半导体材料专家梁骏吾院士逝世，他都取得过哪些成就？

发布讣告

根据媒体的报道来看，在2022年6月23日的时候，中科院半导体所发布讣告：中国工程院院士、中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体材料学家梁骏吾先生因病医治无效 在北京逝世，享年89岁。消息一出，梁骏吾院士生前的同事朋友以及一众网友们纷纷在社交平台上表示哀悼，说为我国曾有这样一位伟大的半导体材料专家而感到骄傲与自豪，为他的离开而感到遗憾。

科研成就

梁骏吾于1955年从武汉大学物理专业毕业后，前往前苏联留学并获得了副博士的学位后，回国担任了中国科学院半导体研究所副室主任，后一直在为高纯硅研制工作而努力，并获得了1964年国家科委颁发的国家科技成果二等奖，由他研制的硅无坩埚区熔提纯设备获了1964年国家科委全国新产品二等奖。在1965年的时候他首次研制成功了中国国内第一只室温脉冲相干激光器用的砷化镓外延材料，为后续的发展奠定了坚实的基础。在20世纪80年代的时候他首创了掺氮中子嬗变区熔硅单晶，获得了1988年中科院科技进步一等奖，完成了硅中杂质以及外延中气体动力学与热力学耦合计算及微机控制光加热外延炉。

多项荣誉

纵观梁骏吾院士的一生，可以看到他为我国的半导体材料的研制和发展付出了毕生的精力和心血，在他从事半导体材料科学研究工作这六十多年里面，他获得了多项荣誉，如1992年的时候获得了国家级有突出贡献中青年专家称号，在1997年的时候被评为中国工程院院士，先后荣获国家科委科技成果二等奖和新产品二等奖各1次，国家科技进步三等奖1次、中科院重大成果和科技进步一等奖3次、二等奖4次，上海市科技进步二等奖1次等各种科技奖共20余次。

褚君浩（1945年3月20日—），男，出生于江苏宜兴，红外物理学家、半导体物理和器件专家，中国科学院院士，中国科学院上海技术物理研究所研究员，东华大学理学院院长[1]。

1966年，褚君浩毕业于上海师范学院（现上海师范大学）物理系。1981年和1984年先后获中国科学院上海技术物理研究所硕士、博士学位；1986年至1988年，获得德国洪堡基金，赴德国慕尼黑技术大学物理系从事半导体二维电子气研究。1985年加入九三学社；2005年当选为中国科学院院士。

褚君浩长期从事红外光电子材料和器件的研究，开展了用于红外探测器的窄禁带半导体碲镉汞（HgCdTe）和铁电薄膜的材料物理和器件研究。[2]

中文名

褚君浩

国籍

中国

民族

汉族

出生地

江苏宜兴

出生日期

1945年3月20日

人物关系

褚绍唐

父亲

褚绍唐（1912-2004），原华东师大地理系教授，1912年出生于江苏宜兴，我国著名地理教育家、历史地理学家，是我国地理教育研究的开拓者和学科发展的奠基人，是中华地学会五位主要负责人之一、中国教育学会地理教学研究会创始人之一、华东师范大学

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