“芯片法案”到“四方联盟”，半导体芯片的国产替代之路还有多远

半导体芯片作为新一代信息技术的核心，它不仅是现代数字经济时代的基石，而且是能更快抓住新一轮产业和 科技 革命机遇的重要构件。 无论是日常生活的需要，还是国家 科技 水平的发展，都离不开指甲盖大小的芯片。 而半导体行业的发展高低，一定程度决定了国与国之间的竞争结果。

正是因为半导体芯片的重要性，美国一直在想方设法地遏制我国半导体芯片行业的发展。例如华为被无故制裁事件，例如光刻机被针对限制购买事件。 面对美国在芯片方面的“卡脖子”，我国一直深入科研，加大投入，追赶抢先。 眼看着我国半导体芯片的国产替代事业蒸蒸日上，美国方面又坐不住了，开始出来“作妖”。

据路透社消息，美国总统拜登于当地时间8月9日签署《芯片与科学法案》，用于补贴美国的半导体产业。值得注意的是，该法案明确要求 获得补贴的半导体企业，要在未来10年内禁止在大陆投资和新建或者扩建先进制程的半导体工厂。 这是美国针对我国特意制定的禁令，毫不夸张地说，该法案对我国半导体芯片行业的发展是充满了恶意。

不仅如此，早在今年3月份，美国就 以“牵制大陆半导体崛起”为目的，向韩国、日本和中国台湾地区提议出加入“芯片四方联盟”的半导体同盟构想 。不过让人意外的是，韩国方面这次并不想再为虎作祟。

韩国方面8月7号表示，韩国将 把“不刺激中国”作为协商原则与美国讨论半导体合作的必要性。 美国对此很不满意，已经要求韩国方面在8月31号之前答复是否加入该同盟。

值得一提的是，对于美国在半导体行业的无理修改规则，韩国并不是第一个不妥协的人，上一个明确拒绝美国的是ASML公司。

作为光刻机领域的佼佼者，ASML公司有着垄断行业的地位。受于华为事件的影响，美国对该公司有明令限制，就是最先进的EUV光刻机是不能卖给我们的。因为公司核心技术来自于美国，ASML也不得不从。但低端一点的DUV光刻机是可以自由正常出货。

据了解，仅仅是2022年的第一季度，我们就购买了20多台DUV光刻机， 中国市场成为了ASML公司在海外的最大客户。 这美国当然看不下去了，就想进一步让ASML公司限制DUV光刻机出货给我们。这相当于切断了ASML公司的赚钱财路，这一次 ASML对美国的无理要求也是直接表示了反对的态度。

无论是韩国方面，还是ASML公司，敢公然违背美国的意思，无不是看上了国内最大的市场，这也是我们半导体芯片行业最大的底气。 毕竟没了市场，产品再好也没有销路。

目前美国的半导体市场，就已经出现了堆压货物的情况。因为美国多次修改了芯片规则，美国芯片不能正常出货给大陆，导致了像 英特尔、高通这样的大厂商出现了严重的库存积压。 甚至一些厂商已经在折价处理，并呼吁我们能够帮助他们消耗一部分库存。

而在国内市场，除了7纳米以上的高端芯片仍需要购买，其它工艺的芯片早已经可以实现国产替代。面对国内这庞大的市场，国产替代因为成本低的优势，往往供不应求。

根据市场研究机构发布的《2022年第一季度全球十大晶圆厂营收排名及市场份额》显示， 中国三家芯片代工企业的营收增速最快。

这主要原因就在于国内市场需求十分大，而且国产替代的成本比较低，因此实现了较快营收增速。目前国内能量产的成熟工艺制程， 晶合集成的最先进工艺是65nm，上海华虹最先进也就28nm，而中芯国际能做到14nm。

而更先进工艺的芯片，国内最近也取得可观的成果。就在8月7日，芯原股份披露了其有可能成为全球第一批面向客户推出Chiplet商用产品的企业。让人欣慰的是，基于该技术的5nm系统级芯片，目前已经成功流片。这足以证明成功攻破5nm的难关也只是时间问题。

不过，最先进工艺的芯片，主要应用在日常生活中的智能手机、平板电脑等消费电子产品，目前在这方面的需求并不是很大。国内市场在 汽车 芯片上的需求更大，毕竟一台 汽车 包含了上千个精密芯片，而在这方面 我们国内的芯片厂商的成熟工艺完全有能力自给自足。

现在美国只能卡我们在先进工艺上的芯片，但这种伤敌一千自损八百的“卡脖子”方案，只会让美国更快失去它盟友对它的信心。例如韩国的犹豫不决和ASML公司的明确拒绝，以后这样的反对声音只会越来越多。

中西方在半导体行业的竞争已经趋于白热化，美国在这方面的权威日渐下降，而我们的市场让我们赢得更多的合作机会。彼 消此涨，我们的半导体行业得到了空前的快速发展。

正是我们在成熟工艺方面的高速发展让美国害怕了，让它把仅有的先进工艺芯片这一张牌握得越来越紧。 频繁出台针对我国半导体行业发展的相关文件，更加证明了 美国在半导体行业的黔驴技穷 。

虽然美帝打压我国半导体是吃了秤砣，铁了心肠的，但国内半导体芯片的发展已经势不可挡，坐拥着全球最大的市场，我们有底气有信心弯道超车。总的来说，未来可期。

让我们拭目以待。

改变半导体局部导电性的重要方法主要有以下几种：

掺杂：在半导体材料中掺入不同的杂质原子，可以改变材料的导电性质。掺入五价元素（如磷、砷等）可以形成N型半导体，掺入三价元素（如硼、铝等）可以形成P型半导体。

离子注入：通过离子注入技术，在半导体表面形成高能离子轰击区域，使局部区域的导电性质发生改变。离子注入通常用于制作集成电路器件的精细控制区域。

光刻技术：利用光刻技术在半导体表面覆盖一层光刻胶，并在胶面上利用投影机将芯片上的图形投影到光刻胶上，最后在芯片表面暴露出光刻胶中未被覆盖的部分。通过这种方式，可以在芯片表面形成精细的图形结构，进而改变半导体的局部导电性。

聚焦离子束（FIB）技术：FIB技术利用高能离子束在半导体表面进行刻蚀和刻划，可以制作出微米级别的半导体器件结构。通过这种方法可以在半导体表面形成局部结构，进而改变局部区域的导电性质。

这些方法通常用于半导体器件的制造和修饰，可以在半导体表面形成精细的结构和控制区域，对于半导体器件的性能和功能的提升非常重要。

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