n型半导体电阻率随温度变化的特性

当温度下降时,n型半导体的电阻会升高

半导体材料的电阻率与温度有密切的关系。

温度升高，半导体的电阻率会明显变小。例如纯锗（Ge），温度每升高10度，其电阻率就会减少到原来的一半。

N型半导体也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。

在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强

半导体材料电阻率的大小，与材料的载流子浓度和其迁移率的乘积成反比。 P型半导体的载流子以空穴为主，N型半导体的载流子以电子为主。以半导体本征硅材料为例，空穴的迁移率约为电子迁移率的三分之一，如果空穴和电子的浓度都一样的话，就会有：“P型半导体的电阻率比N型大”。（供参考）

（1）决定电阻率的因素：

电阻率与晶向有关。对于各向异性的晶体，电导率是一个二阶张量，共有27个分量。特别，对于Si之类的具有立方对称性的晶体，电导率可以简化为一个标量的常数（其他二阶张量的物理量都是如此）。

电阻率的大小决定于半导体载流子浓度n和载流子迁移率μ：ρ=1/ nqμ。对于掺杂浓度不均匀的扩散区的情况，往往采用平均电导率的概念；在不同的扩散浓度分布（例如高斯分布或余误差分布等）情况下，已经作出了平均电导率与扩散杂质表面浓度之间的关系曲线，可供查用。

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