半导体硅是如何储存信息的

不管你是否用过3．5英寸或5．25英寸的软盘，在塑料套里的软盘着起来和用起来都很像唱片、录音带或录像带。只不过唱片、录音带或录像带保存的是音乐、影像，而软盘存储的是信息或数据。制作软盘的特殊材料可以使信息磁化。因为磁体有库已北极，存储在磁盘上的信息被磁化成北或南两个方向。也就是说，信息基本上是以坐标形式存储在磁盘上，就像地球仪上的坐标。信息在磁盘上以极小的颗粒形式存储，这些颗粒被交替磁化为南、北方向。软盘驱动器能把软盘上所载有的信息——即这些被磁化的颗粒翻译成开或关，使计算机通过开关转换实现信息处理。驱动器像唱机一样以一定速度转动磁盘。唱机有一个移动的、可从唱片获取信息的臂，软盘驱动器也有一个移动的、可从磁盘获取信息的读／写头。但是，与唱机臂不同，读／写头实际上并不接触磁盘，而是按某个方向磁化磁盘表面的那些颗粒。硬盘驱动器的工作原理也大致如此。它密封在计算机里面的一个特别的盒子里，像软盘驱动器转动磁盘一样，它转动金属磁盘，但速度要快得多。这就是为什么在硬盘上存取信息或调用程序要比在软盘上快得多。你把磁铁靠近过指南针吗？当你这样做时，指南针并不指向北方，而是指向磁铁。把磁铁靠近一个无关紧要的软盘，软盘上磁化的小颗粒会被弄乱。当你试图再使用这个软盘时，你可能已经无法读出它上面的信息或存储更多的信息了。

半导体存储器分为随机读写存储器和只读存储器。

半导体存储器的分类从制造工艺的角度可把半导体存储器分为双极型、CMOS型、HMOS型等；从应用角度上可将其分为两大类：随机读写存储器（RAM），又称随机存取存储器；只读存储器（ROM）。

1、只读存储器（ROM）

只读存储器在使用过程中，只能读出存储的信息而不能用通常的方法将信息写入的存储器，其中又可以分为以下几种。

掩膜ROM，利用掩膜工艺制造，一旦做好，不能更改，因此只适合于存储成熟的固定程序和数据。工厂大量生产时，成本很低。

可编程ROM，简称PROM，由厂商生产出的空白存储器，根据用户需要，利用特殊方法写入程序和数据，但是只能写一次，写入后信息固定的，不能更改。

光擦除PROM，简称EPROM，这种存储器编写后，如果需要擦除可用紫外线灯制造的擦除器照射20分钟左右，使存储器复原用户可再编程。

电擦除PROM，简称EEPROM，顾名思义可以通过电来进行擦除，这种存储器的特点是能以字节为单位擦除和改写，而且不需要把芯片拔下插入编程器编程，在用户系统即可进行。

Flash Memory，简称闪存。它是非易失性存储器，在电源关闭后仍能保持片内信息，与EEPROM相比，闪存存储器具有成本低密度大的优点。

2、随机读写存储器（RAM）

分为两类：双极型和MOS型两种。双极型RAM，其特点是存取速度快，采用晶体管触发器作为基本存储电路，管子较多，功耗大，成本高，主要用于高速缓存存储器（Cache）MOS RAM，其特点是功耗低，密度大，故大多采用这种存储器。

SRAM：存储原理是用双稳态触发器来做存储电路，状态稳定，只要不掉电，信息就不会丢失，优点是不用刷新，缺点是集成度低。DRAM：存储原理是用电容器来做存储电路，优点是电路简单，集成度高，缺点是由于电容会漏电需要不停地刷新。

芯片储存信息的原理如下：

对动态存储器进行写入 *** 作时，行地址首先将RAS锁存于芯片中，然后列地址将CAS锁存于芯片中，WE有效，写入数据，则写入的数据被存储于指定的单元中。

对动态存储器进行读出 *** 作时，CPU首先输出RAS锁存信号，获得数据存储单元的行地址，然后输出CAS锁存信号，获得数据存储单元的列地址，保持WE=1，便可将已知行列地址的存储单元中数据读取出来。

扩展资料

主存储器的两个重要技术指标：

读写速度：常常用存储周期来度量，存储周期是连续启动两次独立的存储器 *** 作（如读 *** 作）所必需的时间间隔。

存储容量：通常用构成存储器的字节数或字数来计量。

地址总线用于选择主存储器的一个存储单元，若地址总线的位数k，则最大可寻址空间为2k。如k=20,可访问1MB的存储单元。数据总线用于在计算机各功能部件之间传送数据。控制总线用于指明总线的工作周期和本次输入/输出完成的时刻。

主存储器分类：

按信息保存的长短分：ROM与RAM。

按生产工艺分：静态存储器与动态存储器。

静态存储器（SRAM）：读写速度快，生产成本高，多用于容量较小的高速缓冲存储器。动态存储器（DRAM）：读写速度较慢，集成度高，生产成本低，多用于容量较大的主存储器。

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