市场的正确趋势，如果保持一致，利润就会滚滚而来!--[美]江恩

什么是半导体?

半导体( semiconductor)，指常温下 导电性 能介于 导体 (conductor)与 绝缘体 (insulator)之间的 材料 。半导体在 收音机 、 电视机 以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。 半导体 是指一种 导电性 可受控制，范围可从 绝缘体 至 导体 之间的材料。无论从 科技 或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如 计算机 、 移动电话 或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有 硅 、 锗 、 砷化镓 等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

昨天板块指数放量大涨，逼近前期 历史 高位，板块全线爆发，今日虽然板块会有个分化，但随着行业的景气度提升，接下来机构配置的仓位势必会提高，所以接下来需要特别重视中线级别的布局机会。

第三代半导体概念股：

300708 聚灿光电： 公司目前产品涉及氮化镓的研发和生产，外延片的技术就是研发氮化镓材料的生长技术，芯片的技术就是研发氮化镓芯片的制作技术，目前已经2个涨停，人气龙头位置显现。

300046台基股份： 公司积极布局 IGBT、固态脉冲开关及第三代半导体等前沿领域 昨日下午引爆板块的中军人气股。

688396 华润微： 第三代半导体方面，公司根据研发进程有序推进碳化硅（SiC）中试生产线建设，目前已按计划完成第一阶段建设目标，利用此建立的基础条件完成了1200V、650VSiCJBS产品开发和考核 领涨科创板人气股

300373扬杰 科技 ： 公司主要从事碳化硅芯片器件及封装环节，不涉及材料领域。目前可批量供应650V、1200V 碳化硅SBD、JBS器件。放量上攻，挑战 历史 高点

300456赛微电子： 公司全资子公司微芯 科技 投资设立控股子公司海创微芯，主要从事氮化镓（GaN）器件的设计、开发，目的在于积极布局并把握第三代半导体产业的发展机遇，聚焦相关器件在5G通信、物联网、航空电子等领域的应用，与公司控股子公司聚能创芯优势互补并全面协作，提高综合竞争实力。概念万金油，接下来最强势的概念都有涉及。

300131 英唐智控： 英唐微技术生产线改造完成后还将兼备以 SIC-SBD 为主的第三代半导体功率器件的生产，并在持续升级设备和工艺后，逐渐拓展至其他的第三代半导体产品。 一阳盘出底部震荡区间。

688200华峰测控： 在宽禁带半导体测试方面，公司量产测试技术取得了重大进展，实现了晶圆级多工位并行测试，解决了多个GaN晶圆级测试的业界难题，并已成功量产。 向 历史 新高进军

300376 易事特： 易事特作为国家第三代半导体产业技术基地（南方基地）第二大股东及推动产业创新技术发展的核心成员单位，现主要负责碳化硅、氮化镓功率器件的应用技术研发工作。公司已经研发出基于碳化硅、氮化镓器件的高效DC/AC, 双向DC/DC新产品。 一阳盘出底部震荡

300102乾照光电： 公司与深圳第三代半导体研究院的合作是全方位多层次的深度合作，在该平台上研发的技术包括但不仅限于氮化镓和Micro-LED。 之前人气领涨股，连续异动2日，盘出震荡格局

600703三安光电：公司拟在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，投资总额 160 亿元。 涨停强势收复近期的调整，行业地位显著

002993奥海 科技 ： 公司已自主研发出快充氮化镓产品。氮化镓充电器属于第三代半导体领域重要技术产品，公司深耕充电器行业十几载，具备平台优势。 超跌后止跌反d，2连板

002617 露笑 科技 ：公司将与合肥市长丰县人民政府在合肥市长丰县共同投资建设第三代功率半导体（碳化硅）产业园，包括但不限于碳化硅等第三代半导体的研发及产业化项目，包括碳化硅晶体生长、衬底制作、外延生长等的研发生产，项目投资总规模预计 100 亿元。 主板最强的趋势票，创出 历史 新高

605111新洁能： 公司在第三代半导体方面，已获得 6 项专利授权，一项国际发明专利受理中。SiC 方面： 预计今年年底之前推出 SiC 二极管系列产品。新能源 汽车 是 SiC功率器件未来最大的应用领域之一， 也是公司未来市场重点布局的方向。 连续2日放量，冲击前期高点。

603290斯达半导： 公司拟在嘉兴斯达半导体股份有限公司现有厂区内，投资建设全碳化硅功率模组产业化项目，本项目计划总投资 22,947 万元， 投资建设年产 8 万颗车规级全碳化硅功率模组生产线和研发测试中心。 高价股，趋势开始形成，向 历史 高点蓄势！

002371北方华创：公司可以提供第三代半导体相关设备，其中碳化硅方面，可以提供长晶炉、外延炉、刻蚀、高温退火、氧化、PVD、清洗机等设备，氮化镓方面可以提供刻蚀、PECVD、清洗机等设备。 行业地位显著，创出 历史 新高。

600460士兰微： 公司已建成6英寸的硅基氮化镓集成电路芯片生产线，涵盖材料生长、器件研发、 GaN电路研发、封装、 系统应用的全技术链。 行业低位显著，创出 历史 新高。

002023海特高新： 海威华芯6吋第二代第三代半导体集成电路芯片生产线项目砷化镓、氮化镓半导体芯片生产线竣工环境保护自主验收工作已完成。 低位超跌首次异动，接下来有修复空间预期。

300623捷捷微电： 公司与中科院电子研究所、西安电子科大合作研发的是以Sic、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，具有耐高压、耐高温、 高速和高效等优点，可大幅降低电能变换中的能量损失，大幅减小和减轻电力电子变换装置。 趋势形成，有冲击新高预期。

688138 清溢光电： 公司深圳工厂在现有产品结构的基础上积极布局半导体芯片用掩膜版产品，聚焦第三代半导体芯片用掩膜版。 超跌后企稳异动，接下来会有修复预期 。

600509天富能源： 公司已持有北京天科合达半导体股份有限公司 10.657%的股份，成为该公司第二大股东；该公司是从事第三代半导体材料-碳化硅晶片及相关产品研发、生产和销售的高新技术企业。 趋势形成，短期有继续调整前期新高预期。

688556 高测股份： 公司已针对第三代半导体研发了相应的切割设备和切割耗材，正在积极推广市场. 盘出底部，接下来有修复预期。

600745 闻泰 科技 ： 公司将加大在第三代半导体领域投资，大力发展氮化镓和碳化硅技术。目前安世氮化镓功率器件已经通过车规级认证，开始向客户供货，碳化硅技术研发也进展顺利。 行业地位显著，盘出底部，有修复预期。

300484 蓝海华腾： 公司子公司新余华腾投资出资2,500万元参与比亚迪半导体的股权投资，有利于实现公司核心原材料如IGBT模块及晶圆、SiC模块及晶圆等关键技术领域的战略延伸，以及公司电动 汽车 电机控制器及相关产品的技术推动和产业布局。 盘出底部，有修复预期。

600360 华微电子： 公司积极布局以SiC和GaN为代表的第三代半导体器件技术，逐步具备向客户提供整体解决方案的能力。 底部异动2日，盘出底部，有修复预期。

300671富满电子： 在第三代半导体GaN（氮化镓）快充领域，公司目前有可搭配GaN的中高功率（ 65W）主控芯片、PD协议芯片等产品。公司的相关芯片NF7307，具备更高集成度（集成启动电阻&X电容放电），更出色的性能（优良的Qr特性，更低待机功耗）及更高可靠性（全面的保护机制），已经上市。 最先启动的个股，底部起来已经三倍，并继续刷新新高。

300323 华灿光电： 在保持公司在LED领域的领先地位和竞争力的同时，公司持续加大产品研发投入和技术创新，积极布局第三代半导体材料与器件领域，发力GaN基电力电子器件领域 。 连续异动2日，盘出底部，有修复预期。

002079苏州固锝：公司目前已经有量产第三代半导体的产品。 震荡走高，有冲击前期高点预期。

603595 东尼电子： 新建年产12万片碳化硅半导体材料项目是本公司的项目。：新建年产12万片碳化硅半导体材料项目是本公司的项目。 震荡盘出底部，有修复预期。

002169智光电气： 公司认购的广州誉芯众诚股权投资合伙企业（有限合伙）份额，间接投资广州粤芯半导体技术有限公司。粤芯半导体有项目面向第三代半导体碳化硅芯片制造技术，开展“卡脖子”核心装备研制，重点解决高硬度材料的高平整度、低粗糙度高效加工技术等难题。 趋势形成，有望打开空间

002449 国星光电： 公司正布局第三代半导体器件与模组等新技术的开发与研究并已申请多项相关技术专利。 盘出底部，有修复预期。

300123 亚光 科技 ： 都亚光子公司华光瑞芯主营产品为GaN/GaAs功率放大器芯片、GaN高功率功放管芯、低噪声放大器芯片、 幅相控制多功能芯片（Core-Chip）、数控移相器、数控衰减器、 混频器等射频微波芯片。 盘出底部，有修复预期。

002171 楚江新材： 公司子顶立 科技 积极参与相关的原材料制备技术研发，公司在碳化硅单晶方面主要从事SiC单晶中的高纯C粉的研制，目前已能实现小批量生产，且关键技术指标满足制备第三代半导体——碳化硅单晶的要求，掌握了将5N及以下的C粉提纯到6N及以上，各项关键指标满足高性能碳化硅单晶原料生产的需要，其设备与工艺技术处于国内领先水平。 盘出底部，有修复预期。

300870 欧陆通：氮化镓为第三代半导体主要材料之一，目前公司使用的氮化镓技术属于第三代半导体应用技术，主要应用于公司电源适配器产品中。 盘出底部，有修复预期

300316晶盛机电： 公司开发的碳化硅外延设备，有助于拓展在第三代半导体设备领域的市场布局。 行业地位显著，趋势形成， 有新高预期。

第三代半导体的风口已经形成，待震荡消化后，会走出独立的走势，行业地位显著的，会继续打开市场成长性，而超跌的个股则会在行业大蛋糕下迎来估值修复。

风已起，做好布局，持股待涨。

以下为推荐的典型行业主体工程、环保工程及辅助工程在验收监测期间的工况记录方法：

1主体工程1.1生产制造类项目

（1）产品产量核算法

对于工业制造类项目在监测期间的工况，大多数情况下依据的是建设项目的相应产品在监测期间的实际产量。

①对于生产工序繁多的，监测之前需全面了解各工序的生产时间和产量，以合理安排对各工序的监测并记录各工序产品产量，如大型钢铁项目。

②对于多道工序连续生产的，按最终产品产量进行核算即可，如半导体行业。

③对于一条生产线生产多种产品，使用不同原辅材料的多种产品共用一条生产线的，在每个产品生产期间分别监测，以每种产品的产量核定工况，如兽药、农药、染料等生产行业。如产品种类繁多，可根据原辅材料种类将产品归类，在使用同种原辅材料的同类产品中选取典型产品监测。

（2）原辅材料核算法

①对于生产周期长，监测期间无法通过计算产量来核定生产负荷的，通常以主要原材料如钢材的处理量核算，如船舶及大型机械制造业。

②对于多种产品由同一生产线生产，生产工艺、原辅材料相近，排污情况基本相同的，通常选取某一产品生产时监测，根据主要原料投入量核定生产负荷，如生物制药行业。

1.2公用市政类项目

（1）电厂

火电厂实际生产负荷以发电量衡量，热电厂实际生产负荷以蒸发量衡量，对于燃气-蒸汽联合循环发电机组，还需考虑余热锅炉的蒸发量。

（2）污水处理厂

通过记录污水厂进口累计流量数据核定工况。为与出口样品相匹配，建议提前一个处理周期即开始记录流量。

（3）垃圾填埋主体工程

根据监测期间垃圾填埋量统计工况。对于同一填埋场填埋生活垃圾和一般工业固体废物两种不同种类垃圾的，应对每种垃圾的填埋量均作统计。

（4）生活垃圾/危废焚烧主体工程

按监测期间的焚烧量统计工况。对于危废焚烧企业，还需确认其固体/液体/气体焚烧量的比例是否与设计值相同，确认焚烧入炉料配伍菜单是否与设计要求基本相同。

（5）机场项目主体工程

按起降架次统计工况。对于大型机场改、扩建项目，工况的把控应具体到所验收的跑道，掌握监测期间各跑道所有型号飞机的起降架次及时间。

1.3 其他建设项目

（1）化工原料或能源物料仓储

废气排放来源于储罐的大、小呼吸。验收监测重点集中在对环境影响较大的大呼吸排放时段，即装卸 *** 作时段，并通过单位时间物料装卸量来核定工况。必要时可通过同类储罐间的物料转移来模拟运作。

（2）研发实验类项目

实验种类变换频繁，实验时间短，试剂复杂、消耗量少，排气管道多，难以以定量指标核定工况，只能通过各实验室试剂使用情况的记录来说明工况。

（3）房产类项目

验收监测时，模拟开启声源可满足噪声监测要求；废水处理和锅炉工况监控可参见本文环保、辅助工程部分，饮食业油烟气的验收监测一般待招商后开展。

2环保工程

2.1污水处理设施

工况记录同污水处理厂，但记录污水处理量时不应纳入因工艺需要用于稀释高浓度废水而掺入的地表水或回用水等。

2.2半导体行业有机废气处理装置

半导体行业的有机废气通常是连续产生的，但对于有机废气的沸石转轮浓缩处理装置，其再生高浓度废气的燃烧是间歇运行的，应了解其燃烧时间。

2.3焚烧炉

焚烧量是主要的工况核定参数，其他还有热功率等参数。

3辅助工程

3.1锅炉

蒸汽锅炉：负荷参数为锅炉蒸发量，以蒸汽流量表法、水表法、量水箱法测定，或根据燃料消耗量计算。

热水锅炉：负荷参数为锅炉功率，计算锅炉功率所需的参数有：读取锅炉出水、回水温度，读取或测定进/回水管流量从而计算循环水量。房产类项目的热水锅炉一般加热时间短（仅10分钟），保温时间长，应合理设定监测频率、安排监测时间。如锅炉加热运行时间短至无法满足监测所需时间时，可适当缩短监测时间。

导热油炉：与热水锅炉类似，但其功率计算涉及相应油品导热系数的查找。

3.2工业炉窑

根据《工业炉窑大气污染物排放标准》（GB9078-1996）规定，监测应在最大热负荷下进行，或在燃料耗量较大的稳定加热阶段进行。

熔炼炉、熔化炉等：在其熔炼、熔化作业时段进行监测，并以产品产量或投料量进行工况核定。

有固定的升温程序的加热炉（如钢铁、机电等行业）：确保在升温程序期间监测。

3.3喷涂作业

如喷涂对象为同一种产品，大小、形状、表面积相同，常以喷涂对象的数量作为喷涂作业工况的核定参数；其他则可根据喷q的使用数量、喷漆的用量、喷涂面积等核定工况。

来源：生态环境部

近日，南大光电发布公告称，其承担的国家02专项ArF光刻胶项目取得重大进展，并且通过了专家组验收。目前已建成年产25吨的ArF光刻胶产业基地，可用于90nm-14nm，甚至7nm技术节点的集成电路制造工艺。

众所周知，光刻胶是芯片制造不可或缺的重要原料，是光刻机进行硅膜片曝光、设计图案印章的核心材料。ArF 光刻胶材料主要应用于高端芯片制造，目前我国在ArF、KrF光刻胶领域中的市场占比较少，全球大多数的光刻胶市场都被美国、日本垄断。

对于国产半导体行业来说，南大光电7纳米光刻胶的交付，具有十分重要的意义，一方面能够缓解我们在半导体领域中，特别是芯片代工领域中，被芯片原料卡脖子的难题；另一方面有助于加快我们在芯片代工领域中实现自给化目标的脚步。

需要注意的是，有关 7 纳米 ArF 光刻胶的应用，南大光电目前只是小规模投产，与之相关的生产线正在构建当中。在公告中，南大光电也表示，ArF 光刻胶的复杂性决定了其在稳定量产阶段仍然存在工艺上的诸多风险，不仅需要技术攻关，还需要在应用中进行工艺的改进、完善。

但不管怎么说，这次南大光电完成7纳米光刻胶的验证，对于自身，对于国产半导体行业来说是一件好事情。至少可以保证我们不会在光刻胶领域中被国外彻底卡住，相信只要坚持下去，假以时日，一切难题都会迎刃而解。

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