电沉积为什么能够生成氧化物薄膜

化学浴沉积是在宽禁带半导体上直接生长量子点的一种沉积方法，是比较慢的化学反应过程，在CBD沉积中Na2S2O3通常被用来作为硫的供体，有时候也用硫脲来慢慢释放S2-。

较之其他的制备方法，CBD方法从性能价格比上来说具有明显的优势，是应用最广泛的生长方法，具有可控性好、均匀性好、成本低等特点。

而且不同的衬底和不同的溶液都可以来制备无机半导体敏化薄膜，而且用化学浴沉积方法制备的薄膜晶粒更紧密，表面更光滑。

化学浴沉积是利用一种合适的还原剂使镀液中的金属离子还原并沉积在基体表面上的化学还原过程。与电化学沉积不同， 化学沉积不需要整流电源和阳极。

浴沉积是专为制备氧化物薄膜而发展起来的液相外延技术。基本原理是从金属氟化物的水溶液中生成氧化物薄膜的方法，通过添加水、硼酸或者金属Al，使金属氟化物缓慢水解。其中水直接促使生成氧化物，硼酸和铝作为氟离子的捕获剂，促进水解，从而使金属氧化物沉积在基体表面。该法要求对水解反应以及溶液的过饱和度有很好的控制。

另外，薄膜的形成过程是在强酸性的溶液中进行的。当前，已可以采用LPD沉积的金属的氧化物有：Ti、Sn、Zr、V、Cd、Zn、Ni、Fe、Al等。整体而言，LPD法工艺简单、成膜速率高、对环境污染小，为功能薄膜的生产开辟了一条新的途径。

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