DRAM active area 是什么

半导体存储器。

用半导体器件组成的存储器。

磁表面存储器是用磁性材料做成的存储器。

按存储方式分。随机存储器是任何存储单元的内容都能被随机存取，且存取时间和存储单元的物理位置无关。

顺序存储器是只能按某种顺序来存取，存取时间和存储单元的物理位置有关。

欧姆接触是指金属与半导体形成欧姆接触是指在接触处是一个纯电阻，而且该电阻越小越好，使得组件 *** 作时，大部分的电压降在活动区而不在接触面。因此，其I-V特性是线性关系，斜率越大接触电阻越小，接触电阻的大小直接影响器件的性能指标。

肖特基接触是指金属和半导体材料相接触的时候，在界面处半导体的能带弯曲，形成肖特基势垒。势垒的存在才导致了大的界面电阻。与之对应的是欧姆接触，界面处势垒非常小或者是没有接触势垒。

扩展资料：

肖特基接触到欧姆接触的转变：二维 (2D) InSe具有高达10^3 cm^2·V^-1·s^-1的电子迁移率，可以与黑磷相媲美，且能够在空气中稳定存在。在实际应用中，2D InSe需要与金属电极直接接触以实现载流子的注入。

然而，接触界面会形成有限的肖特基势垒，其降低了载流子的注入效率，增大了接触电阻，从而极大的削弱了器件性能。因此，通过调节接触界面的势垒高度来形成低电阻欧姆接触，对高性能半导体器件的设计，组装和制造至关重要。

参考资料来源：百度百科-欧姆接触

参考资料来源：百度百科-肖特基接触

所谓欧姆接触,是指金属与半导体的接触,而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻,使得组件 *** 作时,大部分的电压降在于活动区(Activeregion)而不在接触面.欲形成好的欧姆接触,有二个先决条件：（1）金属与半导体间有低的界面能障(BarrierHeight)（2）半导体有高浓度的杂质掺入(N≥10EXP12cm-3)前者可使界面电流中热激发部分(ThermionicEmission)增加后者则使界面空乏区变窄,电子有的机会直接穿透(Tunneling),而同使Rc阻值降低.若半导体不是硅晶,而是其它能量间隙(EnergyCap)较大的半导体(如GaAs),则较难形成欧姆接触(无适当的金属可用),必须于半导体表面掺杂高浓度杂质,形成Metal-n＋-norMetal-p+-p等结构.欧姆接触是半导体设备上具有线性并且对称的电流-电压特性曲线.如果电流-电压特性曲线不是线性的,这种接触便叫做肖特接触.

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