什么是FET，FET介绍

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。

按结构场效应管分为：结型场效应（简称JFET）、绝缘栅场效应（简称MOSFET）两大类

按沟道材料：结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.

按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。

场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类.

场效应电晶体（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型电晶体。它属于电压控制型半导体器件。根据三极体的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化矽材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。

基本介绍中文名 ：场效应电晶体 外文名 ：Field Effect Transistor缩写(FET) 简称 ：场效应管，单极型电晶体 名词领域 ：电气 概念信息,特点,作用,相关信息,分类信息,主要参数,管脚识别,比较, 概念信息 特点 具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型电晶体和功率电晶体的强大竞争者. 作用 场效应管可套用于放大电路，由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器. 场效应管还可以用作电子开关. 场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源. 相关信息 分类信息 按结构场效应管分为：结型场效应（简称JFET）、绝缘栅场效应（简称MOSFET）两大类 按沟道材料：结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种. 按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应电晶体可分为结场效应电晶体和MOS场效应电晶体，而MOS场效应电晶体又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类.见下图 : 主要参数 Idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流. Up — 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压. Ut — 开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压. gM — 跨导.是表示栅源电压UGS — 对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数. BVDS — 漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS. PDSM — 最大耗散功率，也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量. IDSM — 最大漏源电流.是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM 管脚识别 判定栅极G：将万用表拨至R×1k档，用万用表的负极任意接一电极，另一只表笔依次去接触其余的两个极，测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等，则负表笔所接触的为栅极，另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换，若两次测出的电阻都很大，则为N沟道；若两次测得的阻值都很小，则为P沟道。 判定源极S、漏极D： 在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。 比较 场效应管是电压控制元件,而电晶体是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用电晶体. 场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而电晶体是既利用多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件. 有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比电晶体好. 场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块矽片上，因此场效应管在大规模积体电路中得到了广泛的套用.

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