NMOS中p衬底中的怎么会有自由电子移动到栅极下呢？

这里说的自由电子是和电流反方向移动的电子 NMOS 还是CMOS在原理上差的不多自由电子不是被吸引过去的 是以电流反方向移动的一个说法

空乏层..其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分。 所以不知道你说的 这个是哪一个

NMOS是指沟道在栅电压控制下p型衬底反型变成n沟道，靠电子的流动

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MOS器件分为NMOS和PMOS,而CMOS是指互补的MOS管组成的电路，也就是PMOS,NMOS组成,NMOS是指沟道在栅电压控制下p型衬底反型变成n沟道，靠电子的流动

PMOS是指 n型 p沟道，靠空穴的流动

CMOS相比Bipolar，优点就是其功耗低，集成度高等等。当然Bipolar的驱动能力比CMOS强

目前BiCMOS工艺就是结合了CMOS和Bipolar的优点

英国科学家弗莱明。

1884年，弗莱明出访美国时拜会了爱迪生，共同讨论了电发光的问题。爱迪生发现了热电子发射现象，弗莱明立刻意识到这是一个重大的技术发现，弗莱明亲自做了实验，还找到爱迪生共同研讨有关热电子发射的问题。

并推测“爱迪生效应”的背景可能就是由阴极射向阳极的单向电子流，他根据自己对“爱迪生效应”的理解，设计制造了世界上第一只电子二极管，也是人们后来所说的“真空二极管”。真空二极管的发明标志着人类进入了无线电时代。并于1904年11月16日在英国取得专利。

扩展资料

电子二极管的原理

现代的真空管共由4种基本构件组成：极对灯丝(Filament) (加热用)、阴极(Cathode)、栅极(Grid)和阳极(Anode)。当极对灯丝连上电压对阴极加热，激发阴极电子通过栅极打在阳极上。通过这样的电子流，电子管可以将较小的交流电放大成较强的信号，实现信号放大功能。

在信号放大的同时，通过控制栅极电压可以控制电子流量，因而获得所需的电子特性。PN接合二极管是n型半导体和p型半导体互相结合所构成。PN接合区彼此的电子和电洞相互抵消，造成主要载子不足，形成空乏层。

在空乏层内N型侧带正电，P型侧带负电，因此内部产生一个静电场，空乏层的两端存在电位差。但是如果让两端的载子再结合的话，两端的电压差则会变成零

参考资料来源：百度百科-电子二极管

参考资料来源：百度百科-弗莱明，J.A.

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